王玮竹
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质
- 2009年
- 建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制.
- 杨威姬扬罗海辉阮学忠王玮竹赵建华
- 关键词：自旋电子学稀磁半导体
- (Ga，Mn)As平面内磁各向异性研究
- 作为重要的磁性质之一,磁各向异性强烈地影响着包含有(Ga,Mn)As 外延层的自旋电子学器件的性能。对(Ga,Mn)As 磁各向异性的完整理解有利于纳米结构自旋电子学器件的设计。本文主要研究了低温退火对(Ga,Mn)As...
- 邓加军王玮竹鲁军赵建华
- 文献传递
- Si共掺杂和高温退火对(Ga，Mn)As结构和磁性质的影响
- 本文主要研究了Si共掺杂和高温退火对典型Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜的结构和磁性质的影响，主要内容如下：
(1)系统地研究了(Ga,Mn)As薄膜磁性质随Si掺杂含量增加的变化。不论退火前后，当掺入少量...
- 王玮竹
- Mn掺杂GaAs薄膜的磁性质及微观结构调控
- ＜正＞自从1996年 Ohno 等人利用低温分子束外延技术首次成功制备出铁磁性稀磁半导体（Ga,Mn）As 以来, （Ga,Mn）As 已成为最为广泛研究的稀磁半导体的典范体系。磁性元素 Mn 掺入 GaAs 后替代 G...
- 王玮竹邓加军郑玉宏鲁军赵建华
- 关键词：磁性半导体磁性质微观结构
- 文献传递
- Fe/GaAs异质结构的分子束外延生长及磁性研究
- ＜正＞集成电子电荷和自旋自由度进行信息处理和存储能够开发出高速低功耗的新型半导体器件,在半导体中产生和注入自旋极化载流子是实现这一目标的首要问题。然而目前与现有半导体器件兼容的Ⅲ-Ⅴ稀磁性半导体材料的居里温度远低于室温,...
- 鲁军邓加军郑玉宏王玮竹赵建华
- 关键词：分子束外延生长
- 文献传递
- 室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性
- 2008年
- 运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.
- 刘晓东王玮竹高瑞鑫赵建华文锦辉林位株赖天树
- (Ga，Mn)As光电导的测量
- 作为Ⅲ-Ⅴ族稀磁性半导体的代表，(Ga，Mn)As自从被成功地生长制备以来，在过去数年中，研究人员对它的电学和磁学性质进行了广泛和深入的研究，然而通过光学手段对其性质的研究还比较少。本文报导了(Ga，Mn)As在低温和强...
- 李江姬扬王玮竹赵建华
- 关键词：稀磁性半导体磁学性质电学性质
- 文献传递
- 闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
- 2007年
- 利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.
- 毕京锋赵建华邓加军郑玉宏王玮竹李树深
- 关键词：半金属室温铁磁性分子束外延
- Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质
- 2007年
- 利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.
- 郑玉宏赵建华毕京锋王玮竹邓加军夏建白
- 关键词：稀磁半导体铁磁性分子束外延
- 外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响
- 2008年
- 利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.
- 周蓉孙宝权阮学忠甘华东姬扬王玮竹赵建华
- 关键词：ZEEMAN效应
