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文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 9篇晶体管
  • 6篇有机半导体
  • 6篇半导体
  • 6篇场效应
  • 5篇有机薄膜晶体...
  • 5篇晶体
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  • 5篇薄膜晶体管
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  • 3篇电接触材料
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  • 3篇金属
  • 2篇电极
  • 2篇电流比
  • 2篇电子型

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇严铉俊
  • 8篇王军
  • 7篇闫东航
  • 5篇王海波
  • 4篇阎东航
  • 3篇李春红
  • 3篇袁剑峰
  • 3篇张坚
  • 2篇姜晓霞
  • 2篇王贺
  • 2篇代继光
  • 2篇史建武
  • 1篇王刚
  • 1篇陈克明
  • 1篇张吉东
  • 1篇王军

传媒

  • 1篇科技开发动态

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
含有有机异质结的电接触材料及其器件
本发明涉及一种改善有机半导体与金属电极之间接触的含有有机异质结的电接触材料。本发明的特征是所采用的含有有机异质结的电接触材料是由电子型和空穴型有机半导体及其构成的异质结组成。本发明还涉及到采用这种含有有机异质结的电接触材...
闫东航王海波王军代继光姜晓霞严铉俊
文献传递
含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法
一种含有保护层的有机半导体场效应晶体管,包括衬底(1),栅电极(2)形成在衬底(1)上,栅绝缘层(3)形成在衬底(1)和栅电极(2)上,第一半导体层(4)形成在栅绝缘层(3)上,第二半导体层(6)形成在第一半导体层(4)...
阎东航袁剑峰严铉俊
文献传递
OTFTs中M-S接触效应的研究
有机薄膜晶体管(OTFTs)由于具有制备温度低、大面积加工和兼容柔性基底等优点,在有源矩阵显示、集成电路、化学传感器等方面显示出广泛的应用潜力。OTFTs中金属(M)—有机(S)间的高接触电阻严重影响器件性能以及器件电学...
严铉俊
关键词:有机薄膜晶体管电接触材料
一种透反式有源矩阵液晶显示装置及其制作方法
本发明公开了一类透反式有源矩阵液晶显示装置及其制作方法,其象素矩阵的开关是有机薄膜晶体管。液晶是现有TFT-LCD技术中采用的TN液晶。本发明装置的优点是兼容柔性基板。
阎东航严铉俊王军
文献传递
含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法
一种具有耗尽型工作模式或反型工作模式的有机半导体场效应晶体管,包括衬底(1),在衬底(1)上形成栅电极(2),在衬底(1)和栅电极(2)上形成栅绝缘层(3),在栅绝缘层(3)上形成第一半导体层(4),在第一半导体层(4)...
闫东航张坚王军王海波严铉俊
文献传递
有机TFT器件研究
闫东航严铉俊王军张坚袁剑峰王刚张吉东王海波陈克明李春红
该项目围绕集成器件这一最高目标,在器件工艺、有机薄膜制备和材料合成关键环节上取得突破,并开始与北方彩晶集团有限公司合作研发产业化中试技术。(1)发展出系列高迁移率有机半导体材料,部分材料的载流子迁移率达 0.11cm2/...
关键词:
关键词:平板显示
含有有机异质结的电接触材料及其器件
本发明涉及一种改善有机半导体与金属电极之间接触的含有有机异质结的电接触材料。本发明的特征是所采用的含有有机异质结的电接触材料是由电子型和空穴型有机半导体及其构成的异质结组成。本发明还涉及到采用这种含有有机异质结的电接触材...
闫东航王海波王军代继光姜晓霞严铉俊
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含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法
一种具有耗尽型工作模式或反型工作模式的有机半导体场效应晶体管,包括衬底(1),在衬底(1)上形成栅电极(2),在衬底(1)和栅电极(2)上形成栅绝缘层(3),在栅绝缘层(3)上形成第一半导体层(4),在第一半导体层(4)...
阎东航张坚王军王海波严铉俊
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透反式有源矩阵液晶显示装置及其制作方法
2004年
阎东航严铉俊王军
关键词:制作方法有机薄膜晶体管
一种图案化有源层的有源矩阵液晶显示装置的制备方法
本发明公开了一种图案化有源层有机薄膜晶体管的制作方法和有源矩阵液晶显示装置的制备方法。采用剥离技术图案化有源层,减少光刻过程中对有源层的损伤。本发明所构建的有机薄膜晶体管具有高的场效应迁移率,高的开关态电流比性质。图案化...
闫东航王贺王军严铉俊史建武李春红
文献传递
共2页<12>
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