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薛海韵

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇硅基
  • 2篇衬底
  • 1篇电流
  • 1篇电流注入
  • 1篇淀积
  • 1篇异质结
  • 1篇原子
  • 1篇熔化
  • 1篇室温
  • 1篇探测器
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇高频
  • 1篇暗电流

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇薛海韵
  • 4篇成步文
  • 4篇薛春来
  • 2篇白安琪
  • 2篇罗丽萍
  • 2篇胡炜玄
  • 2篇苏少坚
  • 2篇王启明
  • 1篇俞育德
  • 1篇汪巍
  • 1篇左玉华
  • 1篇王启明
  • 1篇曾玉刚
  • 1篇韩根全

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
高性能Si基Ge探测器的研制
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的Ge材料,利用该材料研制高速Ge光电探测器,吸收层Ge的厚度约为0.8μm。在0V和-1V偏压下,暗电流密度分别为0.37mA/cm2和29.4mA/cm2;测试...
薛海韵薛春来成步文王启明
关键词：暗电流密度
文献传递
硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管
2010年
目前，硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破，并且与现有的微电子工艺完全兼容：硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输；通过外延高质量的锗薄膜，实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光探测器；调制速率高达30GHz的基于硅基载流子等离子体色散效应的硅调制器也已经有报导。
胡炜玄成步文薛春来薛海韵苏少坚白安琪罗丽萍俞育德王启明
关键词：发光二极管硅基电流注入异质结室温
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长被引量：3
2009年
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105cm-2。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的。
成步文薛春来罗丽萍韩根全曾玉刚薛海韵王启明
关键词：硅基
GeSn合金的外延生长方法
一种GeSn合金的外延生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一Sn固体金属作为Sn源材料置入真空腔的Sn固体源炉中；步骤2：将一衬底置入分子束外延源炉的真空腔的加热器上，对真空腔抽真空，对衬底加热；步骤3：对Sn固体金属加热...
成步文薛春来左玉华汪巍胡炜玄苏少坚白安琪薛海韵
文献传递
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