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王玮

作品数：15 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇电器件
  • 7篇光电
  • 7篇光电器件
  • 6篇功率
  • 6篇大功率
  • 5篇芯片
  • 5篇超大功率
  • 4篇单胞
  • 4篇长宽比
  • 3篇图形发生器
  • 3篇微腔
  • 3篇微腔激光器
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇光束
  • 3篇半导体
  • 3篇薄膜应力
  • 2篇使节
  • 2篇探测器
  • 2篇热分布

机构

  • 15篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇无锡晶凯科技...

作者

  • 15篇王玮
  • 12篇张宝顺
  • 9篇蔡勇
  • 3篇黄永箴
  • 3篇杨跃德
  • 3篇王逸群
  • 3篇肖金龙
  • 3篇张永红
  • 3篇朱建军
  • 3篇方运
  • 1篇亢国纯

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
回音壁-FP-侧向光栅耦合腔半导体激光器
本发明提供了一种回音壁‑FP‑侧向光栅耦合腔半导体激光器，包括：N面电极；下接触层，形成在N面电极上；N型衬底，形成在下接触层上；回音壁‑FP‑侧向光栅耦合腔，形成在N型衬底上，其中，回音壁‑FP‑侧向光栅耦合腔包括回音...
绳梦伟黄永箴郝友增王玮杨跃德肖金龙
半导体微腔激光器阵列
本公开提供的半导体微腔激光器阵列包括控制端，由正方形微腔集成，用于产生光信号；处理端，由正方形微腔集成，用于补偿光信号的损耗；波导，用于将控制端和处理端直接连接构成阵列，实现光信号的传输；电隔离槽，设于控制端和处理端之间...
杨珂黄永箴王玮杨跃德肖金龙
平衡热场分布的超大功率光电器件
一种平衡热场分布的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，该芯片的外延层包括彼此隔离的若干单胞，该等单胞相互串联或并联，其中至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，并且该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和/或一...
王玮蔡勇张宝顺
文献传递
平衡热场分布的超大功率光电器件
一种平衡热场分布的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，该芯片的外延层包括彼此隔离的若干单胞，该等单胞相互串联或并联，其中至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，并且该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和/或一...
王玮蔡勇张宝顺
文献传递
一种改善热分布集中的超大功率光电器件
一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，芯片的外延层包括彼此隔离的多个单胞，该等单胞相互串联或并联，且该等单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和...
王玮蔡勇张宝顺
文献传递
具有垂直光路结构的薄膜应力测量装置及其应用
本发明揭示了一种具有垂直光路结构的薄膜应力测量装置及其应用。该薄膜应力测量装置包括多光束图形发生器以及光束位置探测器，所述多光束图形发生器与所述光束位置探测器互相垂直排布。本发明提高了薄膜应力测量精度，简化了薄膜应力测量...
方运王逸群王玮朱建军张永红张宝顺
文献传递
盖帽层粗化光电器件的制备方法
本发明公开了一种盖帽层粗化光电器件的制备方法，包括：提供具有粗化结构的模板，并将所述模板与用以形成光电器件盖帽层的有机涂覆层结合，使模板上的粗化结构转移至有机涂覆层，而后对有机涂覆层进行固化处理，并将模板与有机涂覆层分离...
王玮蔡勇张宝顺
文献传递
一种改善热分布集中的超大功率光电器件
一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，芯片的外延层包括彼此隔离的多个单胞，该等单胞相互串联或并联，且该等单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和...
王玮蔡勇张宝顺
文献传递
具有改良结构的大功率发光二极管
本发明公开了一种具有改良结构的大功率发光二极管，包括从上到下依次叠设的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和有源层的局部区域形成窗口，令第二半导体层的局部区域自所述窗口中露出，且使第一半导体层和有源层的其...
亢国纯王玮蔡勇张宝顺
文献传递
ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制被引量：4
2012年
深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。
王玮蔡勇张宝顺黄伟李海鸥
关键词：电感耦合等离子体刻蚀氮化镓射频功率
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共2页<12>
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