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党李莎

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电流
  • 4篇电流密度
  • 4篇电路
  • 4篇势垒
  • 4篇数字电路
  • 3篇功率开关
  • 3篇HEMT器件
  • 3篇MIS
  • 3篇大功率
  • 3篇大功率开关
  • 1篇导体
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇淀积
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结材料
  • 1篇应力
  • 1篇迁移率
  • 1篇结构应力

机构

  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 5篇党李莎
  • 4篇张进成
  • 4篇王冲
  • 4篇孟凡娜
  • 4篇马晓华
  • 4篇郝跃
  • 4篇张琳霞
  • 3篇艾姗
  • 3篇姜腾
  • 2篇鲁明
  • 2篇霍晶
  • 2篇侯耀伟
  • 2篇赵胜雷
  • 1篇周昊
  • 1篇李小刚

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件的阈值电压低及其可控行性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型Al...
张进成张琳霞郝跃王冲马晓华孟凡娜侯耀伟党李莎艾姗李小刚鲁明
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高K介质对GaN基异质结的影响
GaNHEMT器件主要利用异质结界面处高迁移率、高密度的二维电子气(2DEG)工作。这些2DEG主要是由极化效应产生，相应地表面存在大量的补偿正电荷。这些表面正电荷在器件制造或器件工作时会受到其表面覆盖物的显著影响，如表...
党李莎
关键词：结构应力电学特性
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基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件电流密度低及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层(3)的中间...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲霍晶艾姗党李莎孟凡娜姜腾赵胜雷
文献传递
基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件电流密度低及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层(3)的中间...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲霍晶艾姗党李莎孟凡娜姜腾赵胜雷
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MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件阈值电压低及其可控性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)和N型AlGaN主势垒层(4...
张进成张琳霞郝跃王冲马晓华党李莎鲁明周昊孟凡娜侯耀伟姜腾
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