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袁剑峰

作品数：13 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院长春应用化学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 12篇晶体管
  • 10篇晶体
  • 9篇有机薄膜晶体...
  • 9篇薄膜晶体
  • 9篇薄膜晶体管
  • 5篇有机半导体
  • 5篇半导体
  • 4篇有机晶体管
  • 4篇刻蚀
  • 4篇场效应
  • 3篇有源矩阵
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇旋涂
  • 2篇有机半导体材...
  • 2篇有机发光
  • 2篇有源
  • 2篇酞菁
  • 2篇迁移率

机构

  • 12篇中国科学院
  • 3篇中国科学院长...

作者

  • 13篇袁剑峰
  • 6篇阎东航
  • 6篇闫东航
  • 4篇王刚
  • 3篇严铉俊
  • 2篇许武
  • 2篇张坚
  • 2篇王军
  • 1篇李春红
  • 1篇陈克明
  • 1篇张吉东
  • 1篇王海波

传媒

  • 2篇液晶与显示

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 4篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
酞菁铜有机场效应晶体管器件性能的研究
本文的研究内容定位于对有机场效应晶体管器件的综合性能的研究,具体研究内容如下:首先,我们制备了高性能酞菁铜有机场效应晶体管(OFET)器件.我们研究了栅绝缘膜衬底和衬底温度对有机薄膜形态和结构影响以及对有机晶体管器件性能...
袁剑峰
关键词：阈值电压
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有机晶体管有源矩阵有机发光显示装置及制造方法
本发明属于有源矩阵有机发光显示装置及制造方法。采用两个空穴型有机薄膜晶体管构成恒流电路来驱动采用透明电极为阳极的有机发光二极管象素。有机晶体管采用夹心型构型或双绝缘栅构型。制作方法是先制备有机晶体管恒流电路，再制作有机发...
闫东航王刚袁剑峰
文献传递
有机晶体管有源矩阵有机发光显示装置及制造方法
本发明属于有源矩阵有机发光显示装置及制造方法。采用两个空穴型有机薄膜晶体管构成恒流电路来驱动采用透明电极为阳极的有机发光二极管象素。有机晶体管采用夹心型构型或双绝缘栅构型。制作方法是先制备有机晶体管恒流电路，再制作有机发...
阎东航王刚袁剑峰
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有机TFT器件研究
闫东航严铉俊王军张坚袁剑峰王刚张吉东王海波陈克明李春红
该项目围绕集成器件这一最高目标，在器件工艺、有机薄膜制备和材料合成关键环节上取得突破，并开始与北方彩晶集团有限公司合作研发产业化中试技术。（1）发展出系列高迁移率有机半导体材料，部分材料的载流子迁移率达 0.11cm2/...
关键词：
关键词：平板显示
有机薄膜晶体管及制备方法
一种有机薄膜晶体管，包括衬底(1)、在衬底(1)上形成的栅极(2)，在栅极上面形成栅绝缘层，在绝缘层上形成源电极(5)和漏电极(6)，在源电极(5)及漏电极(6)上形成半导体有源层(7)，绝缘层为不同介电常数的第一绝缘层...
阎东航袁剑峰
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一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法
本发明属于一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法，含有遮光层的顶电极构型器件其源/漏电极置于有机半导体层之上，其中，栅极在基板上，绝缘层在栅极和基板上，有机半导体层在绝缘层上，低介电有机光刻胶岛在有机层上，源极和漏极在绝缘...
阎东航袁剑峰
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含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法
一种含有保护层的有机半导体场效应晶体管，包括衬底(1)，栅电极(2)形成在衬底(1)上，栅绝缘层(3)形成在衬底(1)和栅电极(2)上，第一半导体层(4)形成在栅绝缘层(3)上，第二半导体层(6)形成在第一半导体层(4)...
阎东航袁剑峰严铉俊
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有源矩阵液晶显示装置及制造方法和材料
本发明属于有源矩阵液晶显示装置及制造方法和材料。采用有机薄膜晶体管(OTFT)驱动扭曲向列液晶,最大驱动电压低于30伏特。OTFT中有机半导体层上图形电极的加工方法是使用光刻胶为掩模漏板的剥离技术(lift－off)来图...
闫东航袁剑峰王刚张坚王军
文献传递
有机薄膜晶体管及制备方法
一种有机薄膜晶体管，包括衬底(1)、在衬底(1)上形成的栅极(2)，在栅极上面形成栅绝缘层，在绝缘层上形成源电极(5)和漏电极(6)，在源电极(5)及漏电极(6)上形成半导体有源层(7)，绝缘层为不同介电常数的第一绝缘层...
阎东航袁剑峰
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有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究被引量：6
2004年
研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。
袁剑峰闫东航许武
关键词：有机薄膜晶体管阈值电压漂移C-V特性
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