田德恒
- 作品数：17 被引量：32H指数：3
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 氨化磁控溅射Ga_2O_3／BN薄膜制备GaN纳米棒
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3／BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析。结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰。
- 吴玉新薛成山庄惠照田德恒刘亦安孙莉莉王福学艾玉杰
- 关键词：磁控溅射氨化光致发光
- 合成GaN粗晶体棒的研究被引量：2
- 2005年
- 利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。
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- 关键词：磁控溅射自组装反应
- 硅基镁催化氮化镓一维纳米结构的制备及其显微特性的研究
- 随着现代科学技术的发展，人们要求材料具有更优越的物理性能，且器件的尺寸越来越微型化，这些都促使现代凝聚态物理和材料科学的研究在低维材料方面产生了极大的兴趣。低维材料的研究目的主要有三个方面：(1)对发生在三维材料中的一些...
- 田德恒
- 关键词：一维纳米结构氮化镓纳米线半导体异质结
- 文献传递
- 氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性被引量：1
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
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- 关键词：氮化镓纳米线
- 退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响被引量：2
- 2007年
- 采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,随退火温度的升高,晶粒尺寸增大,结晶化程度提高。室温下光致发光谱的测试发现了位于367 nm处的强发光峰和437 nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高而增强,但发光峰的位置并不发生移动。
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- 关键词：氮化镓薄膜电泳沉积退火温度光致发光
- 衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响被引量：10
- 2006年
- 在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜。通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响。发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移。
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- 关键词：PLDZNO
- sol-gel法制备GaN纳米棒的研究被引量：1
- 2005年
- 采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒。XRD和SAED的测试结果表明,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构。用TEM观察发现,大部分GaN纳米棒平直而光滑,直径为200 nm^1.8μm,最长的纳米棒达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的355.6 nm处的紫外发光峰和445.9 nm处的蓝色发光峰。
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- 关键词：半导体技术GAN纳米棒SOL-GEL法光致发光
- 氮化镓粉末的溶胶凝胶法制备及其结构被引量：2
- 2006年
- 报道了一种新颖而有效的二步制备氮化镓粉末的方法.以乙氧基镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,在950℃氨化温度下,将凝胶与流动的NH3反应20min,合成了GaN粉末.XRD、FTIR、TEM及SAED的测量结果表明,GaN粉末是六方纤锌矿结构的单晶晶粒,粉末粒度较均匀,FTIR吸收谱有明显的宽化现象.
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- 关键词：溶胶-凝胶法
- 高温氨化合成GaN微晶
- 2006年
- 分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。
- 刘亦安薛成山庄惠照何建廷吴玉新田德恒孙莉莉艾玉杰王福学
- 关键词：氨化
- 溶胶-凝胶法制备GaN颗粒
- 2006年
- 以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶．凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征。结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰。
- 刘亦安薛成山庄惠照张晓凯田德恒吴玉新孙莉莉艾玉杰王福学
- 关键词：溶胶-凝胶法氨化
