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宋朝晖

作品数:6 被引量:55H指数:5
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术机械工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程

主题

  • 3篇加速度
  • 2篇压阻
  • 2篇深反应离子刻...
  • 2篇速度传感器
  • 2篇微机电系统
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘工艺
  • 2篇刻蚀
  • 2篇机电系统
  • 2篇加速度传感器
  • 2篇硅微机械
  • 2篇反应离子
  • 2篇反应离子刻蚀
  • 2篇感器
  • 2篇高灵敏
  • 2篇高灵敏度
  • 2篇传感

机构

  • 6篇中国科学院
  • 2篇浙江大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 6篇宋朝晖
  • 6篇王跃林
  • 5篇李昕欣
  • 4篇张鲲
  • 3篇焦继伟
  • 2篇程保罗
  • 2篇陈雪萌
  • 2篇戈肖鸿
  • 2篇杨恒
  • 2篇车录锋
  • 1篇李欣昕
  • 1篇董健
  • 1篇贾孟军
  • 1篇黄晖
  • 1篇黄树森

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇机械强度
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种新结构硅微机械压阻加速度计被引量:13
2005年
设计、制造并测试了一种新结构硅微机械压阻加速度计。器件结构是悬臂梁-质量块结构的一种变形。比较硬的主悬臂梁提供了一定的机械强度,并且提供了高谐振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻就扩散在微梁上,质量块很小的挠动就能在微梁上产生很大的应力,输出很大的信号。5 V条件下,灵敏度为14.80 mV/g,谐振频率为994Hz,分别是传统结构压阻加速度计的2.487倍和2.485倍。加速度计用普通的N型硅片制造,为了刻蚀高深宽比的结构,使用了深反应离子刻蚀(DRIE)工艺。
陈雪萌李昕欣宋朝晖王跃林黄晖黄树森张鲲
关键词:微机械加速度计压阻深反应离子刻蚀
开关点电可调节的MEMS冲击加速度锁定开关被引量:14
2007年
介绍了一种基于机电耦合原理的新型冲击加速度MEMS开关.此开关的阈值开关点可以通过偏置电压的改变进行调节设置,同时具有自锁定功能.文中分析了这种开关的准静态加速度静力学平衡条件和在阶跃冲击加速度输入情况下的响应特性,并通过CoventorWare软件模拟,得到悬臂梁型开关在各种加速度输入信号(阶跃、脉冲和半正弦)情况下的瞬态响应过程.开关的实际阈值范围为1000-5000g,响应速度小于60μs.采用MEMS技术制造开关,并通过冲击加速度测试验证了设计结果.
贾孟军李昕欣宋朝晖王跃林
关键词:MEMS机电耦合
一种高灵敏度硅微机械陀螺的设计与制造被引量:5
2004年
设计与制造了一种高灵敏度的硅微机械陀螺。陀螺用静电来驱动,用连接成惠斯顿电桥的压阻式力敏电阻应变计来检测。主梁、微梁 质量块结构实现了高灵敏度。比较硬的主梁提供了一定的机械强度,并且提供了高共振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻应变计就扩散在微梁上,质量块很小的挠动就能在微梁上产生很大的应力,输出很大的信号。5V条件下,陀螺检测部分的理论灵敏度达到27.45mV/gn。压阻式四端器件用来监测驱动振幅,可以反馈补偿压阻的温度系数。检测模态的Q值达260使陀螺能在大气下工作。陀螺利用普通的n型硅片制造,为了刻蚀高深宽比的结构,使用了深反应离子刻蚀(DRIE)工艺。
陈雪萌宋朝晖李欣昕王跃林张鲲焦继伟杨恒
关键词:陀螺压阻深反应离子刻蚀
曲面过载保护的新型高g值冲击硅微机械加速度传感器的设计被引量:14
2003年
给出一种测量高g值冲击加速度的硅微机械加速度传感器的结构和动力学模型 ,此传感器为整体式悬臂梁结构 ,采用硅微机械加工技术制作 ,便于封装和大批量低成本制造。其敏感方向在硅片平面内 ,两个压敏电阻分布在悬臂梁的顶端 ,两个完全相同的悬臂梁沿相反方向分布 ,四个压敏电阻构成惠斯通全桥连接 ;悬臂梁的过载保护采用上下两个曲面 ,一方面有效地提高悬臂梁的过载保护能力 ,另一方面调节加速度传感器的压膜阻尼 ,使之接近临界阻尼 ,有效抑制自由振动模态 ,提高测量精度。
董健李昕欣王跃林张鲲宋朝晖
带有静电自检测功能的高灵敏度加速度传感器被引量:8
2005年
研究了一种带有自检功能的在平面内自限制压阻式加速度传感器.为实现该加速度传感器,提出了一套新的体硅微机械工艺,使用普通硅片取代SOI硅片来制作器件.传感器采用在深槽侧壁(悬臂梁弯曲的表面)制作压阻的方法,灵敏度比在硅表面上制作压阻的传统器件高近一倍.传感器利用集成在内的静电驱动器,实现电自检测功能.
程保罗李昕欣王跃林焦继伟车录锋杨恒戈肖鸿宋朝晖
关键词:微机电系统加速度传感器自检功能静电驱动绝缘工艺
新型侧壁绝缘体硅微机械工艺被引量:1
2005年
介绍了一种全新的体硅微机械工艺,可以取代SOI硅片而直接在普通硅片上对不同的侧壁电学导通部分进行绝缘。该工艺在DRIE形成的绝缘深沟内进行SiO2绝缘薄膜填充,并用填充后形成的SiO2条对器件侧壁进行电学绝缘。对于该工艺的原理、可能出现的问题、制作流程的摸索等进行了探讨,并且给出使用该工艺实现的一个带自检驱动功能的加速度计。该加速度计采用压阻原理,器件的压阻敏感电阻部分,通过在侧面进行半导体杂质扩散而形成。
程保罗李昕欣王跃林焦继伟车录锋张鲲戈肖鸿宋朝晖
关键词:微机电系统体硅工艺绝缘工艺加速度传感器
共1页<1>
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