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田媛

作品数：21 被引量：2H指数：1
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇医药卫生

主题

  • 6篇单晶
  • 6篇退火
  • 6篇高温退火
  • 5篇氮化镓
  • 5篇气相外延
  • 5篇氢化物气相外...
  • 5篇位错
  • 4篇单晶生长
  • 4篇外延片
  • 4篇聚乙二醇
  • 4篇二醇
  • 4篇衬底
  • 3篇生长温度
  • 3篇晶体
  • 3篇分子
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔结构
  • 2篇药物

机构

  • 21篇山东大学

作者

  • 21篇田媛
  • 14篇吴拥中
  • 14篇郝霄鹏
  • 14篇戴元滨
  • 14篇邵永亮
  • 12篇张雷
  • 8篇霍勤
  • 5篇崔基炜
  • 5篇于群
  • 4篇张浩东
  • 4篇刘晓燕
  • 3篇郝京诚
  • 3篇李先磊
  • 2篇张保国

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 7篇2014
  • 1篇2012
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×10<Sup>2</Sup>-1×10<Sup>4</Sup>Pa，向加热...
郝霄鹏田媛张雷吴拥中邵永亮戴元滨张浩东
文献传递
一种制备高分子纳米粒子的普适性方法
本发明涉及一种利用ZIF‑8为模板制备合成高分子、多肽、多糖、蛋白质等高分子纳米粒子的方法。所制备的高分子纳米颗粒可以通过巯基‑双硫键交换反应、席夫碱反应、酰胺化反应和点击反应等完成高分子的交联，适用于各类高分子纳米粒子...
崔基炜田媛于群郝京诚
利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法
一种利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：（1）配制浓度0.005-0.075mg/ml的六方氮化硼纳米片与溶剂的分散液；（2）将配好的分散液直接涂于用于制备GaN晶体的衬底上，然后在真空干燥箱内...
郝霄鹏李先磊张雷邵永亮吴拥中戴元滨田媛霍勤
文献传递
国内航空公司国际信用卡在线支付风险控制研究
国际信用卡作为较早兴起的一种便捷非现金支付工具，多年来使用场景和使用人群一直在稳步增长，全球大多数地区使用国际信用卡支付占消费类支付近一半的比例。随着我国国际贸易的持续增长和国际商旅往来的增加，国际信用卡支付应用范围也在...
田媛
关键词：国际信用卡在线支付
文献传递
一种以聚乙二醇为矿化剂的沸石咪唑型金属有机框架材料的制备方法与应用
本发明涉及一种以聚乙二醇为矿化剂的沸石咪唑型金属有机框架材料的制备方法与应用。本发明以聚乙二醇作为矿化剂，在温和的条件下制备得到了ZIF‑8，得到的ZIF‑8纳米颗粒具有良好的水分散性、稳定性、粒径可控等优点，并可以实现...
于群田媛崔基炜
文献传递
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×10<Sup>2</Sup>-1×10<Sup>4</Sup>Pa，向加热...
郝霄鹏田媛张雷吴拥中邵永亮戴元滨张浩东
文献传递
利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法
一种利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：（1）配制浓度为0.005-0.1mg/ml的石墨烯纳米片分散液或浓度为0.001-0.02mg/ml的氧化石墨烯纳米片分散液；（2）将配好的石墨烯纳米...
郝霄鹏李先磊张雷邵永亮吴拥中戴元滨田媛霍勤
文献传递
一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法
本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层...
郝霄鹏戴元滨邵永亮吴拥中刘晓燕张浩东田媛
在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法
一种在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法，包括以下步骤：（1）SiC晶片清洗；（2）将SiC晶片装入HVPE反应室中；（3）将HVPE反应室抽真空后，通入N<Sub>2</Sub>至HVPE反应室内气压升至室内实...
郝霄鹏田媛邵永亮吴拥中张雷戴元滨霍勤
文献传递
一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法
本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层...
郝霄鹏戴元滨邵永亮吴拥中刘晓燕张浩东田媛
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