冯耀兰
- 作品数：33 被引量：41H指数：5
- 供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计被引量：5
- 2001年
- 在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。
- 冯耀兰魏同立张海鹏宋安飞罗岚
- 关键词：集成电路体硅优化设计
- CMOS数字集成电路的高温电学性能分析被引量：1
- 1993年
- 本文给出了CMOS倒相器的高温等效电路,分析了它的高温直流传输特性和瞬态特性。文章还讨论了CMOS静态数字集成电路高温电学特性的分析方法。本文提出的CMOS数字集成电路的高温电学特性模型和实验结果相接近。
- 柯导明童勤义冯耀兰
- 关键词：高温倒相器CMOS数字集成电路
- SOI材料MOS器件高温特性的模拟
- 1996年
- 本文介绍了ＳＯＩ材料ＭＯＳ器件内部特性（杂质浓度分布、载流子浓度分布、电流密度分布及电势分布）在３００Ｋ和５７３Ｋ条件下的模拟结果。
- 冯耀兰翟书兵
- 关键词：SOIMOS硅膜
- 硅材料基本物理参数的高温模型与计算被引量：1
- 1996年
- 介绍了硅材料本征载流子浓度ｎｉ、禁带宽度Ｅｇ、电子和空穴有效质量和及载流子迁移率μ的高温模型和计算结果。其中ｎｉ、Ｅｇ和、模型分别适用于３００～１２００Ｋ和３００～７００Ｋ，μ的模型在２５０～５００Ｋ定温区及１０１３～１０２０ｃｍ－３杂质浓度范围内，最大误差小于１３％。
- 冯耀兰翟书兵
- 关键词：硅材料物理参数
- MOS器件的最高工作温度及潜力开拓被引量：11
- 1994年
- 本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。
- 冯耀兰翟书兵张晓波柯导明
- 关键词：MOS器件工作温度半导体材料温敏特性
- 硅集成液体流量传感器
- 1991年
- 本文介绍了硅集成液体流量传感器的结构、工作原理和新颖的背面敏感封装技术。理论和实验结果表明,这种传感器具有很高的灵敏度,特别适合于液体小流量的测量。
- 冯耀兰童勤义黄金彪刘方悟骆志强
- 全文增补中
- 短沟道MOST阈值电压温度系数的分析被引量：5
- 1995年
- 本文分析了短沟道ＭＯＳＴ阈值电压在室温以上的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式。根据计算结果，可以得到如下结论：短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小．与长沟道ＭＯＳＴ相似，在一定的温区范围内，可以把短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数作为常数，用线性展开式来表达阈值电压的温度特性。
- 柯导明童勤义冯耀兰
- 关键词：阈值电压温度系数
- 热导式硅流量传感器温度性能的研究
- 1991年
- 本文从实验上研究了环境温度、流体温度和芯片温度对热导式硅流量传感器性能的影响。所得出的结果为有效的温度补偿提供了理论与实验的依据,并可望用于实际应用。
- 冯耀兰陈艳刘方悟黄金彪童勤义
- 关键词：热导式温度补偿
- 全文增补中
- MOS器件高温特性的解析模型和模拟被引量：1
- 1996年
- 详细研究了利用解析模型模拟器件特性的方法，提出了ＭＯＳ器件高温特性的解析模型及模拟程序的结构框图。模拟结果表明，漏结泄漏电流是影响ＭＯＳ器件高温特性的主要因素。
- 冯耀兰李丽
- 关键词：半导体器件MOS器件解析模型
- 宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法被引量：3
- 2001年
- 首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 。
- 冯耀兰宋安飞张海鹏樊路加
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管载流子迁移率
