李嘉席
- 作品数：7 被引量：36H指数：4
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀被引量：7
- 2002年
- 利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺 ,生长了直径为 6 0、5 0和 40mm ,掺锗量为 0 1%和 0 5 % (锗硅重量比 )的锗硅单晶 .利用化学腐蚀 金相显微镜法、扫描电子显微镜 (SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况 .发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同 ,体内存在着较高密度的氧微沉淀 .在晶体尾部 ,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集 ,出现了“组分过冷”现象 ,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长 .晶体中高密度氧的微沉淀经过 12 5 0℃热处理 1h后会溶解消失 .
- 张维连李嘉席陈洪建孙军生张建新张恩怀赵红生
- 关键词：氧沉淀晶体缺陷
- 锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响被引量：2
- 2001年
- 利用四探针测试和三点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度．发现Ge能抑制CZSi中氧施主的形成，降低热施主的形成速率和最大浓度，改善硅材料的内在质量，提高硅片的机械强度，以杂质量级掺入到硅中的Ge对提高硅材料的综合性能是有益的．
- 张维连孙军生檀柏梅李嘉席
- 关键词：热退火机械强度直拉单晶硅锗
- 第三代半导体材料生长与器件应用的研究被引量：14
- 2002年
- 着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍了制备引ＳｉＣ和ＧａＮ单晶的方法．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向．总结了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的目前应用和未来的市场前景，指出了ＳｉＣ和ＧａＮ材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向．
- 李嘉席孙军生陈洪建张恩怀
- 关键词：第三代半导体材料氮化镓晶体生长宽带隙半导体GAN
- GaAs材料及GaAs器件性能对卫星通信小型站接收系统的影响
- 该课题从卫星通信系统来研究半导体材料和器件,及它们之间的相互影响,对半导体材料及器件提出了可能达到的目标要求.该课题选择了附加磁场的LEC法(M-LEC)拉制高质量的单晶.利用M-LEC法可以消除单晶中的位错,降低缺陷密...
- 李嘉席
- 关键词：GAAS材料卫星电视频带利用率卫星通信
- 文献传递
- ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究被引量：3
- 2000年
- 提出了在碱性浆料中 UL SI多层布线导体铜化学机械抛光的模型 ,对铜 CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。
- 刘玉岭李嘉席檀柏梅梁存龙
- 关键词：多层布线甚大规模集成电路抛光液
- 用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性被引量：4
- 2001年
- 用永磁体环形磁场直拉（ＰＭＣＺ）炉代替普通的ＭＣＺ炉生长了质量较高的单晶硅．在ＰＭＣＺ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏．在用ＰＭＣＺ法生长的硅晶体中氧浓度较低，杂质的径向分布均匀性好．简单地讨论了ＰＭＣＺ法控氧优于普通ＭＣＺ法的机理．
- 张维连孙军生张恩怀李嘉席吴小双高树良胡元庆刘俊奇
- 关键词：热对流单晶硅电阻率晶体生长
- ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究被引量：7
- 2007年
- 提出了在碱性浆料中ULSI多层布线导体铜化学机械抛光的模型,对铜CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。
- 刘玉岭李嘉席檀柏梅梁存龙
- 关键词：多层布线甚大规模集成电路
