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杜小龙

作品数：181 被引量：27H指数：4
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 144篇专利
  • 19篇会议论文
  • 17篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 12篇电气工程
  • 12篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 3篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 36篇衬底
  • 34篇单晶
  • 29篇金属
  • 28篇光电
  • 27篇电池
  • 23篇单晶薄膜
  • 23篇硅片
  • 22篇太阳能电池
  • 20篇探测器
  • 19篇电子器件
  • 19篇紫外探测
  • 18篇光电子
  • 17篇紫外探测器
  • 17篇晶体管
  • 16篇金字
  • 16篇光电子器件
  • 15篇太阳能
  • 14篇电极
  • 13篇二极管
  • 11篇倒金字塔

机构

  • 179篇中国科学院
  • 8篇北京工业大学
  • 6篇松山湖材料实...
  • 4篇北京理工大学
  • 3篇清华大学
  • 2篇曲阜师范大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇香港城市大学

作者

  • 181篇杜小龙
  • 120篇梅增霞
  • 81篇刘尧平
  • 73篇梁会力
  • 46篇薛其坤
  • 44篇王燕
  • 33篇陈伟
  • 31篇曾兆权
  • 29篇袁洪涛
  • 26篇贾金锋
  • 23篇陈全胜
  • 22篇张永晖
  • 18篇张天冲
  • 18篇侯尧楠
  • 17篇郑浩
  • 16篇杨丽霞
  • 15篇叶大千
  • 15篇刘章龙
  • 15篇王喜娜
  • 14篇英敏菊

传媒

  • 4篇物理学报
  • 4篇电子显微学报
  • 3篇第五届届全国...
  • 2篇物理
  • 2篇第十届全国分...
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院院...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇Journa...
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇中国科学（G...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第四届全国氧...
  • 1篇中国物理学会...
  • 1篇2005年全...
  • 1篇2011中国...
  • 1篇中国科协第2...
  • 1篇"98全国材...

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 6篇2022
  • 9篇2021
  • 16篇2020
  • 12篇2019
  • 12篇2018
  • 3篇2017
  • 13篇2016
  • 12篇2015
  • 8篇2014
  • 8篇2013
  • 5篇2012
  • 9篇2011
  • 6篇2010
  • 9篇2009
  • 5篇2008
  • 17篇2007
  • 5篇2006
  • 11篇2005
共 181 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
本发明公开了一种在硅(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的方法，即分五步依次在超高真空环境下热处理硅衬底获得清洁的Si(111)面：1.低温沉积1～10nm厚的金属单晶薄膜如镁、钙、锶、镉等，2.低温氧化金属膜以获得...
杜小龙王喜娜曾兆权袁洪涛梅增霞薛其坤贾金锋
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ZnO金属肖特基接触的制备方法及其在紫外探测器中的应用
本发明公开了一种利用MBE低温生长法在ZnO单晶薄膜表面原位制备金属薄膜电极而形成肖特基接触的方法，尤其是超高真空原位沉积金属导电薄膜的方法。其步骤为：利用超高真空传样系统，将MBE生长室制备好的ZnO单晶薄膜样品直接经...
张天冲梅增霞郑浩杜小龙薛其坤罗强顾长志
文献传递
一种硅的氧化钝化方法及钝化装置
本发明提供一种硅的氧化钝化方法，其特征在于利用臭氧对硅的表面进行氧化钝化。本发明还提供了一种用于钝化硅的钝化装置。本发明提供的钝化方法不仅降低了氧化钝化处理的温度，有效地增加了少数载流子的寿命，而且也提高了钝化膜二氧化硅...
王燕刘尧平梅增霞杜小龙
LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)法,我们在LSAT(111)衬底上制备ZnO单晶薄膜.对比研究了O等离子体预处理以及金属Zn薄层预沉积等不同衬底预处理工艺对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的...
英敏菊杜小龙梅增霞曾兆权周忠堂郑浩袁洪涛周均铭贾金锋薛其坤
关键词：分子束外延生长
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一种耐活性氧腐蚀的新型高效衬底加热装置
本发明公开了一种耐活性氧腐蚀的衬底加热装置，包括固定板、两端开口的热屏蔽套筒、一片以上热屏蔽片、高温加热单元、一端开口的透明隔离罩单元以及衬底放置单元。本发明采用合理物理几何设计结构，能获得不低于1000℃均匀平面温场，...
李含冬杜小龙梅增霞曾兆权袁洪涛王喜娜董靖张天冲薛其坤
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一种通过重复利用黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法
本发明公开了一种通过重复利用黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法，包括：(1)将硅片浸入包含0.01‑200mmol/L的金属离子盐、1‑10mol/L的氢氟酸和0.1‑10mol/L的黑硅制绒液中进行制绒；(2)用去离子水清...
赵燕刘尧平王燕杜小龙朱姚培唐磊蒋健王磊
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ZnO(000)表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究被引量：3
2007年
利用同步辐射角分辨光电子能谱(angle-resolved photoeletron spectroscopy,ARPES)并结合全势缀加平面波(full potential linearized augmented plane waves,FPLAPW)理论计算方法研究了ZnO(000)表面的价带电子结构及能带色散.通过垂直出射的ARPES得到ZnO体态沿ΓA方向的能带结构并确定了两个表面态,实验结果与理论计算结果较为一致.利用非垂直出射的ARPES得到这两个表面态沿ΓKM方向的二维能带色散.
徐彭寿武煜宇邹崇文孙柏袁洪涛杜小龙
关键词：角分辨光电子能谱
含三种掺杂剂的p型氧化锌薄膜及其制造方法
本发明公开了一种含三种掺杂剂的p型氧化锌薄膜及其制造方法，在含锂衬底上依次包括ZnO缓冲层、ZnO外延层和P型ZnO三元共掺层，其中，三元共掺层所包含的三种掺杂剂为：锂，和氮，和铝或镓。本发明的有益效果为：在含锂衬底上采...
杜小龙薛其坤贾金锋曾兆权袁洪涛英敏菊梅增霞郑浩
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一种用于提炼高纯材料的高真空原位精炼装置
本发明公开了一种用于提炼高纯以及超高纯材料的高真空原位精炼装置，该高真空精炼装置由提炼腔、真空系统、扩散炉、坩锅、进料取料系统、保护气体装置以及工业智能温度控制器通过真空管件、气路以及导线等将各部分连接构成精炼装置整体。...
杜小龙曾兆权袁洪涛薛其坤贾金锋李含冬王喜娜
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晶硅制绒槽
本发明提供了一种晶硅制绒槽，包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金属催化刻蚀槽、残余金属清洗槽、二次清洗槽和干燥预处理槽。本发明的晶硅制绒槽成本低、通用性好，能用于单晶硅和多晶硅的制绒工艺中。
刘尧平陈伟杨丽霞杜小龙
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