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孙健

作品数:36 被引量:101H指数:6
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学经济管理更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 6篇学位论文
  • 5篇专利
  • 4篇科技成果

领域

  • 12篇电气工程
  • 6篇电子电信
  • 3篇经济管理
  • 3篇理学
  • 1篇生物学
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 14篇电池
  • 12篇太阳电池
  • 7篇非晶硅
  • 5篇硅薄膜
  • 4篇VHF-PE...
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇硅太阳电池
  • 3篇非晶硅太阳电...
  • 3篇沉积速率
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇电池效率
  • 2篇电极
  • 2篇调用接口
  • 2篇叠层
  • 2篇远程
  • 2篇运行环境
  • 2篇势垒
  • 2篇缺陷态
  • 2篇自动检验

机构

  • 35篇南开大学
  • 2篇天津大学
  • 1篇燕山大学

作者

  • 36篇孙健
  • 16篇赵颖
  • 16篇耿新华
  • 14篇张德坤
  • 13篇张晓丹
  • 12篇魏长春
  • 11篇侯国付
  • 7篇薛俊明
  • 7篇张建军
  • 7篇任慧志
  • 5篇王广才
  • 4篇熊绍珍
  • 4篇韩晓艳
  • 4篇陈新亮
  • 3篇胡景康
  • 3篇许盛之
  • 3篇倪牮
  • 3篇王庆章
  • 3篇李天天
  • 2篇孙云

传媒

  • 3篇光电子.激光
  • 2篇太阳能学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 1篇石油学报
  • 1篇电源技术
  • 1篇计算机与应用...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第十一届中国...
  • 1篇中国第七届光...
  • 1篇中国太阳能学...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 6篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇1994
  • 1篇1993
36 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法
本发明公开了一种高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法,首先利用超高频等离子体增强化学气相沉积方法,控制辉光功率和硅烷浓度,采用第一沉积速率在P层上沉积第一本征微晶硅薄膜层;然后在等离子体辉光不灭的情况下,调节辉光功...
耿新华韩晓艳张晓丹赵颖侯国付魏长春孙健张德坤
文献传递
Ag纳米颗粒在p/AZO界面辅助空穴传输中的应用
内容大纲1.研究背景与内容2.研究内容与讨论2.1 基于AZO溅射后腐蚀衬底的Ag 纳米颗粒高功函数界面制备2.2 Ag纳米颗粒对a-Si:H 及a-Si:H/μc-Si:H电池影响2.3 Ag纳米颗粒辅助空穴传输机理研...
李天天张奇星倪牮白立沙方家王奉友张德坤孙健魏长春王广才赵颖张晓丹
CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究被引量:40
2001年
采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ,CIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入的讨论 。
孙云王俊清杜兆峰舒保健于刚温国忠周祯华孙健李长健张丽珠
关键词:CIGS薄膜太阳电池CIS
稀土掺杂氟氧化物玻璃陶瓷的上转换发光及其在红外探测中的应用
稀土离子,由于其特殊的电子壳层结构,发光波长涵盖从紫外到近红外广泛的光谱区域,且不容易受周围环境的影响,故而从二十世纪五十年代起就作为上转换材料的发光中心得到广泛的研究。七十年代,敏化概念的提出更是使稀土离子的上转换发光...
孙健
关键词:氟氧化物玻璃陶瓷红外探测稀土离子掺杂上转换发光材料
文献传递
非晶硅太阳电池本征层特性研究被引量:2
1993年
本文研究了不同沉积条件下的未掺杂a-Si:H特性,测量了材料的光致变化、红外吸收谱、光暗电导率、次带吸收谱等。研究表明,电池的稳定性除与弱健、微空洞等缺陷有关外,还与未掺杂a-Si:H中的高硅氢键的含量直接相关。
王广才孙健
关键词:A-SI:H太阳能电池非晶硅
VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池被引量:11
2005年
采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0 45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0 253cm2.
张晓丹赵颖朱锋魏长春高艳涛孙健侯国付薛俊明耿新华熊绍珍
关键词:微晶硅薄膜
VHF-PECVD低温高速生长的硅薄膜材料特性研究被引量:4
2004年
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF PECVD)方法,在保持其它参量不变的条件下,通过改变SiH4浓度(SC)成功地制备了一系列Si基薄膜样品。对材料特性的测试结果表明,同射频PECVD相比VHF PECVD技术提高了薄膜的沉积速率,并且SC大相应的沉积速率也大;微区Raman谱测试计算结果表明,样品的晶化率(Xc)随SC的逐渐增大而减小;X射线衍射(XRD)测试结果计算显示,样品的晶粒尺寸在20~30nm之间原子力显微镜(AFM)和微区Raman谱测试分析结果一致表明,过渡区在SC在6%~8%之间;激活能测试结果表明,制备出接近本征的微晶Si材料。
张晓丹赵颖朱锋侯国付魏长春熊文娟孙健任慧志耿新华熊绍珍
关键词:VHF-PECVD
反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响被引量:7
2007年
研究了反应压力对金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子镜(SEM)的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜(002)择优峰的强度呈现相对减弱趋势,并且出现了较强的(110)峰;Hall测量表明,低的反应压力有助于提高薄膜电学特性。200Pa时制备出的ZnO薄膜具有明显的"类金字塔"状绒面结构,电阻率为1.28×10-2Ω.cm。实验中沉积的ZnO薄膜在600~2600nm内平均透过率超过80%,而短波长范围由于光散射作用,ZnO薄膜的垂直透过率有所下降。
陈新亮薛俊明张德坤孙健任慧志赵颖耿新华
关键词:ZNO薄膜
南北型自由贸易区的原产地规则对其成员国影响的差异性研究
20世纪90年代以来,由发达国家和发展中国家形成的南北型自由贸易区成为新一轮区域主义浪潮的显著特征。为了防止成员国之间相互给予的优惠无偿“外溢”,南北型自由贸易区也要制订区域内的原产地规则。从经济学角度看,在不对称的结构...
孙健
关键词:原产地规则成员国区域经济
文献传递
CO2等离子体处理对SnO:F/P-a-Si:C肖特基势垒调控
本文通过采用CO2等离子体处理的方法对FTO表面进行修饰,改变FTO表面载流子浓度和费米能级位置从而提高FTO/P-a-SiC:H接触特性,降低肖特基势垒,从而提高a-Si:H电池的FF和Voc。
李天天张晓丹方家王奉友白丽莎张德坤孙健魏长春王广才赵颖
关键词:化合物半导体肖特基势垒
共4页<1234>
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