您的位置： 专家智库 > >

鲁明

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇导体
  • 2篇电流
  • 2篇电流密度
  • 2篇电路
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇异质结
  • 2篇势垒
  • 2篇数字电路
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶体管
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇半导体
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化物半导体
  • 1篇氮化镓
  • 1篇淀积
  • 1篇异质结材料
  • 1篇异质结构材料

机构

  • 4篇西安电子科技...

作者

  • 4篇鲁明
  • 3篇张进成
  • 3篇孟凡娜
  • 3篇郝跃
  • 2篇王冲
  • 2篇党李莎
  • 2篇马晓华
  • 2篇侯耀伟
  • 2篇张琳霞
  • 1篇艾姗
  • 1篇周昊
  • 1篇姜腾
  • 1篇林志宇
  • 1篇李小刚

传媒

  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件的阈值电压低及其可控行性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型Al...
张进成张琳霞郝跃王冲马晓华孟凡娜侯耀伟党李莎艾姗李小刚鲁明
文献传递
三沟道AlGaN/GaN异质结材料与器件研究
由于在高温、高频、大功率、高击穿场强等方面得天独厚的优势，GaN基材料和器件受到众多学者的广泛研究，被认为在微波毫米波功率器件方面有很好的应用前景。经过多年发展，人们对GaN材料及其形成的各种异质结的生长机理的理解越米越...
鲁明
关键词：铝镓氮氮化镓异质结材料高电子迁移率晶体管
文献传递
氮化物多异质结构材料与器件研究
以GaN为代表的氮化物半导体由于具有宽禁带宽度、高击穿场强、强极化效应等材料特性,特别是GaN异质结构中极高密度的二维电子气特性,共同促使氮化物半导体成为制造微波毫米波功率器件和高压电力电子器件的理想技术之一。然而在氮化...
张进成郝跃孟凡娜鲁明林志宇
关键词：氮化物半导体异质结构材料
文献传递
MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件阈值电压低及其可控性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)和N型AlGaN主势垒层(4...
张进成张琳霞郝跃王冲马晓华党李莎鲁明周昊孟凡娜侯耀伟姜腾
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0