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阮芳芳

作品数：19 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
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相关领域：理学核科学技术医药卫生化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇理学
  • 2篇核科学技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 9篇原子
  • 8篇电荷态
  • 8篇高电荷态
  • 8篇高电荷态离子
  • 7篇离子
  • 4篇原子碰撞
  • 4篇射线
  • 4篇X射线
  • 3篇空心原子
  • 3篇X射线谱
  • 3篇AR
  • 3篇玻尔
  • 3篇O
  • 2篇团簇
  • 2篇能谱
  • 2篇离子-原子碰...
  • 2篇Q+
  • 2篇ZR
  • 2篇HIRFL-...
  • 2篇KEV

机构

  • 19篇中国科学院近...
  • 7篇兰州大学
  • 5篇中国科学院研...
  • 2篇咸阳师范学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 19篇阮芳芳
  • 14篇蔡晓红
  • 13篇于得洋
  • 9篇卢荣春
  • 9篇邵曹杰
  • 7篇宋张勇
  • 7篇王伟
  • 5篇杨治虎
  • 5篇张明武
  • 5篇陈婧
  • 5篇武晔虹
  • 5篇薛迎利
  • 5篇崔莹
  • 4篇杜娟
  • 4篇刘俊亮
  • 4篇邵健雄
  • 4篇朱可欣
  • 3篇高志民
  • 3篇李明生
  • 3篇张红强

