您的位置： 专家智库 > >

隋明晓

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金：山东省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术

主题

  • 2篇退火
  • 2篇溅射
  • 2篇PBTE
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇碲化铅
  • 1篇纳米
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇XRD
  • 1篇X射线衍射分...

机构

  • 3篇山东师范大学

作者

  • 3篇隋明晓
  • 2篇曹文田
  • 2篇任伟
  • 1篇王书运

传媒

  • 1篇理化检验（物...
  • 1篇山东师范大学...

年份

  • 3篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
射频磁控溅射法制备碲化铅薄膜的X射线衍射分析
2010年
采用射频磁控溅射法,在单面抛光的Si(111)衬底上制备了PbTe薄膜,利用X射线衍射法分析了溅射工艺参数如溅射功率、溅射时间、衬底温度以及退火温度对PbTe薄膜的结晶质量的影响。结果表明:在溅射功率为30W,溅射时间为10 min,衬底未加热时制备的薄膜具有最好的〈100〉方向的择优取向性;退火处理可以改善薄膜的结晶质量,并且退火温度越高,薄膜的结晶质量越好。
隋明晓曹文田王书运任伟
关键词：XRD射频磁控溅射
磁控溅射PbTe纳米材料的制备、表征及特性研究
铅的硫属化合物/(PbS、PbSe和PbTe/)是一种窄带隙半导体,广泛应用于红外探测器、二极管激光器以及热电器件等领域。PbTe为一种具有岩盐结构的窄带隙半导体,其带隙宽度为0.31 eV。PbTe的量子效率高,在工作...
隋明晓
关键词：PBTE磁控溅射纳米退火
文献传递
RF磁控溅射法制备PbTe纳米薄膜被引量：1
2010年
利用RF磁控溅射和真空退火方法制备了PbTe纳米薄膜．利用SEM、XRD、AFM和FTIR分别对制备的样品的表面形貌和颗粒大小、结构以及带隙宽度进行了测试．结果显示，在10W溅射功率下制备的PbTe纳米薄膜为纳米颗粒镶嵌薄膜，在20W功率下为PbTe颗粒膜．10W制备的纳米颗粒的平均直径为40nm左右，平均高度为5nm；20W制备的颗粒直径为100—400nm，平均高度为65nm；两个条件下制备的样品均表现出明显的〈100〉方向的择优取向性，并且20W的结晶质量比10W的好．FTIR分析显示10W和20W制备的薄膜的带隙宽度分别为0．340eV和0．343eV，都比块体带隙宽度大．
任伟曹文田隋明晓
关键词：PBTE退火
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0