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杨创华

作品数:43 被引量:39H指数:3
供职机构:陕西理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金贵州省优秀科技教育人才省长资金项目更多>>
相关领域:自动化与计算机技术理学化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 34篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇自动化与计算...
  • 7篇理学
  • 5篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇矿业工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇农业科学

主题

  • 11篇半导体
  • 8篇芯片
  • 7篇电子结构
  • 7篇子结构
  • 6篇镀膜
  • 5篇第一性原理
  • 5篇夹紧
  • 5篇光学
  • 5篇光学性
  • 5篇光学性质
  • 5篇封装
  • 4篇第一性原理计...
  • 4篇测试设备
  • 3篇电路
  • 3篇枣树
  • 3篇造价
  • 3篇造价成本
  • 3篇身体
  • 3篇输出端
  • 3篇弯腰

机构

  • 35篇陕西理工大学
  • 8篇贵州大学
  • 1篇安顺学院

作者

  • 43篇杨创华
  • 19篇蒋媛
  • 11篇王楠
  • 6篇谢泉
  • 5篇赵凤娟
  • 4篇肖清泉
  • 3篇魏瑞
  • 3篇陈莉
  • 3篇陈茜
  • 2篇闫万珺
  • 2篇卢超
  • 2篇耶晓东
  • 2篇杨吟野
  • 2篇任雪勇
  • 1篇梁艳
  • 1篇曾武贤
  • 1篇梁芳
  • 1篇张晋敏
  • 1篇王桂宝

传媒

  • 3篇功能材料
  • 2篇海南师范大学...
  • 1篇光学学报
  • 1篇重庆工学院学...
  • 1篇中国科学(G...

年份

  • 11篇2024
  • 4篇2023
  • 10篇2022
  • 3篇2020
  • 6篇2019
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
43 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种半导体激光器芯片端面镀膜夹紧夹具
本发明公开了一种半导体激光器芯片端面镀膜夹紧夹具,属于芯片夹具设备技术领域;一种半导体激光器芯片端面镀膜夹紧夹具,包括:底座和夹持部件;所述夹持部件包括压块、撑板和立柱,所述立柱垂直转动安装在底座上表面,所述撑板水平固定...
杨创华王官奇王楠蒋媛
一种电池盒
本实用新型公开了一种电池盒,包括电池盒单元,所述电池盒单元包括电池盒体和背板,所述电池盒体的左侧从上至下依次设置有正极连接触点槽、定位凹槽和负极连接触点槽,所述电池盒体的右侧从上至下依次设置有正极连接触点、定位凸起和负极...
杨创华
文献传递
基于深度学习混合模型的大气臭氧预测方法
本发明公开了基于深度学习混合模型的大气臭氧预测方法,建立Attention‑CNN‑LSTM的大气臭氧预测混合模型,通过主成分分析的方法确定数据集,然后通过CNN的短序列特征抽象能力提取高维特征,由LSTM综合短序列高维...
蒋媛王玉峰魏瑞卢超王桂宝杨创华
一种具有防静电功能的图像处理终端
本发明涉及图像处理技术领域,且公开了一种具有防静电功能的图像处理终端,包括终端机本体,所述终端机本体的两侧固定安装有散热片,所述终端机本体的正面固定安装有控制按钮、控制开关、电源孔和数据导入接口,所述控制按钮位于控制开关...
杨创华
一种差分吸收激光雷达用实验光源
本发明公开了一种差分吸收激光雷达用实验光源,包括激光器,激光器泵浦波长为266nm的激光光束;激光光束经折转系统、聚焦透镜后进入拉曼管,拉曼管抽运氘气产生受激拉曼散射与四波混频效应,将激光转换为波长为289nm和316n...
蒋媛王旭晖卢超魏瑞杨创华
一种半导体激光芯片的测试设备
本发明公开了一种半导体激光芯片的测试设备,涉及芯片测试技术领域,包括基台,所述基台顶端设置有台板,所述台板上开设有多个两两为一组的置物孔,所述基台一侧转动安装有可固定至水平状态的翻转置物组件,所述基台顶端两侧均开设有滑槽...
杨创华耶晓东蒋媛
一种收枣设备
本发明公开了一种收枣设备,包括过滤架、收纳袋和能够可拆卸连接在枣树主干根部处的夹紧装置,所述过滤架的数量为多个,多个所述过滤架围绕夹紧装置的外侧中部水平设置在夹紧装置上,所述收纳袋的数量与过滤架的数量相等,每个所述过滤网...
杨创华
文献传递
Ca2Si电子结构和光学性质的研究被引量:12
2007年
采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质,其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数。计算结果显示Ca2Si是典型的半导体,正交相结构有一个直接的带隙,并且光学性质显示出各向异性。Ca2Si立方相的计算结果也显示是直接带隙半导体,并且有很高的振子强度。从能带和态密度的计算结果判断出它们的光学性质主要由Si的3p态电子向Ca的3d态的带间跃迁所决定。
杨创华谢泉赵凤娟陈茜肖清泉
关键词:第一性原理计算电子结构光学性质
环境友好半导体Ca_2Si的研究进展被引量:1
2007年
概述了Ca2Si的基本性质、制备工艺和应用,阐述了Ca2Si的研究进展及其制备,指出了存在的问题以及今后的研究方向.
任雪勇杨创华肖清泉
关键词:光电材料
掺杂Mg_2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量:17
2009年
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法系统计算了Mg2Si及掺Ag、Al的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,未掺杂Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994 eV,其价带主要由Si的3p及Mg的3s、3p态电子构成,导带主要由Mg的3s、3p及Si的3p态电子构成,静态介电常数为18.89,折射率为4.3460。掺Ag后Mg2Si为p型半导体,价带主要由Si的3p,Mg的3s、3p及Ag的3p、4d、5s态电子构成,静态介电常数为11.01,折射率为3.3175。掺Al后Mg2Si为n型半导体,导带主要由Mg的3s、3p,Si的3p及Al的3p态电子构成,Al的3s态电子贡献相对较小,静态介电常数为87.03,折射率为9.3289。通过掺杂有效调制了Mg2Si的电子结构,计算结果为Mg2Si光电材料的设计与应用提供了理论依据。
陈茜谢泉杨创华赵凤娟
关键词:MG2SI光学性质电子结构掺杂第一性原理
共5页<12345>
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