李云
- 作品数：47 被引量：34H指数：5
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生建筑科学更多>>
- 大功率长寿命连续波磁控管阴极的研究进展
- 微波具有高效加热的特点,已经在化工和冶金等行业表现出强劲的发展势头。磁控管作为一种电子器件已被证明是最高效和经济的工业用微波发生器。目前国外实际生产中已将2450MHz频段的磁控管功率做到30Kw。国内只能做到15kW,...
- 王小霞漆世铠张兆传高冬平赵世柯赵青兰李云张琪
- 文献传递
- 浸渍式钨酸钡锶阴极的蒸发特性研究被引量：5
- 2016年
- 采用飞行时间质谱法检测了浸渍式钨酸钡锶阴极(未覆膜)激活时在不同工作温度下的蒸发物成分,并采用石英晶体振荡动态测试法测量了阴极在不同温度下的动态蒸发率。结果表明:浸渍式钨酸钡锶阴极在1100℃左右能够充分激活,且平均蒸发率约为未覆膜612铝酸盐阴极的50%,这有利于发射电流密度提高及阴极寿命延长。
- 胡明玮王小霞罗积润漆世锴李云张琪
- 关键词：蒸发率
- 用于热阴极的热子绝缘层研究
- 2020年
- 研究了热子涂层的原材料粒度对热子绝缘层质量的影响,粒度过细或过粗,涂层附着不均匀,烧结后涂层表面开裂、起皮、粗糙、掉粉严重。采用粒度级配的配比方案制备了氧化铝涂层,电镜分析表明,涂层致密,质量得到明显改善;与原有工艺相比,氧化铝涂层抗压能力提高了1倍。
- 邯娇张连正任峰赵庆兰李云阴生毅王小霞
- 关键词：热阴极绝缘层
- Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2掺杂W基直热式阴极的热发射及耐电子轰击特性被引量：1
- 2018年
- 为了提高大功率磁控管阴极的耐电子轰击性能,首次采用Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2(Y-Gd-Hf-O)掺杂金属W粉制备大功率磁控管用直热式阴极。对不同质量分数Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极的热发射及耐电子轰击特性进行了研究。实验结果显示,50%Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极具有较大的热发射能力,1500℃工作温度下即可提供1.0A/cm^2的拐点发射电流密度。10%Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极具有较好的耐电子轰击性能,经过14 W/cm^2电子连续轰击200 h后,热发射电流密度仅下降0.1 A/cm^2。最后,对Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极热发射及耐电子轰击机理进行了有益的探讨。
- 漆世锴王小霞王小霞罗积润李云
- 关键词：直热式阴极磁控管
- 一种用于重离子加速器电子冷却装置阴极的研制被引量：3
- 2010年
- 该文主要研制一种用于HIRFL-CSR电子冷却装置的氧化物阴极,测试了该阴极在普通试验二极管中的发射性能及寿命,研究了成型阴极表面温度均匀性及其分解激活过程。结果表明,阴极支取直流发射电流密度0.5A/cm2,工作温度750℃～800℃时具有很好的发射均匀性,电流加速寿命结果表明,该阴极在800℃,寿命超过18000h。
- 王小霞赵青兰廖显恒孟鸣凤李云
- 关键词：氧化物阴极电子冷却
- 载人航天用超小型脉冲行波管阴极的研究
- 2010年
- 为了满足载人航天用超小型脉冲栅控行波管阴极工作温度低、发射电流密度大、阴极活性好及可靠性高等技术要求,本文研制了一种具有NiReIr混合海绵及新型Ti粉激活剂贮存活性物质的新型贮存式氧化物阴极,测试了该阴极的发射性能。结果表明,新型阴极具有良好的发射性能在该行波管中应用脉冲宽度8～10μs,工作比1%,发射电流密度5～6A/cm2,寿命1000h;此外,为了缩短该阴极的启动时间对阴极结构及支撑带材料进行改进,改进后阴极加热功率3.6W在二极管试验中30s启动,成功用于某侦查卫星中。
- 王小霞廖显恒赵青兰李云
- 关键词：氧化物阴极栅控行波管
- 氧化物阴极的应用研究及发展被引量：5
- 2010年
- 氧化物阴极是真空器件应用最广泛的热阴极,为了满足微波器件向高功率、宽频带、长寿命等技术要求的持续发展,提高氧化物阴极的直流及宽脉冲发射电流密度、增强它的稳定可靠性一直是氧化物阴极应用研究的主题。本文主要论述氧化物阴极电子发射过程、分析氧化物阴极存在问题根源及解决的方法,研制出新型氧化物阴极,给出了阴极直流、脉冲、寿命性能以及在高功率速调管和行波管的应用,展望了它的应用前景。
- 廖显恒王小霞赵青兰李云
- 关键词：氧化物阴极微波管
- 一种快激活镍钪海绵贮存式氧化物阴极的研制
- 热阴极是真空电子器件的电子源，真空电子器件主要包括磁控管、速调管及空间行波管等，这些真空电子器件广泛的应用于军事、民用及空间卫星。不同的微波真空电子器件对阴极的需求不同，比如对空间行波管，要求阴极高可靠和几十万小时的寿命...
- 赵青兰王小霞李云张琪陈晓倩
- 关键词：氧化物阴极
- Re掺杂对W丝阴极二次电子发射的影响被引量：5
- 2015年
- 为了提高纯W丝阴极的二次电子发射系数(δ),在W粉中掺杂不同比例的Re粉。将混合好的W-Re粉制备在W片表面,经高温烧结后测量其二次电子发射系数。实验结果显示Re掺杂合金阴极能够提高纯钨丝阴极的δ。不同掺杂Re的W-Re合金阴极对提高二次电子发射系数的能力不同,掺杂5(质量比)%Re的W-Re合金阴极的二次电子发射系数最大,其最大二次电子发射系数(δm)值为1.8,相比于未掺杂的纯钨粉烧结阴极的δm,能够提高80%。
- 漆世锴王小霞罗积润赵世柯李云赵青兰
- 关键词：二次电子发射掺杂
- 一种浸渍式钨酸钡锶阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种浸渍式钨酸钡锶阴极及其制备方法。该方法包括步骤：(1)将BaCO<Sub>3</Sub>、SrCO<Sub>3</Sub>及WO<Sub>6</Sub>按摩尔比(4.8～5.2)：(0.9～1.1)：(1...
- 胡明炜王小霞罗积润漆世锴李云张琪
- 文献传递
