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杨飞

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 4篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 8篇MOSFET...
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇迁移率
  • 6篇沟道
  • 4篇导体
  • 4篇导体电阻
  • 4篇碳化硅
  • 4篇迁移
  • 4篇燃料
  • 4篇混合燃料
  • 3篇双工器
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电源
  • 2篇拥塞
  • 2篇拥塞控制
  • 2篇直臂
  • 2篇太阳能模块
  • 2篇自组织
  • 2篇自组织网

机构

  • 16篇西安电子科技...

作者

  • 16篇杨飞
  • 8篇汤晓燕
  • 8篇王文
  • 8篇张义门
  • 8篇张玉明
  • 4篇张超
  • 4篇元磊
  • 2篇吴秋逸
  • 2篇杨毅民
  • 2篇孔宪光
  • 2篇史小卫
  • 1篇陈志伟
  • 1篇马洪波
  • 1篇常建涛

年份

  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 4篇2013
  • 4篇2011
  • 2篇2010
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
外延沟道的SiCIEMOSFET器件及制备方法
本发明公开了一种外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。本发明的器件包括栅极(1)、SiO<Sub>2</Sub>隔离介质(2)、源极...
汤晓燕张超张玉明张义门杨飞王文
基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法
本发明公开了一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件在低导通电阻时击穿电压难以提高的问题。它包括栅极(1)、SiO<Sub>2</Sub>氧化物介质(2)、源极(3)、N<Sup>...
汤晓燕元磊张玉明张义门王文杨飞
文献传递
无线自组织网络由协议与拥塞控制方法的研究
无线自组织网络是一种工作在无固定设施环境下，由一组带有无线收发装置的移动终端节点组成的多跳的临时性的自治系统。在这种环境中，由于节点的无线覆盖范围的有限性，两个无法直接通信的节点可以借助其它节点进行分组转发来进行数据通信...
杨飞
关键词：无线自组织网路由协议拥塞控制纳什均衡主动队列管理算法
文献传递
基于高隔离度十字结耦合器的OMT双工器
本发明提出了一种基于高隔离度十字结耦合器的OMT双工器，包括盖板、双工器主体、固定螺钉、调谐螺钉和公共圆波导口，所述双工器主体包括十字结结构、两个相同的高频滤波器和两个相同的低频滤波器；所述十字结结构由公共圆波导端口、四...
吴秋逸杨飞杨毅民史小卫
文献传递
漏缆传感器的定位技术研究
随着科学技术的发展，运用高新技术代替传统巡逻方式已成为安防科技领域的一种发展趋势。在多种多样的周界安防产品中，基于漏泄同轴电缆（漏缆）的周界入侵探测系统以其独特优势在安防领域的应用中占据一席之地。漏缆兼具传输和收发电磁波...
杨飞
关键词：定位技术
基于扰动事件的多品种变批量生产调度方法
本发明公开了一种基于扰动事件的多品种变批量生产车间调度方法，主要解决现有方案生产效率低的问题，其实施方案为：1)构建给定零件种类下的多品种变批量生产数据集；2)通过基于网络结构特征的瓶颈识别方法结合生产数据集选取瓶颈设备...
常建涛史尊博孔宪光白硕符博峰雷娇娇杨飞
N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法
本发明公开了一种N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件的反型层电子迁移率低和减小导通电阻与提高击穿电压之间的矛盾问题。其特点是在传统VDMOS器件结构的SiO<Sub...
汤晓燕元磊张玉明张义门王文杨飞
文献传递
加速试验剖面优化方法、系统、机电产品、介质及终端
本发明属于可靠性试验技术领域，公开了一种加速试验剖面优化方法、系统、机电产品、介质及终端，根据机电产品的失效分布和加速模型构建累积失效模型；采用蒙特卡洛方法模拟失效数据；采用极大似然法估计模型参数；将产品在正常应力水平下...
马洪波孔宪光杨飞陈志伟黑惊博
文献传递
N沟道积累型SiC IEMOSFET器件及制备方法
本发明公开了一种N沟道积累型SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术中SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。其技术特点是：在已有的SiC IEMOSFET器件结构的基础上将注入形...
汤晓燕张超张玉明张义门杨飞王文
基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法
本发明公开了一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件在低导通电阻时击穿电压难以提高的问题。它包括栅极(1)、SiO<Sub>2</Sub>氧化物介质(2)、源极(3)、N<Sup>...
汤晓燕元磊张玉明张义门王文杨飞
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