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尧中华

作品数：110 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：化学工程电气工程一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 96篇专利
  • 10篇会议论文
  • 4篇学位论文

领域

  • 20篇化学工程
  • 14篇电气工程
  • 9篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 77篇陶瓷
  • 35篇电容
  • 35篇电容器
  • 35篇介电
  • 24篇介质陶瓷
  • 21篇介质材料
  • 21篇瓷粉
  • 19篇陶瓷粉
  • 19篇介电常数
  • 19篇粉体
  • 17篇SUB
  • 16篇陶瓷粉体
  • 16篇储能
  • 15篇电损耗
  • 15篇介电损耗
  • 13篇多层陶瓷
  • 13篇多层陶瓷电容
  • 13篇多层陶瓷电容...
  • 13篇陶瓷电容
  • 13篇陶瓷电容器

机构

  • 110篇武汉理工大学

作者

  • 110篇尧中华
  • 106篇刘韩星
  • 102篇郝华
  • 102篇曹明贺
  • 33篇余志勇
  • 13篇许琪
  • 10篇王志建
  • 7篇孙玥
  • 6篇熊博
  • 6篇陈程
  • 6篇李天明
  • 5篇郭丽玲
  • 5篇黄雪琛
  • 4篇归冬云
  • 4篇王婷
  • 4篇刘洋
  • 4篇张琳
  • 4篇苏聪
  • 3篇陈磊
  • 3篇赵杰峰

年份

  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 11篇2021
  • 7篇2020
  • 10篇2019
  • 9篇2018
  • 5篇2017
  • 10篇2016
  • 9篇2015
  • 15篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2006
  • 1篇2005
共 110 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有稳定缺陷结构的钛酸锶钙基储能陶瓷及其制备方法
本发明涉及一种具有稳定缺陷结构的钛酸锶钙基储能陶瓷及其制备方法。其以Sr<Sub>0.98</Sub>Ca<Sub>0.02</Sub>TiO<Sub>3</Sub>陶瓷为基体材料，通过Ti位引入一定量的Nb；同时，在T...
曹明贺周亮刘韩星郝华尧中华
一种超高放电储能密度的介质薄膜及其制备方法
本发明提供一种超高放电储能密度的介质薄膜及其制备方法：其化学式为BiMg<Sub>0.5</Sub>Ti<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中x=0.50~0.85，其在室温下的耐电压强度高达5000k...
刘韩星谢鹃尧中华郝华曹明贺谢颜江
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一种高击穿强度脉冲功率电容器陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种高击穿强度脉冲功率电容器介质材料，所述高击穿强度脉冲功率电容器介质材料的通式为Ba<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>0.7</Sub>TiO<Sub>3</Sub>‑xwt％ZnNb<Sub>2</...
刘韩星樊平成饶云郝华曹明贺尧中华
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一种氟化物和硫化物双重包覆三元正极材料的方法
本发明提供了一种通过氟化铜和硫化铜双重包覆三元正极材料的方法，属于锂离子电池技术领域。该方法首先将铜源溶于无水乙醇与乙二醇的混合溶液中，然后加入三元正极材料均匀分散后，缓慢滴入氟化铵的甲醇溶液以及硫源的水溶液，加热反应数...
余志勇宋伟刘韩星黄娟尧中华曹明贺郝华
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一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料及其制备方法。所述X7R电容器陶瓷材料组成为0.3BiAlO<Sub>3</Sub>‑0.7BaTiO<Sub>3</Sub>+xmol％MnO<Sub>2</Sub>+y...
郝华程旷男赖昕刘韩星曹明贺尧中华
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一种氢氧化铬包覆铬酸铬的锂原电池正极材料及其制备方法
本发明涉及一种氢氧化铬包覆铬酸铬的锂原电池正极材料及其制备方法。该锂原电池正极材料包括Cr<Sub>2</Sub>(Cr<Sub>2</Sub>O<Sub>7</Sub>)<Sub>3</Sub>主体材料和Cr(OH)<...
余志勇张晓燕刘韩星尧中华曹明贺郝华
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一种XnR宽温高稳定的BaTiO<Sub>3</Sub>基介质陶瓷及其制备方法
本发明涉及一种XnR宽温高稳定的BaTiO<Sub>3</Sub>基介质陶瓷及其制备方法。该介质材料的化学组成为(1‑y)BaTi<Sub>1‑x</Sub>Ca<Sub>x</Sub>O<Sub>3‑x</Sub>‑y...
郝华杨洋刘韩星罗智平陈程曹明贺尧中华
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一种高储能密度的钛酸钡基介质薄膜及其制备方法
本发明提供一种高储能密度钛酸钡基介质薄膜及其制备方法。该介质薄膜的化学式为xBi(Zn<Sub>1/2</Sub>Zr<Sub>1/2</Sub>)O<Sub>3</Sub>‑(1‑x)BaTiO<Sub>3</Sub>...
郝华吕佳浩蒋雪雯刘振曹明贺尧中华刘韩星
一种抗还原BaTiO<Sub>3</Sub>基介质陶瓷及制备方法
本发明涉及一种抗还原BaTiO<Sub>3</Sub>基介质陶瓷及制备方法。该介质陶瓷的化学式为(1‑x)BaTiO<Sub>3</Sub>‑xBi(Zn<Sub>1/2</Sub>Y<Sub>1/2</Sub>)O<S...
郝华罗智平刘韩星陈程赖昕张东升曹明贺尧中华
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一种无铅高介电常数储能介质陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种无铅高介电常数储能介质陶瓷材料及其制备方法，该介质材料的化学式为(1-x)BaTiO<Sub>3</Sub>-xCaSnO<Sub>3</Sub>，其中x＝0.11～0.15，其制备方法为：1)以BaCO<...
刘韩星周蓓郝华曹明贺尧中华王婷许琪
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