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亢国纯

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇电极
  • 1篇有源
  • 1篇载流子
  • 1篇图形化
  • 1篇芯片
  • 1篇功率
  • 1篇功率发光二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇大功率
  • 1篇大功率发光二...

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张宝顺
  • 1篇亢国纯
  • 1篇蔡勇
  • 1篇王玮

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
具有改良结构的大功率发光二极管
本发明公开了一种具有改良结构的大功率发光二极管，包括从上到下依次叠设的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和有源层的局部区域形成窗口，令第二半导体层的局部区域自所述窗口中露出，且使第一半导体层和有源层的其...
亢国纯王玮蔡勇张宝顺
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