赵凤娟
- 作品数：15 被引量：59H指数：5
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术轻工技术与工程更多>>
- 现代材料计算与设计的理论方法概述
- 2009年
- 对材料计算与设计的关系、概念进行了简要的阐述,并对其主要理论方法中的第一性原理进行了较为详细地介绍。
- 赵凤娟谢泉
- 关键词：第一性原理
- BaSi<sub>2</sub>电子结构和光学性质的研究
- 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对块体、硅基外延生长和应力作用下的BaSi2以及Ba1-xMxSi2(x=0.125)(M=Sr、Ga、In)的电子结构及其光电子特性进行了详细的计算。计算了块体BaS...
- 赵凤娟
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- Ru_2Si_3电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量：9
- 2009年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru2Si3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru2Si3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态介电函数ε1(0)=16.83;折射率n0=4.1025;吸收系数最大峰值为2.8×105cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Ru2Si3材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质,为Ru2Si3光电材料的设计与应用提供了理论依据.
- 崔冬萌谢泉陈茜赵凤娟李旭珍
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- Ca2Si电子结构和光学性质的研究被引量：12
- 2007年
- 采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质，其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数。计算结果显示Ca2Si是典型的半导体，正交相结构有一个直接的带隙，并且光学性质显示出各向异性。Ca2Si立方相的计算结果也显示是直接带隙半导体，并且有很高的振子强度。从能带和态密度的计算结果判断出它们的光学性质主要由Si的3p态电子向Ca的3d态的带间跃迁所决定。
- 杨创华谢泉赵凤娟陈茜肖清泉
- 关键词：第一性原理计算电子结构光学性质
- 环境半导体材料Ca_2Si的电子结构研究被引量：3
- 2008年
- 运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.
- 肖清泉谢泉杨吟野张晋敏赵凤娟杨创华
- 关键词：电子结构
- 应力作用下BaSi2电子结构及光学性质研究
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density Functional Theory)赝势法,对各向同性形变下BaSi2 的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算。计算结果表明,当晶格常数从93％至107％依次进行形变...
- 赵凤娟张柏兰
- 关键词：第一性原理应力电子结构光学特性
- 掺杂Mg_2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量：17
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法系统计算了Mg2Si及掺Ag、Al的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,未掺杂Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994 eV,其价带主要由Si的3p及Mg的3s、3p态电子构成,导带主要由Mg的3s、3p及Si的3p态电子构成,静态介电常数为18.89,折射率为4.3460。掺Ag后Mg2Si为p型半导体,价带主要由Si的3p,Mg的3s、3p及Ag的3p、4d、5s态电子构成,静态介电常数为11.01,折射率为3.3175。掺Al后Mg2Si为n型半导体,导带主要由Mg的3s、3p,Si的3p及Al的3p态电子构成,Al的3s态电子贡献相对较小,静态介电常数为87.03,折射率为9.3289。通过掺杂有效调制了Mg2Si的电子结构,计算结果为Mg2Si光电材料的设计与应用提供了理论依据。
- 陈茜谢泉杨创华赵凤娟
- 关键词：MG2SI光学性质电子结构掺杂第一性原理
- Mg2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量：10
- 2008年
- 采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994eV;其价带主要由Si的3p以及Mg的3s,3p态电子构成,导带主要由Mg的3s,3p以及Si的3p态电子构成;静态介电常数ε1(0)=18.89;折射率n0=4.3460;吸收系数最大峰值为356474.5cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果,为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据。
- 陈茜谢泉闫万珺杨创华赵凤娟
- 关键词：MG2SI第一性原理电子结构光学性质
- Si(001)面上外延生长的Ru_2Si_3电子结构及光学性质研究被引量：4
- 2009年
- 基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3(100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算。计算结果表明:当1.087 nm≤a≤1.099 nm时,正交相Ru2Si3的带隙值随着晶格常数a取值的增大而增大。当a取值为1.093 nm时,体系处于稳定状态,此时Ru2Si3是具有带隙值为0.773 eV的直接带隙半导体。Ru2Si3价带主要是由Si的3p,3s态电子及Ru 4d态电子构成;导带主要由Ru的4d及Si的3p态电子构成。外延稳定态及其附近各点处Ru2Si3介电函数的实部和虚部变化趋势基本一致,但外延稳定态Ru2Si3介电函数的曲线相对往低能区漂移,出现的介电峰减少且峰的强度明显增强。
- 崔冬萌谢泉陈茜赵凤娟李旭珍
- 关键词：光学材料第一性原理电子结构光学性质
- Sr掺杂对正交相BaSi_2能带结构和光学性质的影响
- 2018年
- 利用密度泛函理论赝势方法,采用第一性原理对Sr掺入正交相BaSi_2晶格的影响进行了计算。首先,对BaSi_2型的Ba_(1-x)Sr_xSi_2(x=0.125)进行几何优化,接着对其能带结构和光学性质进行了计算。结果表明:Sr原子的替代具有择位性,Sr倾向替换BaI位的Ba原子。与块体BaSi_2相比较,能带宽度变大了,但仍为间接带隙半导体。Ba_(1-x)Sr_xSi_2(x=0.125)的静态介电常数和折射率的值都变大了,介电函数虚部第一峰值的出现位置、吸收谱、复折射率和光电导率都向低能方向移动。
- 杨子义杨子义
- 关键词：第一性原理光学性质