传媒

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年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高电荷态离子Arq＋与Nb作用产生的X射线谱被引量：2
2009年
利用光谱技术在超导离子源SECRAL上研究了10～20keV．q的Arq＋（q=16，17）离子入射在金属Nb表面产生的X射线谱．实验结果表明，高电荷态Ar16＋离子在金属表面中性化过程中存在着多电子激发，Ar16＋的K壳层电子被激发产生空穴，级联退激发射Ar的Kα特征X射线．Ar空心原子的K层发射X射线的强度随入射离子的动能减弱，靶原子Nb的L层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强．Ar17＋单离子的Kα-X射线产额比Ar16＋单离子的Kα—X射线产额大3个数量级．
杨治虎崔莹陈熙萌宋张勇张红强邵健雄阮芳芳杜娟刘玉文高志民张小安朱可欣于得洋蔡晓红
关键词：高电荷态离子空心原子X射线
高电荷态离子与表面相互作用的溅射离子能谱
溅射研究始于1853年阴极溅射的发现[1].目前,溅射研究主要集中在低能(0.01～100 keV)离子诱发中性粒子、X射线以及电子的产额和能谱上,主要由撞击碰撞和线性级联碰撞引起[1,2].现有的理论模型不能解释实验结...
杨变阮芳芳于得洋王伟陈婧武晔虹张明武蔡晓红
近玻尔速度高电荷态离子与表面作用诱发的溅射离子能谱
近玻尔速度高电荷态离子在物质表面诱发的溅射离子能谱研究在理论和实验上尚是一片空白。本工作针对溅射离子能谱测量，设计、建立了一台径向位置灵敏127°柱形静电离子能谱仪。该谱仪结合位置灵敏探测器，克服了传统静电谱仪只能通过扫...
阮芳芳
关键词：能谱高电荷态离子
C^(q+)和O^(q+)与原子碰撞的电子俘获过程的理论研究被引量：2
2007年
在ECPSSR理论的基础上,利用OBKN近似描述电子俘获过程,得到了包括电子俘获过程贡献的ECPSSR理论,编写了相应的计算程序。采用该程序计算了不同电荷态离子与多种靶原子碰撞的电子俘获截面和相应的X射线产生截面,将计算得到的包含电子俘获过程贡献的X射线产生截面与实验结果进行了比较。对于具有满K壳层的入射离子碰撞,X射线产生截面与入射离子电荷态基本无关;对于以直接电离为主导的碰撞过程,计算得到的X射线产生截面与实验数据符合得很好;对于全裸和单K空穴入射离子的碰撞,计算高估了X射线产生截面。
李明生阮芳芳蔡晓红
300和600keV O^(7+)离子与宏观玻璃管的相互作用
2014年
实验研究了300和600 ke V的O7+离子与宏观玻璃管内壁的相互作用,利用位置灵敏法拉第筒测量了传输离子的偏转角和传输效率随倾斜角的变化关系,观察到偏转角不等于倾斜角的不完全导向现象。实验结果证实,高能入射离子在玻璃管内壁产生的沉积电势相对于入射离子动能横向分量较小,难以使传输离子沿着玻璃管的轴向出射,从而发生不完全导向现象;并且,入射离子的能量越高,导向效应越不明显。
武晔虹陈婧薛迎利刘俊亮张明武王伟杜凡阮芳芳邵曹杰卢荣春于得洋蔡晓红
关键词：偏转角
利用HIRFL-CSR开展分子离子复合离解研究的可行性分析被引量：1
2010年
介绍了储存环高精度分子谱学研究的科学意义、国内外研究现状和利用HIRFL-CSR开展该项研究的优势,着重论证了HIRFL-CSR分子离子注入实验环的总体设计方案和技术方案。通过在HIRFL-CSR实验环上增建一条分子离子注入线,将实验环改造成能兼顾现有物理实验和大分子物理研究的综合性研究平台,为分子离子复合离解研究提供良好的技术支撑。特别是质量数大于70的分子离子,能显著提高其能量分辨。
蔡晓红于得洋杨建成冒立军阮芳芳卢荣春邵曹杰宋明涛薛迎利王伟
关键词：储存环分子离子
Ar^(16＋)与Zr作用产生的X射线谱
2008年
本工作对超导离子源(SECRAL)上的10~20 kV/q Ar16+和Ar17+入射到金属Zr表面进行实验研究。实验结果表明,高电荷态Ar16+在金属表面存在着多电子激发过程。Ar空心原子的K层发射X射线强度随入射离子的动能减少,靶原子Zr的L壳层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强。Ar17+单离子的K-αX射线产额比Ar16+单离子的K-αX射线产额大5个数量级。
杨治虎崔莹阮芳芳邵健雄杜娟宋张勇朱可欣于得洋陈熙萌
关键词：高电荷态离子空心原子X射线
95MeV/u全裸氙离子与氪、氙原子碰撞的电子俘获
电子俘获过程有辐射电子俘获(REC)和非辐射电子俘获(NRC)两种相互竞争的机制[1].REC是指靶电子直接跃迁至离子束缚态，同时发出一个光子带走多余的能量和动量以满足守恒定律.NRC是指靶电子转移至离子束缚态的同时，将...
杨变于得洋蔡晓红邵曹杰薛迎利王伟张明武刘俊亮宋张勇卢荣春阮芳芳武晔虹
关键词：离子-原子碰撞
应用ECPSSR理论研究重离子引起原子的内壳层电离
2007年
ECPSSR理论是解释离子-原子碰撞内壳层电离最成功的理论之一.我们用VISUAL FORTRAN编写了ECPSSR理论计算程序,修正了ISICS程序中的错误,本程序可以对各种入射离子与靶原子的组合进行计算,给出K,L,M的壳层及次壳层电离截面以及相应的X射线产生截面,并根据需要选择是否对入射离子运动进行相对论修正.采用所编写的程序计算了一些碰撞体系的电离截面和X射线产生截面,并与其他程序的计算结果和实验数据分别进行了比较.
李明生阮芳芳蔡晓红
关键词：离子-原子碰撞
在刻度Si(Au)面垒半导体探测器中发现的一个问题及其解决方法
2007年
在刻度Si(Au)面垒半导体探测器过程中观察到241Am标准放射源的的峰道址随入射窗的位置及大小的移动现象。猜测原因可能是Au层镀的不均匀导致电子-空穴对的复合几率增加,但具体原因仍需要进一步分析。由于这对重离子-原子碰撞实验中测量背散射谱极为不利,我们给出解决该问题的方法是固定入射窗的位置及大小,并刻度两套背散射谱仪,其对称放置在靶室内同时测量背散射离子,通过比较便可得到可信的实验结果。
宋张勇杨治虎阮芳芳张宏强邵健雄崔莹谢江山高志民邵曹杰卢荣春蔡晓红
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