潘尧波
- 作品数：22 被引量：16H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)被引量：1
- 2006年
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(202-1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(11-00)面反射扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。
- 苏月永陈志涛徐科郭立平潘尧波杨学林杨志坚张国义
- 关键词：氮化镓X射线衍射
- 氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化
- 本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量,以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对于...
- 魏启元胡晓东李倜王彦杰陈伟华李睿潘尧波徐科章蓓杨志坚
- 关键词：氮化镓基激光器激光二极管量子阱结构多元合金性能表征
- 文献传递
- GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
- 2005年
- 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.
- 陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义
- 关键词：透射电镜激光剥离
- 成核层退火压力对形成高阻GaN的作用
- 本文采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/sq以上.原子力显微镜结果显示高阻Ga...
- 许谏张国义沈波许福军苗振林王茂俊黄森鲁麟潘尧波杨志坚
- 关键词：刃型位错MOCVD生长表面粗糙度
- 文献传递
- 一种发光二极管芯片及其制造方法
- 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag...
- 张楠朱广敏潘尧波郝茂盛齐胜利陈志忠张国义
- 文献传递
- MOVCD生长氮化物外延层的方法
- 一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H<Sub>2</Sub>或N<Sub>2</Sub>做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)...
- 郝茂盛潘尧波颜建锋周建华孙永健杨卫桥陈志忠张国义
- 文献传递
- 采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED被引量：1
- 2008年
- 大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效地解决了大注入下载流子泄漏问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MQB样品的光功率和外量子效率分别提高了约80%和100%。
- 齐胜利陈志忠潘尧波郝茂盛邓俊静田朋飞张国义颜建锋朱广敏陈诚李士涛
- 关键词：氮化镓外量子效率
- 一种发光二极管芯片及其制造方法
- 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag...
- 张楠朱广敏潘尧波郝茂盛齐胜利陈志忠张国义
- 线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性被引量：1
- 2006年
- 利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.
- 陈志涛徐科杨志坚苏月永潘尧波杨学林张酣张国义
- 关键词：摇摆曲线
- 氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
- 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理...
- 齐胜利陈志忠孙永健张国义郝茂盛潘尧波邓俊静颜建锋朱广敏陈诚李士涛
