周笔
- 作品数：8 被引量：7H指数：1
- 供职机构：闽江学院物理学与电子信息工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>
- UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层被引量：6
- 2008年
- 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
- 周志文蔡志猛张永蔡坤煌周笔林桂江汪建元李成赖虹凯陈松岩余金中王启明
- 关键词：锗
- 一种Si基微纳发光材料的制备方法
- 一种Si基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的...
- 陈松岩周笔潘书万李成赖虹凯
- 文献传递
- 一种Si基微纳发光材料的制备方法
- 一种Si基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的...
- 陈松岩周笔潘书万李成赖虹凯
- 文献传递
- 低温Ge作缓冲层的高组份SiGe弛豫衬底生长研究
- ＜正＞Si 基 SiGe 合金和纯 Ge 材料具有良好的光电热性能,并且与 Si 工艺兼容,在微电子和光电子器件方面得到了广泛应用,如异质结双结型晶体管,应变 Si、SiGe 和 Ge 高迁移率 MOS 管,近红外1.3...
- 周志文蔡志猛张永周笔林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中
- 文献传递
- 绒面结构对低成本多晶硅太阳电池性能的影响
- 2013年
- 采用化学腐蚀法在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,腐蚀液包括富HF的HNO3-HF-H2O溶液,富HNO3的HNO3-HF-H2O溶液和3%的碱腐蚀液.通过表面形貌SEM、反射谱和少子寿命的测试,详细地研究了不同腐蚀液制备的绒面的形貌、光学特征和少子寿命.最后在绒面的基础上制备了低成本多晶硅太阳电池,分析了绒面结构对电池性能的影响.结果表明,经过富HF的HNO3:HF:H2O溶液腐蚀后制备的低成本多晶硅电池的效率高于经其他两种腐蚀后所制备的电池效率.
- 张妹玉翁铭华周笔
- 关键词：多晶硅电池
- 多孔SiGe/Si异质材料微腔的结构设计与制备
- 2012年
- 提出了采用多孔SiGe/Si异质多层结构来获得布拉格反射镜方法.首先采用传输矩阵方法设计了多孔SiGe/Si异质材料微腔结构,并通过超高真空化学气相沉积与电化学阳极腐蚀相结合的方法实验制备了两种结构的微腔,同时对微腔进行光学性质表征,并详细讨论了实验结果.
- 周笔陈松岩李成
- 关键词：多孔微腔SIGESI
- 硅基硒纳米颗粒的发光特性研究
- 2013年
- 由于尺寸缩小引起的量子效应,硒(Se)材料的低维纳米结构具有更高的光响应和低的阈值激射等特性,因此成为纳米电子与纳米光电子器件领域一个重要的研究方向.本文通过对非晶硒薄膜的快速热退火来制备硒纳米颗粒,退火温度在100—180 C之间时,结晶后的硒纳米颗粒均为三角晶体结构,其颗粒尺寸随退火温度的增加而线性增大.光致发光谱测试发现三个发光峰,分别位于1.4 eV,1.7 eV和1.83 eV.研究发现位于1.4 eV处的发光峰来源于非晶硒缺陷发光,位于1.83 eV处的发光峰来源于晶体硒的带带跃迁发光;而位于1.7 eV处的发光峰强度随激发功率增强而指数增大,且向短波长移动,该发光峰应该来源于非晶硒与硒纳米颗粒界面处的施主-受主对复合发光.
- 潘书万陈松岩周笔黄巍李成赖虹凯王加贤
- 关键词：硅基光致发光
