赵青兰
- 作品数：59 被引量：80H指数：7
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- 相关领域：电子电信理学建筑科学医药卫生更多>>
- 一种连续波磁控管用铼掺杂钨基合金阴极研究
- 了一种铼掺杂钨基合金阴极,并对铼掺杂比例进行了优化,发现铼掺杂重量百分比为5wt％时,该合金阴极拥有最大的二次电子发射系数,其值为1.8,相比于纯钨粉烧结阴极能够提高80％.对5wt％铼掺杂钨基合金阴极的热发射进行了研究...
- 漆世锴王小霞罗积润胡明炜赵青兰李云张琪
- 关键词：磁控管使用寿命
- 电解-电镀Ni粉对氧化物阴极性能的影响被引量：1
- 2010年
- 主要介绍一种电解-电镀Ni粉对氧化物阴极性能的影响,主要包括对该Ni粉及其制备阴极Ni海绵的形貌分析,采用飞行时间质谱法测试该Ni海绵的蒸发率,并对其制备氧化物阴极的发射性能进行寿命试验。结果表明:电解-电镀Ni粉形貌呈树枝状,制备Ni海绵疏松多孔,在相同温度及测试条件下,该Ni海绵的蒸发率比普通电解Ni粉制备Ni海绵的蒸发率小,制备阴极的寿命比普通Ni海绵的寿命长2～3倍。
- 王小霞赵青兰廖显恒罗积润王其富李云
- 关键词：飞行时间质谱氧化物阴极
- Hf栅极初始栅发射的研究
- 栅发射在栅控行波管中是较为普遍的现象，为了降低栅发射通常采用高逸出功金属作为栅极或在栅极表面沉积高逸出功物质或沉积能与蒸散到栅极上的活性物质反应形成高逸出功化合物的金属。本文直接采用纯金属Hf作为栅极，与普通Mo栅极对比...
- 赵青兰王小霞廖显恒李云
- 关键词：栅控行波管
- 文献传递
- 亚微米氧化物阴极的发射机理
- 本文采用SEM分析了一种亚微米氧化物阴极发射表面激活前后的微观形貌，采用XPS分析技术分析了该阴极激活后表面元素及化合态。SEM分析结果表明：亚微米氧化物阴极分解激活后比普通氧化物阴极获得较大的发射比表面积;XPS分析结...
- 王小霞廖显恒赵青兰王其富李云
- 关键词：电真空器件电子发射
- 文献传递
- 阴极热子组件
- 本实用新型提供了一种阴极热子组件。该阴极热子组件包括：帽状阴极；热子托屏，在帽状阴极和热子托屏之间形成加热空间；热子绝缘管阵列，设置于所设加热空间内，固定于热子托屏上，包括若干圈的呈中空管状的热子绝缘管，其中，每圈热子绝...
- 王小霞刘燕文张志强赵青兰李云张琪孟鸣凤
- 文献传递
- 一种制备镍钪海绵氧化物阴极的方法
- 本发明公开了一种制备镍钪海绵氧化物阴极的制备方法，涉及电真空技术，步骤为：将Sc粉按Ni粉质量百分比计小于5％与Ni粉研磨混合，制得Ni、Sc混合金属粉末；在阴极Ni基底上喷一层粘接剂，在粘接剂上覆Ni、Sc混合金属粉末...
- 王小霞张敏赵青兰廖显恒李云张琪
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- 新型贮存式氧化物阴极寿命机理的初步探讨被引量：7
- 2009年
- 对一种新型贮存式氧化物阴极及一种普通氧化物阴极进行了寿命实验,采用XPS分析技术对这两种阴极寿命中不同涂层深度的Ba浓度进行对比分析,结合新型贮存式阴极结构及贮存发射材料的性质对这种阴极的寿命机理进行了探讨.结果表明,新型贮存式氧化物阴极的寿命是普通氧化物阴极的7倍,同时发现新型贮存式氧化物阴极涂层深处保持稳定Ba浓度是其具有长寿命的关键.
- 王小霞廖显恒罗积润赵青兰张晓伟
- 关键词：氧化物阴极
- 磁控管用新型Y2O3-Gd2O3-HfO2浸渍W基直热式阴极研究被引量：3
- 2016年
- 本文研制了一种大功率连续波磁控管用新型难熔Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极,并对该阴极的直流发射特性进行了测试,结果显示该阴极在1400℃温度下即可提供超过1 A/cm^2的空间电荷限制区电流密度,1700℃温度下可以提供超过10.5 A/cm^2的空间电荷限制区电流密度.利用理查森直线法求得该阴极的绝对零度逸出功仅为1.68 eV,理查森-道舒曼公式法求得该阴极的有效逸出功为2.6-3.1 eV.寿命实验结果显示,该阴极在工作温度为1600℃,直流负载为1.5 A/cm^2的条件下,寿命已经超过3600 h.最后,分别利用扫描电子显微镜、俄歇能谱、能谱仪等分析手段对该阴极表面的微观结构、元素成分及含量进行了研究,结果表明,该阴极在高温激活过程中,表面形成了一层空穴导电的Y_2O_(3-x)半导体层,该半导体层的形成改善了阴极表面导电性,间接降低了逸出功,提高了阴极的热发射能力.此外,还对该阴极的耐电子轰击性能进行了研究,结果显示该阴极在经过150 h电子连续轰击后,电流密度从初始1.5 A/cm^2线性下降并稳定至0.4 A/cm^2.
- 漆世锴王小霞罗积润赵青兰李云
- 关键词：直热式阴极逸出功磁控管
- Re掺杂对W丝阴极二次电子发射的影响被引量：5
- 2015年
- 为了提高纯W丝阴极的二次电子发射系数(δ),在W粉中掺杂不同比例的Re粉。将混合好的W-Re粉制备在W片表面,经高温烧结后测量其二次电子发射系数。实验结果显示Re掺杂合金阴极能够提高纯钨丝阴极的δ。不同掺杂Re的W-Re合金阴极对提高二次电子发射系数的能力不同,掺杂5(质量比)%Re的W-Re合金阴极的二次电子发射系数最大,其最大二次电子发射系数(δm)值为1.8,相比于未掺杂的纯钨粉烧结阴极的δm,能够提高80%。
- 漆世锴王小霞罗积润赵世柯李云赵青兰
- 关键词：二次电子发射掺杂
- 大电流密度氧化物阴极的研究
- 氧化物阴极是应用于真空器件最为广泛的热阴极之一,但随着真空显示器件向高分辨率的发展及微波器件向高功率、毫米波的发展,普通氧化物阴极已逐渐难于满足器件的要求。为了提高氧化物阴极的发射电流、增强阴极活性、延长阴极寿命,本文围...
- 王小霞廖显恒赵青兰张晓伟王其富
- 文献传递
