包晓清
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：上海-AM基金上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 基于p型多孔硅的一维光子晶体的微结构分析被引量：1
- 2006年
- 经由阳极氧化实现了p型硅基的60周期(120层)反射结构,并在此基础上成功制作了基于一维光子晶体的全反射镜,其中心反射波长位于1.6μm左右,反射率几乎为100%的禁带带宽约为0.25μm。
- 包晓清钱敏王连卫朱自强
- 关键词：光子晶体阳极氧化多孔硅
- 一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术
- 本文研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功...
- 史明甫焦继伟包晓清冯飞杨恒李铁王跃林
- 关键词：离子束刻蚀
- 文献传递
- 硅基介孔和宏孔电化学刻蚀基础理论及应用研究
- 电化学刻蚀(ECE)是对半导体(包括硅)进行微加工的重要手段。由于该技术成本低并能完成深反应离子刻蚀(DRIE)难以实现的高深宽比结构的加工，该技术已在介观粒子的布朗棘轮、微纳米铸造模板、生物医学、微流体、发光材料、光子...
- 包晓清
- 一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术被引量：1
- 2006年
- 研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列。在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440nm.
- 史明甫焦继伟包晓清冯飞杨恒李铁王跃林
- 关键词：离子束刻蚀
- 氮化硅薄膜转移技术与多孔硅基一维光子晶体制备研究
- 本项目探索一种利用多孔硅作为分离层实现功能薄膜或由此构成的器件的衬底转移的技术并探索该技术在三维集成以及射频电路中的应用,并同时探索了多孔硅基一维光子晶体的制备及特性研究.第一章介绍了本课题的研究背景和研究内容.第二章简...
- 包晓清
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积光子晶体阳极氧化多孔硅
- 文献传递
- 多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法
- 本发明涉及一种多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法，其特征在于微针密度可达50％，微针针孔与基底垂直，阵列中微针为多根针头或单根针头，微针长度达100-200μm，针孔最小为2nm，且针孔的开口可在针头上方或侧面。本发明拟...
- 焦继伟宫昌萌包晓清王跃林
- 文献传递
- 多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法
- 本发明涉及一种多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法，其特征在于微针密度可达50％，微针针孔与基底垂直，阵列中微针为多根针头或单根针头，微针长度达100－200μm，针孔最小为2nm，且针孔的开口可在针头上方或侧面。本发明拟...
- 焦继伟宫昌萌包晓清王跃林
- 文献传递
