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东熠

作品数：4 被引量：7H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇砷化镓
  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇钝化
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇微电子
  • 1篇截止频率
  • 1篇晶体管
  • 1篇SIN
  • 1篇XGA
  • 1篇ALGAAS
  • 1篇ALGAAS...

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇机电部

作者

  • 4篇东熠
  • 1篇肖军锋
  • 1篇吴洪江
  • 1篇刘玲
  • 1篇刘贵增
  • 1篇李献杰
  • 1篇廖斌
  • 1篇曾庆明
  • 1篇蔡克理
  • 1篇曾庆明

传媒

  • 4篇半导体情报

年份

  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1991
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
蓬勃发展的GaAs MMIC──1994 IEEE GaAs IC讨论会侧记被引量：6
1995年
本文简要介绍了１９９４年ＧａＡｓＩＣ讨论会概况以及所展示的ＧａＡｓＭＭＩＣ的进展，并侧重于其应用领域的介绍。
东熠
关键词：砷化镓微波单片集成电路IEEE微电子
高截止频率异质结双极晶体管的研制
1991年
本文介绍了研制异质结双极晶体管(HBT)的工艺过程。使用MOCVD生长的GaAlAs/GaAs多层结构外延材料,采用离子注入隔离和湿法腐蚀技术,实现基极与发射极台面自对准工艺,研制出截止频率为22GHz的HBT。
曾庆明东熠李晨宋东波张克强
关键词：异质结双极晶体管
GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究被引量：1
1996年
分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。
李献杰曾庆明东熠蔡克理
关键词：钝化砷化镓
AlGaAs／GaAs　HBT集成电路的CAD
1996年
介绍了一套用于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ集成电路的ＣＡＤ软件，它可完成ＨＢＴ的器件模拟、模型参数提取及电路模拟。应用该软件对ＨＢＴ运算放大器进行了模拟，为电路的研制提供了依据。
刘玲肖军锋吴洪江东熠刘贵增廖斌
关键词：ALGAAS砷化镓HBTCAD集成电路
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