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朱梓英

作品数:13 被引量:12H指数:3
供职机构:中山大学物理科学与工程技术学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 4篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 9篇正电子
  • 6篇正电子湮没
  • 4篇陶瓷
  • 3篇压敏
  • 3篇压敏陶瓷
  • 3篇氧化锌
  • 3篇正电子寿命
  • 3篇ZNO压敏陶...
  • 2篇正电
  • 2篇正电子寿命谱
  • 2篇空位
  • 2篇PAT
  • 2篇ZNO
  • 2篇
  • 2篇X
  • 2篇BA
  • 1篇导电性
  • 1篇导体
  • 1篇形变
  • 1篇形状记忆

机构

  • 13篇中山大学
  • 2篇广州师范学院
  • 2篇广州通信研究...
  • 1篇东京大学
  • 1篇日本理化学研...

作者

  • 13篇朱梓英
  • 6篇吴奕初
  • 4篇李景德
  • 2篇林国淙
  • 2篇雷德铭
  • 2篇陈志雄
  • 2篇伊东芳子
  • 1篇陈仁术
  • 1篇傅刚
  • 1篇庄严
  • 1篇林光明
  • 1篇罗达玲
  • 1篇邓邹平
  • 1篇符德胜
  • 1篇庄严

传媒

  • 6篇中山大学学报...
  • 2篇核技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇全国第七届正...
  • 1篇第四届全国正...

年份

  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 4篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1990
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用正电子湮没研究ZnO的导电机构
朱梓英雷德铭李景德
关键词:氧化锌湮灭导电性
热释光材料LiF:Mg,Ti、LiF:Mg,Cu,P和MgSO_4的正电子湮没特性被引量:3
1998年
测量了经60CoY辐照的热释光材料LiF:Mg,Ti.LiF:Mg,Cu,P和MgSO4的正电子湮没寿命谱,所有寿命谱都分解成三个成分。两种不同掺杂的LiF样品,其成分寿命参数十分接近,表明正离子空位对寿命谱影响较小;并且观察到,在剂量范围为0.05-1kGy内,i2成分寿命参数随剂量按相反趋势发生较小的变化。等时退火实验表明,MgSO4样品的i2和i3成分与硫酸基有关。
邓邹平罗达玲朱梓英张纯样李景德
关键词:正电子湮没
Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3系陶瓷中的B空位研究
1993年
以正电子湮没技术(PAT)研究Ba(Sn_(1-x)Sbx)O_3系陶瓷中的晶格空位,发现空位浓度在Sb 固溶限以下与x 值呈线性关系.由超高压高温合成法证明Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3的晶胞参数α_0因Sb 挥发形成V_B 而增大.PAT 测得较小的τd 值,证明占B 位的Sb 在高温下迁移形成了B 空位,指出存在Sn^(4+)空位引起空位电导补偿.
朱梓英陈仁术庄严
关键词:陶瓷
CuZnAl合金热循环效应的正电子湮没研究
1995年
CuZnAl形状记忆材料(或记忆合金元件)随着热循环反复相变周数增加,相变温度往低温漂移,相变速率与相变热滞减小而记忆性能无大的变化,正电子寿命谱测量表明这些现象主要与空位聚集形成空位团有密切关系。
林光明朱梓英
关键词:热循环正电子湮没形状记忆合金铜锌铝合金
不同方式变形时高纯铁的正电子寿命研究被引量:3
1998年
采用正电子寿命研究了压缩、冷轧和拉伸变形时高纯铁的正电子寿命随形变量的变化规律(曲线)。实验结果表明:若单考虑某一种方式的形变过程。其结果与前人的结果一致。实验中还发现压缩变形时的曲线明显高于拉伸时的曲线,而冷轧时的曲线介于两者之间。这种曲线的不同可归因于不同方式变形时导致的缺陷结构不同。
吴奕初朱梓英伊东芳子伊藤泰男
关键词:正电子湮没形变高纯铁
高温超导体中的一个正电子陷阱湮没模型(英文)
1998年
从简单的正电子物理图像出发,引入正电子在陷阱中湮没竞争机制,提出了一个新的陷阱湮没模型,并采用这个模型分析了多陷阱的高温超导材料中的正电子湮没特征,此模型可用于探索非平衡缺陷问题的普遍情况.
吴奕初朱梓英
关键词:正电子湮没高温超导材料
ZnO压敏陶瓷热处理实验的研究
1997年
ZnO压敏陶瓷在工作电压长期作用下,会产生电流蠕变现象,使Schotky势垒不稳定.用正电子湮没技术(PAT)证实:ZnO在适当温度下的氧化热处理。
朱梓英吴奕初林国淙陈志雄傅刚
关键词:压敏陶瓷氧化锌陶瓷稳定性
应用PAT研究金属形变及氢效应
吴奕初朱梓英
关键词:PAT
镍中氢与缺陷互作用的正电子寿命和多普勒展宽研究被引量:4
1997年
采用正电子寿命和多普勒展宽技术研究了退火、回复及冷轧镍中氢与缺陷的互作用.结果表明:冷轧镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数上升,并且寿命谱的两成分拟合出现一个390ps的长寿命分量;而退火及回复镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数均不改变.因此认为冷轧镍充氢后正电子参数(平均寿命和S参数)的上升取决于氢和空位的互作用,与氢和位错的互作用无关;
吴奕初朱梓英伊东芳子伊藤泰男
关键词:正电子寿命晶体缺陷金属氢脆
PAT研究Ba(Sn1-xSbx)O3系陶瓷中的B空位
在研究Ba(SnSb)O晶相的晶格参数α_o与Sb取代量x的关系时发现随着Sb对离子半径更大的Sn的取代,α_o反常地增大。为解释这一现象,以正电子湮没为主要手段对该系统材料进行了晶格空位的研究,结果表明该系统中主要存在...
庄严朱梓英
关键词:正电子寿命谱PAT
文献传递
共2页<12>
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