邓加军
- 作品数：35 被引量：58H指数：3
- 供职机构：华北电力大学数理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家大学生创新性实验计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>
- 瓣形均匀带电面和均匀带电体在其球心处的电场被引量：3
- 2016年
- 在大学物理课程电磁学部分的教学中,经常会利用高斯定理研究均匀带电球面、均匀带电球体等电荷分布具有高度对称性的带电体的电场分布.对于这些均匀带电球面、均匀带电球体的一部分,比如瓣形均匀带电面和瓣形均匀带电体,利用高斯定理不能求出其电场分布,但是可以利用点电荷的电场强度公式加电场叠加原理的方法研究在一些特殊位置的电场.本文推导出了瓣形均匀带电面和瓣形均匀带电体在特殊点球心处的电场,并且进一步讨论了均匀带电半球面、球面、半球体和球体在球心处的电场.
- 胡冰邓加军李社强王文杰
- 关键词：电场
- 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
- 一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤2：将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制...
- 赵建华蒋春萍郑厚植邓加军杨富华牛智川吴晓光
- 文献传递
- Zn0.83Mn0.17Se和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格材料中Mn^2＋的压力光谱研究
- 2011年
- 采用压力光谱技术在低温下观测到了Mn2+离子的4 T1→6 A1跃迁,该谱线在Zn0.83Mn0.17Se和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格样品中有不同的压力行为,体材料中其压力系数为-42.4peV/Pa,超晶格中为-29.5peV/Pa。用晶体场理论计算得到体材料Zn0.83Mn0.17Se中Mn2+离子4 T1→6 A1谱线的压力系数为-38.3peV/Pa,与实验结果基本一致。结合材料中发光峰积分强度随压力的变化关系进行分析,证实Mn2+离子的发光性质主要与其近邻的晶体场环境有关。
- 王文杰邓加军丁琨
- GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究被引量：1
- 2006年
- 理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模,证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支,而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2.6%到9%的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合,得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。
- 李国华马宝珊王文杰苏付海丁琨赵建华邓加军蒋春萍
- 关键词：稀磁半导体拉曼光谱
- (Ga，Cr)As外延薄膜的铁磁性来源
- ＜正＞大量的理论计算结果表明,在 GaAs 基稀磁半导体中,与（Ga,Mn）As 相比,（Ga,Cr）As 的铁磁性更强, 居里温度 TC 也更高。这些预言引发了大量的实验工作。迄今为止,实验上已观察到（Ga,Cr）As...
- 甘华东郑厚植毕京锋邓加军朱汇姬扬赵建华
- 关键词：磁性半导体
- 文献传递
- 低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响被引量：1
- 2005年
- 利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.
- 邓加军赵建华蒋春萍牛智川杨富华吴晓光郑厚植
- 关键词：稀磁半导体铁磁性分子束外延
- 列车调度系统
- 本实用新型提供了一种列车调度系统，属于电力机车领域，站台设置在两段外接轨道之间，站台设置有U形通道。承重架为框架结构，承重架的两侧均与U形通道的侧壁滑动连接，承重架上设置有至少两层水平且相互平行的承重平台，每个承重平台的...
- 韩大奇丰江波苏国赟邓加军
- 文献传递
- 稀磁半导体的研究进展被引量：42
- 2007年
- 本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。
- 赵建华邓加军郑厚植
- 关键词：半导体自旋电子学稀磁半导体自旋注入
- 小车（无碳）
- 1．本外观设计产品的名称：小车（无碳）。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作教学用品。;3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。
- 丰江波吴俊达韩大奇邓加军
- 文献传递
- 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
- 一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤2：将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制...
- 赵建华蒋春萍郑厚植邓加军杨富华牛智川吴晓光
- 文献传递
