您的位置: 专家智库 > >

孙福河

作品数:7 被引量:12H指数:2
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国际科技合作与交流专项项目博士科研启动基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电池
  • 3篇微晶硅
  • 3篇VHF-PE...
  • 2篇太阳电池
  • 1篇电池工艺
  • 1篇硼掺杂
  • 1篇气相沉积
  • 1篇子层
  • 1篇污染
  • 1篇磷污染
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇薄膜太阳电池
  • 1篇SOLAR_...
  • 1篇
  • 1篇DEPOSI...
  • 1篇DOPED
  • 1篇INTRIN...
  • 1篇掺杂
  • 1篇P

机构

  • 7篇南开大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 7篇孙福河
  • 6篇张晓丹
  • 6篇魏长春
  • 6篇赵颖
  • 6篇耿新华
  • 6篇孙建
  • 5篇岳强
  • 5篇熊绍珍
  • 5篇王光红
  • 5篇许盛之
  • 2篇张德坤
  • 1篇王世峰
  • 1篇李贵军
  • 1篇侯国付
  • 1篇胡增鑫
  • 1篇赵庚申
  • 1篇韩晓艳

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...

年份

  • 4篇2009
  • 3篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
单室沉积p-i--n电池工艺中磷污染问题研究
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了单室沉积下腔室磷污染的表现特征。由测试结果发现:单室沉积n层后随即沉积p层或者i层微晶硅,残余的磷将降低微晶p层材料的暗电导,而对本征微晶i层材料,磷会...
孙福河张晓丹许盛之王光红岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖
关键词:磷污染微晶硅
文献传递
p种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响
2009年
采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/i界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅i层纵向均匀性及电池性能的影响.实验结果表明:采用此方法能改善p/i界面特性,提高本征材料纵向结构的均匀性并降低硼对本征层的污染,有效地提高单结微晶硅电池的性能.最后,通过优化沉积条件,制备得到光电转换效率为8.81%(1cm2)的非晶/微晶硅叠层电池.
王光红张晓丹许盛之孙福河岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖
P型微晶硅薄膜材料的制备与优化
利用VHF-PECVD(75MHz)技术,采用高氢稀释SiH、及BH掺杂的方法,在玻璃衬底上获得了厚度为50nm,电导率达到9.1S/cm,暗电导激活能小于0.035eV,拉曼晶化率超过40%的p层材料。单室工艺制备微晶...
许盛之张晓丹孙福河王光红岳强魏长春孙建张德坤胡增鑫赵庚申耿新华赵颖
关键词:硼掺杂微晶硅
文献传递
硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响被引量:3
2009年
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的硼对本征微晶i材料电学特性和结构特性的影响进行了详细研究.测试结果表明:单室沉积p层后的硼降低了微晶i层材料的暗电导,增加了材料的光敏性;由于硼对i层污染程度的不同,使得材料的激活能发生了变化;腔室中残余的硼也导致微晶硅薄膜的结晶状况恶化,同时弱化了材料的(220)择优取向.而在较高功率和较强氢稀释下制备的晶化率较高,(220)晶向明显择优的材料受硼污染影响相对减小.
孙福河张晓丹王光红许盛之岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖
关键词:微晶硅
单室VHF-PECVD制备微晶硅薄膜太阳电池的初步研究
单室技术制备硅薄膜太阳电池是降低其成本的重要方法之一。本文在单室中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,以降低单室沉积工艺中的界面污染和提高单室沉积微晶硅电池的性能为目标,详细研究了单室沉积中的交叉污染问题、不同处理硼...
孙福河
关键词:化学气相沉积薄膜太阳电池
文献传递
Doped-Chamber Deposition of Intrinsic Microcrystalline Silicon Thin Films and Its Application in Solar Cells被引量:1
2008年
A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) at different silane concentrations in a P chamber. Through analysis of the structural and electrical properties of these materials,we conclude that the photosensitivity slightly decreased then increased as the silane concentration increased,while the crystalline volume fraction indicates the opposite change. Results of XRD indicate that thin films have a (220) preferable orientation under certain conditions. Microcrystalline silicon solar cells with conversion efficiency 4. 7% and micromorph tandem solar cells 8.5% were fabricated by VHF-PECVD (p layer and i layer of microcrystalline silicon solar cells were deposited in P chamber), respectively.
孙福河张晓丹赵颖王世峰韩晓艳李贵军魏长春孙建侯国付张德坤耿新华熊绍珍
关键词:VHF-PECVD
单室沉积本征微晶硅薄膜及其在电池中的应用被引量:7
2009年
为获得单室沉积高效微晶硅(μc-Si)太阳电池,首先采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同沉积条件下的本征μc-Si薄膜。通过对材料的结构和电学输运特性的研究,借鉴分室沉积的器件质量级μc-Si材料的经验,选取合适的本征层和p种子层处理B污染的技术,在单室中制备出光电转换效率为6.23%(1cm2)的单结μc-Si电池。
王光红张晓丹孙福河许盛之岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖
关键词:太阳电池
共1页<1>
聚类工具0