黄雪琛
- 作品数：12 被引量：3H指数：1
- 供职机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- BaTiO3-(Na1/4Bi3/4)(Mg1/4Ti3/4)O3介电陶瓷的制备及改性研究
- 用传统固相法制备了(1-x)BaTiO3-x(Na1/4Bi3/4)(Mg1/4Ti3/4)O3(BT-NBMT)(x=0.05,0.1,0.2,0.3,0.35)陶瓷,通过阿基米德法测试陶瓷体系的体积密度,确定陶瓷的最...
- 黄雪琛刘韩星王志建许琪张琳郝华曹明贺
- 关键词：温度稳定性NB2O5
- 一种高介电常数X8R型电容器陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种高介电常数X8R型电容器陶瓷材料，它由基质组分和掺杂组分组成，基质组分的化学分子式为aBaTiO<Sub>3</Sub>-bNa<Sub>0.5</Sub>Bi<Sub>0.5</Sub>TiO<Sub>...
- 刘韩星归冬云孙玥郝华曹明贺余志勇郭丽玲尧中华黄雪琛
- 宽温高稳定性BaTiO3-BiYO3介电陶瓷的制备与改性研究
- 多层陶瓷电容器(MLCC)是电子信息技术的基础器件，目前广泛应用的X7R材料只能在125℃以下使用，无法满足更高温度介电性能的稳定性要求。在航天航空、汽车工业、军事移动通讯等特殊领域的应用中，要求其工作温度上限提高到15...
- 黄雪琛
- 关键词：多层陶瓷电容器介电性能
- BaTiO3-(Na1/4Bi3/4)(Mg1/4Ti3/4)O3介质陶瓷的结构、性能及其掺杂改性机理研究
- 多层陶瓷电容器(MLCC)是电子信息技术的重要基础元器件，广泛应用于电子信息技术领域。钛酸钡(BaTiO3)具有很高的介电常数及长寿命的绝缘特性而被用于多层陶瓷电容器。本论文以改善钛酸钡的温度稳定性、提高介电常数以及降低...
- 黄雪琛
- 关键词：多层陶瓷电容器改性机理
- 高介电常数X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法
- 本发明涉及一种高介电常数X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法，该材料化学式为0.9BaTiO<Sub>3</Sub>‑0.1Na<Sub>0.5</Sub>Bi<Sub>0.5</Sub>TiO<Sub>3</S...
- 刘韩星孙玥张树君郝华曹明贺黄雪琛严海伦
- 文献传递
- 一种用于多层陶瓷电容器的介质材料及其制备方法
- 本发明主要用于电子元器件的陶瓷材料技术领域，涉及到一种用于多层陶瓷电容器的介质材料，由基质组分和掺杂组分组成，基质组分的化学表达式为(1-x)BaTiO<Sub>3</Sub>-x(Na<Sub>1/4</Sub>Bi<...
- 刘韩星黄雪琛郝华梁庆荣许琪曹明贺王志建胡伟
- 文献传递
- Bi掺杂BaTiO_3陶瓷缺陷性质的第一性原理研究被引量：3
- 2014年
- 采用第一性原理计算了Bi掺杂BaTiO3陶瓷3种不同的晶格缺陷结构,分别为单独的BiBa掺杂缺陷模式(BTB模型),1个BiBa掺杂缺陷与1个VBa钡空位同时存在(BTB1模型),符合化学计量比的BiBa掺杂缺陷与VBa钡空位缺陷模式(BTB2模型)。BTB模型显示缺陷结构是由施主掺杂机制控制的,Bi与周围的O原子形成典型的离子键,Ti 4+被还原成Ti 3+。在BTB1模型中钡空位的存在则影响了Bi在晶格中与O的相互作用,Bi偏离初始的中心位置,与邻近的3个氧原子形成了弱的共价键,而正是由于这些弱的共价键导致缺陷附近的[TiO6]八面体产生较大畸变,削弱了Ti 4+的极化能力,使缺陷附近的[TiO6]八面体极化能力减弱,此时缺陷结构是由Ba2+离子空位补偿机制控制的。而BTB2模型可以看成是BTB模型与BTB1模型的叠加,因此缺陷结构是由施主掺杂机制与Ba2+离子空位补偿机制共同控制的。
- 张文芹黄雪琛
- 关键词：BATIO3
- 一种高介电常数X8R型电容器陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种高介电常数X8R型电容器陶瓷材料，它由基质组分和掺杂组分组成，基质组分的化学分子式为aBaTiO<Sub>3</Sub>-bNa<Sub>0.5</Sub>Bi<Sub>0.5</Sub>TiO<Sub>...
- 刘韩星归冬云孙玥郝华曹明贺余志勇郭丽玲尧中华黄雪琛
- 文献传递
- 一种超宽温高稳定无铅电容器陶瓷介质材料及其制备方法
- 本发明涉及一种超宽温高稳定无铅电容器陶瓷介质材料及其制备方法，它包含基体和包覆层，所述基体的化学组成为BaTiO<Sub>3</Sub>，所述包覆层的化学组成为0.3BiAlO<Sub>3</Sub>-0.7BaTiO<...
- 郝华刘梦颖刘韩星王婷孙玥黄雪琛曹明贺尧中华余志勇
- 文献传递
- 一种高温稳定无铅电容器陶瓷介质材料及其制备方法
- 本发明涉及一种高温稳定无铅电容器陶瓷介质材料及其制备方法。该介质材料的化学组成包含基质成分和掺杂成分，基质成分为xBi(Zn<Sub>1/2</Sub>Ti<Sub>1/2</Sub>)O<Sub>3</Sub>-(1-...
- 郝华舒鑫刘韩星张成江孙玥黄雪琛曹明贺尧中华余志勇
- 文献传递
