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张云鹏
作品数:
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华南理工大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
李国强
华南理工大学
张子辰
华南理工大学
杨美娟
华南理工大学
张毅杰
华南理工大学
王嘉霖
华南理工大学
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一种高效垂直结构LED芯片n电极图案的分析方法
本发明属于LED的技术领域,公开了一种高效垂直结构LED芯片n电极图案的分析方法。所述方法为:(1)采用Tracepro软件依次构建垂直结构LED芯片模型衬底、p电极层、外延层,绘制n电极图案,构建接触靶面,设置材料参数...
李国强
张云鹏
张子辰
蔡鸿
张啸尘
黄裕贤
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一种两步法制备Ag反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种两步法制备Ag反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法,包括在Si衬底上制备LED外延层,在LED外延层制备Ni/Ag‑contact/Ag‑bulk/X反射镜、保护层、键合层、p电极图案等;再将外延层转移...
李国强
张云鹏
张子辰
一种弧线形N电极及垂直结构LED芯片
本发明公开了一种弧线形N电极,包括插指和焊盘;所述焊盘为长方形;所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成;所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构;所述中心区域插指由垂直插指和一根弧线形插指组成;所述中心区域插指...
李国强
张云鹏
张子辰
文献传递
一种LED图形优化封装基板、LED封装体
本实用新型公开了一种LED图形优化封装基板,所述封装基板上设有倒圆锥凹槽图案,所述倒圆锥凹槽的底面半径为0.3~1mm,倒圆锥凹槽倾角为45°~75°,相邻倒圆锥凹槽的中心间距为0.5~1mm;所述封装基板的水平表面及倒...
李国强
杨美娟
凌嘉辉
张云鹏
一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法
本发明属于光电器件领域,公开了一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法。该CdTe纳米晶异质结太阳电池,由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。阴极界面层指ZnO或TiO<Sub>2</Su...
覃东欢
张云鹏
张毅杰
刘凯怡
王嘉霖
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一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法
本发明属于LED的技术领域,公开了一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法。所述高发光效率的垂直结构LED芯片自下而上依次包括导电衬底、金属键合层、金属反射层、p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和n型GaN层...
李国强
张子辰
张云鹏
郭晓萍
曾禹
黄振强
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一种孔内无氧干法刻蚀降低3D通孔超结构LED芯片电压的方法
本发明公开一种孔内无氧干法刻蚀降低3D通孔超结构LED芯片电压的方法,包括在外延衬底上制备n型掺杂GaN层,InGaN/GaN多量子阱层,p型掺杂GaN层。在LED外延片表面制备纳米Ag基反射镜、反射镜保护层、N MES...
李国强
张云鹏
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一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法,在LED外延片表面采用光刻结合纳米压印、电感耦合等离子体刻蚀标准光刻、溅射等手段制备NiO阵列纳米点/Ag的反射镜。使用紫外纳米压印技术制备阵列Ni...
李国强
张云鹏
张子辰
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一种无漏电MESA切割道3D通孔超结构LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种无漏电MESA切割道3D通孔超结构LED芯片及其制备方法,包括在外延衬底上制备n型掺杂GaN层,InGaN/GaN多量子阱层,p型掺杂GaN层,再在LED外延片表面制备纳米Ag基反射镜,反射镜保护层、ME...
李国强
张云鹏
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一种孔内无氧干法刻蚀降低3D通孔超结构LED芯片电压的方法
本发明公开一种孔内无氧干法刻蚀降低3D通孔超结构LED芯片电压的方法,包括在外延衬底上制备n型掺杂GaN层,InGaN/GaN多量子阱层,p型掺杂GaN层。在LED外延片表面制备纳米Ag基反射镜、反射镜保护层、N MES...
李国强
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