曹先存
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌
- 2007年
- 使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.
- 钟飞邱凯李新化尹志军姬长建韩奇峰曹先存陈家荣段铖宏周秀菊王玉琦
- 关键词：表面形貌GAN薄膜
- 超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究
- 2011年
- 稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs外延层分别处于准共格或低弛豫状态,Mn含量为4%的GaMnAs外延层的弛豫度明显大于3%样品的弛豫度.我们认为,准共格或低弛豫度状态对空穴浓度随Mn含量的变化趋势几乎没有影响,较大弛豫度的应变状态将导致样品外延层产生较多缺陷,影响能带结构和能级,引起空穴浓度异常减小.
- 苏平龚敏马瑶高博石瑞英陈昶史同飞曹先存孟祥豪罗代升
- 关键词：应变弛豫
- Ga1-zMnzAs的拉曼光谱
- @@引言： 近年来，半导体自旋电子学得到了迅速发展，1996年，Ohno等通过低温分子束外延(MBE)的方法制备出稀磁半导体GaMnAs，这引发了人们对Mn掺入GaAs的研究兴趣。在GaMnAs中，二价Mn离子取代Ga的...
- 苏平龚敏马瑶石瑞英曹先存史同飞孟祥豪
- 文献传递网络资源链接
- 杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究被引量：1
- 2009年
- 提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度,但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响,本文对低温分子束外延技术(LT-MBE)生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析,发现样品中存在大量的As反位缺陷(AsGa)、Mn的间隙位缺陷(MnI)、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷,这些缺陷都会影响外延层的光谱特性,同时也会影响器件的电学性能。
- 钟玉杰程顺昌苏平龚敏石瑞英曹先存史同飞
- 关键词：红外光谱
- X射线吸收谱对Ga_(0.946)Mn_(0.054)As薄膜中缺陷的研究
- 2011年
- 采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.054As晶格中缺陷分布以As反位原子(AsGa)为主;较高生长温度(TS>230℃)时样品中主要缺陷是Mn间隙(MnI)原子.同时,在较高低温退火温度(250℃)下可以使样品内部MnI向表面大量析出,减少反铁磁相,达到最高居里温度(130K).XAS结果还表明,退火可以使得表面的AsGa缺陷脱附,驱动周围的MnI原子填补AsGa缺陷留下的空位,提高MnGa原子浓度.
- 乔媛媛肖正国曹先存郭浩民史同飞王玉琦
- 关键词：X射线吸收谱
