吴拥中
- 作品数：100 被引量：33H指数：4
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- 一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法
- 一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×10<Sup>2</Sup>-1×10<Sup>4</Sup>Pa，向加热...
- 郝霄鹏田媛张雷吴拥中邵永亮戴元滨张浩东
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- 含氨丙基聚硅氧烷及其高温硫化硅橡胶的制备
- 该文介绍了两种含氨丙基聚硅氧烷的有效合成途径,制备了一系列不同分子量的α,ω-二氨丙聚硅氧烷和不同氨丙基含量的端侧氨丙基聚硅氧烷.经定量分析、红外光谱及核磁共振谱的测定,对含氨丙基聚硅氧烷进行了确证和表征.
- 吴拥中
- 关键词：聚硅氧烷氨丙基高温硫化硅橡胶
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- 超级电容器电极用金属氧化物复合氮氧化物的制备方法
- 一种超级电容器电极用金属氧化物复合氮氧化物的制备方法，包括以下步骤：(1)将金属盐、尿素和氯化钠溶解于去离子水中，分散均匀，然后加入衬底材料；(2)将混合溶液加入到反应釜中放置于恒温干燥箱中反应；(3)将反应得到的产物进...
- 郝霄鹏王守志吴拥中邵永亮
- 一种利用化学剥离制备六方氮化硼纳米片的方法
- 本发明提出一种利用化学剥离制备六方氮化硼纳米片的方法，包括以下步骤：（1）按0.5g-5g六方氮化硼粉末与100ml酸的比例，将六方氮化硼粉末与酸混合搅拌均匀，然后按与六方氮化硼粉末的质量比1:10-10:1的比例加入高...
- 郝霄鹏杜淼吴拥中
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- 一种嵌入TiO<Sub>2</Sub>纳米棒图形阵列提高LED发光效率的方法
- 本发明公开了一种嵌入TiO<Sub>2</Sub>纳米棒图形化阵列提高LED发光效率的方法，包括以下步骤：（1）制备LED外延片；（2）在外延片的p型GaN层上制作光刻胶周期孔图形模板；（3）制作周期排布的TiO<Sub...
- 吴拥中尹正茂郝霄鹏刘晓燕徐现刚
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- 一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法
- 本发明提供了一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法，包括以下步骤：(1)按常规利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层，衬底为GaAs材料；(2)在外延生长的P型接...
- 郝霄鹏巩海波夏伟吴拥中徐现刚
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- 一种白光LED及其制备方法
- 一种白光LED及其制备方法，包括绝缘底座、碗形反射镜和蓝光LED芯片，碗形反射镜设置在绝缘底座上，碗形反射镜与绝缘底座之间设有导热片，蓝光LED芯片固定在碗形反射镜中，绝缘底座上设置有两个与蓝光LED芯片连接的电极，电极...
- 吴拥中尹正茂郝霄鹏谢政刘春艳刘晓燕徐现刚
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- 单层过渡金属硫化物的制备及超快饱和吸收性能的研究
- 当今,由于二维过渡金属硫化物具有杰出的电学和光学性能,所以广泛受到大家的关注。在我们的研究工作中,受自然条件下风化剥离海边岩石的灵感激发,我们提出了一种风化剥离制备原子层厚度的二维材料的新方法。我们实验证明了这种风化剥离...
- 赵刚李晨王泰林马福坤孙长龙吴拥中
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- 配合物热分解制备氮化镓纳米线及其生长机理研究被引量：3
- 2005年
- 报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段对产物进行了表征,并对氮化镓纳米线的VLS生长机理进行了探讨。
- 展杰郝霄鹏吴拥中温树林蒋民华
- 关键词：氮化镓纳米线显微结构
- 一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法
- 本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层...
- 郝霄鹏戴元滨邵永亮吴拥中刘晓燕张浩东田媛
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