章钊
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
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- SrO/Al_2O_3对微晶玻璃析晶与发光性能的影响被引量：2
- 2009年
- 通过调整SrO和Al2O3的相对含量,在不同的热处理制度下制备Sm3+掺杂SrO-Al2O3-SiO2系统微晶玻璃,利用XRD、SEM、荧光光谱等测试手段对该系统微晶玻璃的析晶行为和发光性能进行研究。结果表明:得到的SrO-Al2O3-SiO2微晶玻璃的主晶相为单斜锶长石(SrAl2Si2O8),SrO/Al2O3(%)大于10∶7或小于10∶13都会使析晶含量减少,发光强度减弱;当SrO/Al2O3为10∶7时,可以形成析晶情况及发光性能良好的微晶玻璃。Sm3+掺杂的SrO-Al2O3-SiO2微晶玻璃在405 nm紫光或475 nm蓝光的激发下发射绿光和橙红光,可以通过改变基质玻璃的组成来调节各发射峰的强度比例,结合紫光或蓝光LED,有望应用于白光LED器件。
- 李宏王倩章钊武艳萍
- 关键词：微晶玻璃析晶发光性能白光发光二极管
- 阳极键合后基片呈现黑斑原因及影响因素
- 2009年
- 半导体硅与玻璃的阳极键合技术是微机电系统(Micro Electronic Mechanical System简称MEMS)的关键封装技术,微晶玻璃相比传统的阳极键合用玻璃,具有键合温度低、键合强度高、键合质量好等优点。实验采用二步热处理法,制备了热膨胀系数与硅片匹配的Li2O-Al2O3-SiO2(LAS)系统微晶玻璃,在不同的键合工艺制度下,进行了微晶玻璃/硅片阳极键合实验;深入研究了键合后微晶玻璃基片接阴极面均产生黑斑的原因,并分析探讨了黑斑产生的影响因素。实验结果表明:黑斑密集程度随电压的升高而增大,温度对其影响较小,其成因可能为局部温度过高所致。
- 李宏章钊王倩熊德华
- 关键词：阳极键合硅片微晶玻璃黑斑
- SrO/Al2O3对锶铝硅系微晶玻璃析晶与发光性能的影响
- 通过调整SrO和Al2O3的相对含量，在不同的热处理制度下制备Sm3+掺杂SrO-A12O3-SiO2系统微晶玻璃，利用XRD、SEM、荧光光谱等测试手段对该系统微晶玻璃的析晶行为和发光性能进行研究。结果表明：得到的Sr...
- 李宏王倩章钊程金树
- 关键词：析晶白光发光二极管
- 文献传递
- 硅/微晶玻璃阳极键合机理的研究
- 随着电子器件的不断复杂化、功能化和智能化，微机电系统(MEMS)在越来越多的领域中得到了应用。半导体硅具备特殊电学和可微加工性能，成为MEMS领域的主要材料，由于硅片易断裂，在使用硅片时，通常键合一层衬底材料以保证微器件...
- 章钊
- 关键词：微晶玻璃硅片阳极键合晶格能
- 文献传递
- 阳极键合用Li_2O-Al_2O_3-SiO_2微晶玻璃电学性能被引量：3
- 2009年
- 采用合适的组分和二步热处理法制备了热膨胀系数与硅片匹配的Li2O-Al2O3-SiO2(LAS)微晶玻璃,并在满足键合所要求的热膨胀系数的基础上,通过调节成分和控制热处理制度,研究了微晶玻璃的导电和介电性能。结果表明:采用不同的热处理制度进行晶化处理,LAS微晶玻璃的主晶相均为β-锂辉石;607℃核化、980℃晶化时间均为3h样品的热膨胀系数为31.16×10-7℃-1(200～400℃),与硅片热膨胀系数较接近;微晶玻璃的电阻率大于基础玻璃,且随温度的升高电阻率呈下降趋势;改变核化和晶化时间,在150～360℃范围内其电阻率变化不大;微晶玻璃的介电常数和介电损耗均小于基础玻璃,更适宜作为电子器件的绝缘封装材料。
- 李宏章钊王倩杜芸程金树
- 关键词：阳极键合硅片微晶玻璃电学性能
- 阳极键合后基片呈现黑斑原因及影响因素
- 半导体硅与玻璃的阳极键合技术是微机电系统（Micro Electronic Mechanical System 简称MEMS）的关键封装技术，微晶玻璃相比传统的阳极键合用玻璃，具有键合温度低、键合强度高、键合质量好等优点...
- 李宏章钊王倩熊德华程金树
- 关键词：阳极键合键合工艺
- 文献传递
- 硅/微晶玻璃阳极键合工艺对键合强度的影响被引量：2
- 2009年
- 半导体硅与玻璃的阳极键合技术是微机电系统的关键封装技术,国内外普遍采用硼硅酸盐玻璃作为与硅片封装的阳极键合基片材料,封装温度高达500℃。实验采用Li2O-Al2O3-SiO2（LAS）系统微晶玻璃代替传统的硼硅酸盐玻璃,在200-400℃温度条件下实现了硅/微晶玻璃阳极键合,并分析了电压、温度、时间和压力等工艺参数对键合效果的影响,结果表明在250℃、500 V、10 min和0.5 MPa的条件下,微晶玻璃和硅片实现了良好键合。
- 章钊李宏杜芸程金树
- 关键词：硅片微晶玻璃阳极键合键合强度
