唐文栋
- 作品数：9 被引量：20H指数：2
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
- CMP Study of NiP Substrate of Computer Hard-disk with Alkali Nanometer Slurry
- In this paper, the chemical character of NiP substrate of computer disk is analyzed. New type of alkali slurry...
- 刘玉岭田军唐文栋张国玲王立发
- 关键词：CMPROUGHNESSPLANARIZATION
- 计算机硬盘NiP基板CMP机理及技术研究被引量：1
- 2008年
- 目前,大多数计算机硬盘采用镍磷敷镀的铝合金作为磁盘盘片,并采用化学机械抛光(CMP)技术作为盘片最终的精抛光。通过对镍磷基板的化学性质分析,讨论了其CMP机理,指出在整个反应过程中,化学反应速率是慢过程,它决定了最终的CMP速率,如何使络合反应迅速向右进行将成为CMP的关键。通过分析浆料在硬盘基板CMP中的重要性,指出浆料的化学成份是化学作用的关键。通过分析氧化剂、pH值、活性剂及螯合剂的影响作用,研制了新型碱性浆料,其中磨料为硬度较小粒径40 nm的SiO2水溶胶,氧化剂为H2O2,FA/O活性剂与螯合剂,并首次选用有机碱作为pH值调节剂。利用配制的抛光液通过CMP实验确定氧化剂含量为15 ml/L,pH值为11,磨料浓度为20%时,获得的速率可达550 nm/min以上,粗糙度降至1.1 nm。
- 田军刘玉岭檀柏梅牛新环唐文栋
- 关键词：硬盘基板化学机械抛光浆料去除速率粗糙度
- 碱性浆料下计算机硬盘NiP基板CMP机理的分析研究被引量：1
- 2007年
- 通过对镍磷基板的化学性质分析，讨论了其动力学过程，指出化学反应过程是最慢的过程，是CMP的控制过程，分析了浆料在硬盘基板CMP中的重要性，指出浆料的化学成份是化学作用的关键，研制了新型碱性浆料，研究了碱性浆料下镍磷基板CMP机理，通过络合胺化剂的强络合作用实现了碱性浆料下的高凹凸选择性，获得了较高的去除速率；选用小粒径、低硬度的二氧化硅水溶胶磨料实现了较低的表面粗糙度。
- 田军刘玉岭王立发唐文栋
- 关键词：硬盘基板CMP浆料去除速率
- 磨料和H_2O_2对InSb CMP效果影响的研究被引量：5
- 2008年
- InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素。采用化学机械抛光(CMP)技术对InSb进行表面加工,分析了CMP过程中抛光液的磨料质量分数和氧化剂含量对InSb的CMP效果的影响规律,实验研究了磨料和氧化剂(H2O2)的优化配比参数,并在此参数下,获得了良好的抛光表面。
- 张伟刘玉岭孙薇唐文栋宗思邈李咸珍侯丽辉
- 关键词：锑化铟磨料双氧水化学机械抛光
- 用碱性纳米SiO2浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工的研究
- 2009年
- 采用碱性纳米SiO2浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工，与酸性浆料对比，在平整度PV、均匀度rms和粗糙度RA均获得显著提高。
- 田军刘玉岭唐文栋张国玲王立发
- 关键词：硬盘基板CMP粗糙度平整度
- 碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响被引量：2
- 2008年
- 阐述了化学机械抛光(CMP)技术在硬盘基板加工中发挥的重要作用,介绍了SiO2碱性抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光中发挥的重要作用。使用河北工业大学研制的SiO2碱性抛光液对硬盘基板表面抛光,分析研究了抛光液中的浓度、表面活性剂以及去除量对抛光后硬盘基板表面状况的影响机理。总结了硬盘基板表面粗糙度随抛光液中的浓度、表面活性剂及去除量的变化规律以及抛光液的这些参数如何影响到硬盘基板的表面状况。在总结和分析这些规律的基础上,对抛光结果进行了检测。经检测得出,改善抛光后的硬盘基板表面质量(Ra=0.3926nm,Rrms=0.4953nm)取得了显著效果。
- 唐文栋刘玉岭宁培桓田军
- 关键词：硬盘基板化学机械抛光抛光液粗糙度波纹度
- 用碱性纳米SiO2浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工的研究
- 本文采用碱性纳米SiO2纳米浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工与酸性浆料对比在平整度PV, 均匀度rms和粗糙度RA均获得了显著的提高。
- 田军刘玉岭唐文栋张国玲王立发
- 关键词：MG(OH)2NI(OH)2FE3O4
- 碱性浆料下计算机硬盘NiP基板CMP机理的分析研究
- 通过对镍磷基板的化学性质分析,讨论了其动力学过程,指出化学反应过程是最慢的过程,是 CMP 的控制过程,分析了浆料在硬盘基板 CMP 中的重要性, 指出浆料的化学成份是化学作用的关键,研制了新型碱性浆料,研究了碱性浆料下...
- 田军刘玉岭王立发唐文栋
- 关键词：硬盘基板CMP浆料去除速率
- 文献传递
- Si单晶片切削液挂线性能的研究被引量：11
- 2008年
- Si片线切割过程中,切削液的挂线性能直接影响切片表面质量、切片速率、线锯寿命以及晶片成品率。为满足超大规模集成电路对Si衬底表面质量的要求,改进线切割液的性能,对影响线切割液性能的因素进行了分析,并通过实验对线切割液的挂线性能进行了研究,找到了比较适合Si片切割且挂线性能较好的切削液配比。
- 宁培桓周建伟刘玉岭唐文栋张伟
- 关键词：硅晶片切削液黏度渗透性
