郑茳
- 作品数：55 被引量：43H指数：3
- 供职机构：东南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程经济管理更多>>
- 半导体器件模型的改进迭代方法
- 1993年
- 考虑的半导体器件模型以Slotboom变量和电势为求解变量。求解泊松方程时,电子和空穴浓度由电流连续性方程的解得到,因而泊松方程是线性的,因此可以获得较满意的泊松方程的解,从而提高计算结果的精度。另外,在每—次Gummel循环开始,迭代初值进行一次修正,即经过Gummel迭代得到的电子和空穴浓度值,不直接用作下一次迭代的初值,而先进行极小化处理,从而加快了收敛速度。最后,给出了一个数值例子。
- 曹俊诚郑茳魏同立黄流兴
- 关键词：迭代法收敛速度半导体器件
- 硅低温双极晶体管的优化设计与制备──Ⅱ结构与电特性分析
- 1995年
- 本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上，实现了结构设计和工艺选择，采用多晶硅发射极技术，研制成功了７７Ｋ下高增益（Ｈ＿（ＦＥ）可达２５０）硅双极晶体管；采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与ＣＭＯＳ结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。
- 郑茳肖志雄吴金魏同立
- 关键词：双极晶体管多晶硅发射极硅器件
- 超薄的金属/LB绝缘膜/半导体结构的C—V和I-V特性被引量：1
- 1990年
- 本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调整肖特基器件势垒高度。
- 郑茳林慈孟江生魏同立韦钰
- 关键词：C-V特性I-V特性
- 微电子学的发展前景
- 1995年
- 微电子学的发展前景ＰｒｏｓｐｅｃｔｓｆｏｒｔｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ￥／／许居衍（中国华晶电子集团公司，教授无锡２１４０６１）郑茳（东南大学无锡分校，教授无锡２１４０６１）一、硅技术发展逻辑一切技术的发展，都要受...
- 许居衍郑茳
- 关键词：微电子学电子器件
- 硅双极晶体管1/f噪声的物理机制
- 1993年
- 在低频下,1/f噪声是硅双极晶体管的主要噪声。到目前为止,一般认为,1/f噪声有二种来源:表面态的存在和体内自由载流子迁移率的涨落。这两种1/f噪声有不同的表现形式。目前还没有统一的模型来描述1/f噪声,这是由于对1/f噪声的物理机理还没有一个完整、统一的理论。本文对已见发表的1/f噪声主要研究结果作了评述。
- 赵宇郑茳魏同立吴金
- 关键词：双极晶体管硅器件
- 重掺杂硅物理参数的低温特性分析被引量：1
- 1995年
- 本文考虑了杂质重掺杂引起的禁带变窄效应，提出了新的电离率和有效多数载流子浓度的数学模型，并应用于由发射效率决定的硅双极晶体管电流增益的计算，所获得的计算结果与实验相符合。这为硅低温半导体器件的设计提供了理论基础。
- 肖志雄郑茳魏同立王明网卓伟吴金
- 关键词：硅物理参数掺杂
- 硅低温双极型晶体管电流增益的分析
- 1990年
- 从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温度下降而下降,下降程度随工作电流的减小而增强.发射区采用轻掺杂技术以减小禁带变窄量,并考虑载流子冻析效应,可获得适于低温工作的硅双极晶体管.
- 魏同立郑茳冯耀兰
- 关键词：晶体管硅电流增益双极型
- 全文增补中
- 扫描探针在微电子技术中的应用被引量：3
- 1995年
- 本文概述了扫描探针显微镜在微电子技术中的应用，提出了扫描探针微电子学的概念和研究内容。可以相信这一领域的最终目标将是促进微电子技术经深亚微米向纳米电子学还进。
- 朱伟民王继华郑茳陆祖宏
- 关键词：扫描探针微电子学
- 77K多晶硅发射区双极型晶体管被引量：3
- 1992年
- 本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨论了在不同注入情况下,浅能级杂质的陷阱作用对截止频率的影响。
- 郑茳王曙王燕吴金魏同立童勤义
- 关键词：硅双极晶体管发射区
- MLS结构的物理与电性能分析
- 1994年
- 本文从器件物理角度出发，深入研究了ＭＬＳ结构的Ｃ－Ｖ、Ｉ－Ｖ、界面、体内电荷、击穿等电学性能，并研制成功了一种新型的具有优良电性能的ＭＬＳ结构场效应晶体管，所得实验结果与理论相吻合。
- 吴金郑茳魏同立
- 关键词：场效应晶体管
