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梅增霞

作品数：123 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 102篇专利
  • 13篇会议论文
  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 8篇理学
  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 29篇衬底
  • 28篇光电
  • 21篇金属
  • 19篇单晶
  • 19篇单晶薄膜
  • 19篇电子器件
  • 18篇探测器
  • 18篇晶体管
  • 18篇光电子
  • 17篇紫外探测
  • 16篇光电子器件
  • 15篇电极
  • 15篇紫外探测器
  • 14篇电池
  • 14篇二极管
  • 13篇薄膜晶体
  • 13篇薄膜晶体管
  • 10篇太阳能
  • 10篇太阳能电池
  • 10篇SUB

机构

  • 123篇中国科学院
  • 5篇北京工业大学
  • 4篇清华大学
  • 2篇曲阜师范大学
  • 1篇奥斯陆大学
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇松山湖材料实...

作者

  • 123篇梅增霞
  • 121篇杜小龙
  • 74篇梁会力
  • 49篇刘尧平
  • 30篇薛其坤
  • 23篇张永晖
  • 22篇曾兆权
  • 18篇张天冲
  • 18篇侯尧楠
  • 18篇王燕
  • 18篇袁洪涛
  • 17篇贾金锋
  • 15篇叶大千
  • 15篇刘章龙
  • 13篇郑浩
  • 11篇崔秀芝
  • 11篇英敏菊
  • 10篇陈伟
  • 10篇郭阳
  • 10篇杨丽霞

传媒

  • 3篇电子显微学报
  • 3篇第五届届全国...
  • 2篇第十届全国分...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇中国科学（G...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第四届全国氧...
  • 1篇中国物理学会...
  • 1篇2005年全...
  • 1篇2011中国...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 9篇2020
  • 9篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 9篇2016
  • 9篇2015
  • 8篇2014
  • 8篇2013
  • 5篇2012
  • 9篇2011
  • 6篇2010
  • 8篇2009
  • 4篇2008
  • 10篇2007
  • 1篇2006
  • 8篇2005
共 123 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
薄膜晶体管和场效应二极管
本发明提供了一种薄膜晶体管和场效应二极管，所述薄膜晶体管包括绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的闭合圆环形的沟道层和闭合圆环形的栅电极；以及与所述沟道层相接触的闭合圆环形的源电极和闭合圆环形的漏电极；所述场效应二极管包括绝...
杜小龙张永晖梅增霞梁会力
一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法
本发明公开了一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法。该器件结构包括：p－Si衬底；MgO绝缘层；n－ZnO基薄膜层；n型欧姆接触电极；p型欧姆接触电极。该器件的制备方法包括如下步骤：在清洁的Si衬底上用外延生长设备...
张天冲郭阳梅增霞顾长志杜小龙
文献传递
氧化锌量子光源及其制备方法
本发明提供一种氧化锌量子光源，包括：衬底层、所述衬底层之上的掺杂ZnO层和分散在所述掺杂ZnO层之上的Ag、Au或Al金属纳米球，其中，所述掺杂ZnO层中的掺杂元素为III族元素或V族元素中的一种或多种，以及所述Ag、A...
侯尧楠梅增霞梁会力杜小龙
文献传递
一种用于锂电池的负极材料及其制备方法和应用
本发明涉及一种用于锂电池的负极材料及其制备方法和用途，该负极材料包括导电衬底材料层和硅基薄膜材料层，所述硅基薄膜材料层包含选自硅单质、SiO<Sub>X</Sub>和硅合金的一种或多种成分，其中，0＜X≤2；其中，在所述...
王艳红李泓刘尧平梅增霞王燕杜小龙
文献传递
紫外探测器
本实用新型提供了一种紫外探测器。所述紫外探测器包括：ZnO衬底；布置在所述ZnO衬底上的BeO绝缘层；以及布置在所述BeO绝缘层上的MgZnO薄膜层或BeZnO薄膜层。本实用新型的紫外探测器采用ZnO材料作为衬底，MgZ...
梅增霞侯尧楠梁会力刘尧平杜小龙
文献传递
一种钙钛矿/TOPCon叠层太阳能电池
本发明提供一种钙钛矿/TOPCon叠层式太阳能电池，包括钙钛矿顶电池和TOPCon底电池，所述TOPCon底电池包括硅基底，所述硅基底具有双面倒金字塔绒面结构，其中，底面倒金字塔结构的侧壁与硅基底所在平面的夹角为6°～2...
岳敏王燕梅增霞梁会力刘尧平杜小龙
薄膜晶体管和场效应二极管
本实用新型提供了一种薄膜晶体管和场效应二极管，所述薄膜晶体管包括绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的闭合圆环形的沟道层和闭合圆环形的栅电极；以及与所述沟道层相接触的闭合圆环形的源电极和闭合圆环形的漏电极；所述场效应二极管包...
杜小龙张永晖梅增霞梁会力
文献传递
含三种掺杂剂的p型氧化锌薄膜及其制造方法
本发明公开了一种含三种掺杂剂的氧化锌薄膜及其制造方法，在含锂衬底上依次包括ZnO缓冲层、ZnO外延层和P型ZnO三元共掺层，其中，三元共掺层所包含的三种掺杂剂为：锂、氮、铝或镓。本发明的有益效果为：在含锂衬底上采用高温扩...
杜小龙薛其坤贾金锋曾兆权袁洪涛英敏菊梅增霞郑浩
文献传递
ZnO薄膜中本征点缺陷Vo、VZn及复合点缺陷GaZn-VZn的研究
作为一种性能优越的宽禁带氧化物半导体材料,ZnO在紫外发光器件、透明导电电极、柔性电子学器件等领域具有广阔的技术应用前景,但是p型掺杂和n型重掺杂自补偿以及器件稳定性等未解难题严重阻碍了该材料的进一步发展。
梅增霞刘利书汤爱华梁会力杜小龙Andrej Kuznetsov薛其坤
关键词：点缺陷自补偿自扩散
一种降低硅片表面光反射率的方法
本发明公开了一种降低硅表面光反射率的方法，该方法包括如下步骤：步骤1：将硅片浸入氢氟酸与含有Ag离子、Cu离子、Ni离子或Mg离子的盐的混合溶液中进行刻蚀；以及步骤2：将刻蚀后的硅片放入硝酸或者王水中清洗以去除表面的金属...
刘尧平王燕梅增霞杜小龙
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