张维连
- 作品数：82 被引量：143H指数：7
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 硅锗合金单晶的制备
- 张维连陈洪建张恩怀孙军生张建新牛新环
- 该项目采用CZ法和PMCZ法研制出了Φ≥50mm的硅锗单晶。其利用FTIR、SEM、SIMS、化学光谱、X-RAY、EDX等分析手段对硅中锗的含量、分布形式、有效分凝系数、氧浓度和氧沉淀的行为、电阻率热稳定性、锗浓度对晶...
- 关键词：
- 关键词：生产工艺
- CZSi的辐照加速氧沉淀现象
- 1990年
- 张维连
- 关键词：CZSI辐照半导体材料
- NTDCZSi中与氧有关的PL谱
- 1996年
- 中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76～1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi在相同条件下退火却没有检测出明显的PL峰.本文与已发表过的文献进行了比较,初步认定本实验条件下出现的0.896eV、0.765eV、0.909eV、0.773eV是中照硅退火时由于产生了氧沉淀及其衍生的二次缺陷引入的深能级缺陷PL峰.
- 张维连闫书霞孙军生
- 关键词：中子嬗变掺杂直拉硅光致发光
- 直拉硅片缺陷工程的新发展
- 徐岳生张维连任丙彦
- 关键词：硅辐照半导体材料
- CMOS器件用硅片的缺陷控制工艺
- 一种半导体材料的处理方法，特别是CMOS器件用硅片缺陷控制工艺，其工序是先将自然直拉硅单晶进行中子辐照，然后进行切、磨、抛等硅片加工，合格的硅抛光片清洗处理后，直接进行CMOS集成电路工艺制造的第一道热工序，该工艺稳定、...
- 徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
- 铁铪双掺铌酸锂晶体的光致散射研究被引量：2
- 2009年
- 本文研究了铁铪双掺铌酸锂晶体的光致散射行为,对比了铁铪双掺铌酸锂晶体还原前后的光致散射结果。结果表明:晶体中的锂空位可使晶体暗电导增加并引起光致散射的泵浦光强阈值效应;高泵浦光强下产生的严重光致散射起源于晶体中的较高的三价铁离子浓度。铁铪双掺铌酸锂晶体具有较好的抑制光致散射的能力。
- 陈洪建张维连阎文博李养贤
- 关键词：铌酸锂
- 功率器件用中子嬗变掺杂CZ-Si的退火
- 1989年
- 介绍了用于功率器件的 NTD CZ-Si 原始晶体导电类型和电阻率测量精度对 NTD CZ-Si 目标电阻率准确性和均匀性的影响,提出了原始 CZ-Si 热处理的方法及中照后的 NTD CZ-Si 的退火工艺。
- 张维连徐岳生
- 关键词：功率器件中子嬗变掺杂
- 化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷被引量：13
- 2004年
- 采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104～10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳.
- 吕海涛张维连左燕步云英
- 关键词：化学腐蚀金相显微镜
- 中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应
- 1991年
- 中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。
- 张维连徐岳生李养贤
- 关键词：中子嬗变掺杂直拉硅
- 硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法
- 一种硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法。该方法是将达到器件目标电阻率的硅单晶先用快中子流照射，然后进行硅片加工，合格的硅片直接送入硅器件制造的第一道热工序的扩散炉内，在高纯气氛的保护下，随炉升温到该工序要求的温度，进行第一...
- 徐岳生张维连任丙彦鞠玉林李养贤梁金生
