陈洪存
- 作品数：64 被引量：280H指数：11
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术化学工程更多>>
- 掺杂(Co,Nb,Pr)的SnO_2介电与压敏性质被引量：9
- 2002年
- 研究了(Co,Nb,Pr)掺杂的SnO_2材料介电和压敏性质.当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2压敏电阻的相对介电常数从670降到280,击穿电压从827V/mm猛增到2 150V/mm.微观结构分析发现:当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示SnO_2的晶粒尺寸迅速减小是介电常数迅速减小及击穿电压急剧增高的原因.对Pr增加引起SnO_2晶粒减小的根源也进行了解释.
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠赵春华
- 关键词：SNO2二氧化锡压敏电阻击穿电压钴掺杂
- 0.08Pb(Fe_(1/3)Sb_(2/3))O_3-yPbTiO_3-(1-0.08-y)PbZrO_3压电陶瓷性能研究被引量：3
- 2001年
- 合成了钙钛矿结构的 0 .0 8Pb(Fe1/ 3 Sb2 / 3 )O3 -yPbTiO3-(1-0 .0 8-y)PbZrO3 三元系压电陶瓷材料 ,测量并计算了不同y值时的压电常数 (d3 3 )、机电耦合系数 (kp、k3 3 )、机械品质因数 (Qm)以及极化前后的介电常数 (εT3 3 /ε0 ) ,对实验现象进行了简单的讨论 ,得出一些有益的结论 ;实验结果表明当选取合适的 y值时可以获得压电性能良好的压电材料 ,如 y =0 .45时材料的平面机电耦合系数kp、纵向机电耦合系数k3 3 和压电常数d3 3 分别达到 0 .64× 10 -12 C/N、0 .72× 10 -12 C/N和 3 65× 10 -12C/N。
- 董火民王矜奉王勇军陈洪存张沛霖钟维烈苏文斌
- 关键词：压电陶瓷机电耦合系数三元系压电常数介电常数
- (Sr,Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的电学非线性被引量：7
- 2003年
- 研究了Sr对新型 (Co ,Nb)掺杂SnO2 压敏材料微观结构和电学性质的影响 .当SrCO3的含量从零增加到1 5 0mol%时 ,(Co ,Nb)掺杂SnO2 压敏电阻的击穿电压从 2 4 0V mm猛增到 14 82V mm .样品的微观结构分析发现 ,当SrCO3的含量从零增加到 1 5 0mol%时 ,SnO2 的晶粒尺寸迅速减小 .晶界势垒高度测量揭示 ,SnO2 晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的主要原因 .对Sr含量增加引起SnO2 晶粒减小的根源进行了解释 .掺杂 1 5 0mol%SrCO3的SnO2 压敏电阻非线性系数为 2 1 4 ,击穿电压高达 14 82V
- 亓鹏王矜奉陈洪存苏文斌王文新臧国忠王春明
- 关键词：压敏电阻电学非线性
- Pb掺杂SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应被引量：1
- 2003年
- 研究了Pb_3O_4对(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料电学性质的影响,当Pb_3O_4的含量从0.00增加到0.75％(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb_3O_4是调控SnO_2压敏材料击穿电压和介电常数的敏感添加剂,晶界势垒高度测量表明,在实验范围内Pb的含量对势垒高度的影响很小,随着Pb含量的增加,SnO_2的晶粒尺寸的迅速长大是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因,对样品的复阻抗进行了测量,发现未掺杂Pb的样品具有最低的晶界电阻,而掺杂0.50％Pb_3O_4的样品具有最高的晶界电阻.提出了一个修正的缺陷势垒模型,指出了替代Sn的受主不应当处于晶界上,而应处于耗尽层的Sn的晶格位置.
- 王矜奉陈洪存赵春华高建鲁
- 关键词：无机非金属材料压敏电阻器二氧化锡肖特基势垒
- Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响被引量：7
- 2003年
- 研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。
- 臧国忠王矜奉陈洪存苏文斌王文新王春明亓鹏
- 关键词：氧化锌压敏材料势垒晶界
- 高性能防雷用氧化锌压敏阀片
- 陈洪存王矜奉赵连义高建鲁张海鹍王文新苏文斌钟维烈张沛霖王春雷
- ZnO压敏电阻具有良好的非线性，已被广泛应用在电子线路、电器设备的过电压保护和浪涌吸收上。防雷器是保护用电设备免受感应雷电袭击的保护器，它对用电保护水平的高低取决于核心器件ZnO压敏阀片。
- 关键词：
- 关键词：防雷器
- 溶胶-凝胶K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3陶瓷的高温XRD研究被引量：8
- 2004年
- 采用溶胶-凝胶法成功制备出K0.5Bi0.5TiO3(KBT)纳米微粉,并利用此微粉烧结出成瓷良好的KBT陶瓷。用XRD法测定了KBT陶瓷粉末室温和高温(600°C)时的点阵常数,确定KBT的高温相为立方结构(点群为m3m)并指标化其衍射线,给出了KBT陶瓷粉末的多晶XRD数据。
- 李正法王春雷钟维烈赵明磊王矜奉陈洪存
- 关键词：溶胶-凝胶法无铅陶瓷
- Nd2O3掺杂对SnO2压敏电阻电学性能的影响
- 本文研究并分析了NdO掺杂对SnO压敏电阻电学非线性特性的影响。研究发现适量的Nd对Sn的取代能明显提高压敏电阻的压敏电场和非线性系数。掺杂0.50 mol% NdO的陶瓷样品具有最高的非线性系数(α35)和高的压敏电场...
- 陈洪存王春明王矜奉苏文斌
- 关键词：压敏材料二氧化锡电学非线性
- 文献传递
- 掺钽的二氧化钛电容-压敏陶瓷电学性能研究被引量：19
- 2001年
- 通过对样品 I- V特性和势垒高度等参数的测定 ,研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的 x(Ta2 O5 ) 0 .2 5 %为的样品显示出最低的反转电压 (Eb=6 V/m m)、最高的非线性常数 (α=8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=6 .2× 10 4)这与该样品最高且最窄的晶界缺陷势垒相一致。样品的电学性能变化可用Ta5 +对 Ti4+的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释。相应的缺陷势垒模型用来解释势垒的形成。
- 李长鹏王矜奉陈洪存苏文斌钟维烈张沛霖
- 关键词：压敏材料二氧化钛电学性能
- 硅酸锑改性高梯度的氧化锌压敏材料
- 本发明提供了一种硅酸锑改性高梯度的氧化锌压敏材料，该硅酸锑改性高梯度的氧化锌压敏材料由以下重量比的组分组成：91％～92％的ZnO、2.65％～2.80％的Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、1.85...
- 陈洪存王伟伟李默宋飞耿建培王春明苏文斌
- 文献传递
