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徐萌

作品数:16 被引量:4H指数:1
供职机构:华中科技大学更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺医药卫生更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 4篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 10篇相变存储
  • 10篇相变存储器
  • 10篇存储器
  • 8篇百分比
  • 7篇相变材料
  • 6篇相变
  • 5篇晶态
  • 5篇非晶
  • 5篇非晶态
  • 4篇信息存储
  • 4篇热稳定
  • 4篇热稳定性
  • 2篇低阈值
  • 2篇堆叠
  • 2篇选通
  • 2篇数据存储
  • 2篇阈值电压
  • 2篇阈值电压漂移
  • 2篇微电子
  • 2篇相变过程

机构

  • 16篇华中科技大学

作者

  • 16篇徐萌
  • 12篇缪向水
  • 12篇徐明
  • 2篇杨哲
  • 2篇程晓敏
  • 2篇冯金龙

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2006
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其制备方法
本发明公开了一种低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法,该超晶格相变薄膜包括交替堆叠形成周期性结构的第一相变层和第二相变层;在晶化的过程中,第一相变层具有常规的正密度变化,而第二相变层具有反常的负密度变化,因此...
程晓敏冯金龙徐明徐萌缪向水
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复方苦参汤治疗溃疡性结肠炎的临床研究及其对DSS诱导的结肠炎小鼠Th17/Treg细胞平衡调节作用研究
本文主要从以下几方面进行论述:  第一部分 复方苦参汤治疗溃疡性结肠炎的临床研究  目的:鉴定复方苦参汤的组成和研究复方苦参汤临床治疗作用。  方法:检测复方苦参汤煎剂中的成分,采用质谱鉴定复方苦参汤中苦参碱、氧化苦参碱...
徐萌
关键词:溃疡性结肠炎复方苦参汤临床药理
In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法
本发明公开了In‑Sn‑Sb相变材料、相变存储器及In‑Sn‑Sb相变材料的制备方法,属于相变存储材料领域,所述In‑Sn‑Sb相变材料为由In,Sb,Sn元素组成的化学通式为In<Sub>x</Sub>Sn<Sub>y...
徐明徐萌缪向水
低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其制备方法
本发明公开了一种低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法,该超晶格相变薄膜包括交替堆叠形成周期性结构的第一相变层和第二相变层;在晶化的过程中,第一相变层具有常规的正密度变化,而第二相变层具有反常的负密度变化,因此...
程晓敏冯金龙徐明徐萌缪向水
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In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法
本发明公开了In‑Sn‑Sb相变材料、相变存储器及In‑Sn‑Sb相变材料的制备方法,属于相变存储材料领域,所述In‑Sn‑Sb相变材料为由In,Sb,Sn元素组成的化学通式为In<Sub>x</Sub>Sn<Sub>y...
徐明徐萌缪向水
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Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法
本发明公开了Ti‑Ga‑Sb相变材料、相变存储器及Ti‑Ga‑Sb相变材料的制备方法,属于相变存储材料领域,所述Ti‑Ga‑Sb相变材料为Ti,Sb,Ga元素组成的化学通式为Ti<Sub>x</Sub>Ga<Sub>y<...
徐明徐萌缪向水
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相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法
本发明公开了相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法,属于相变存储材料领域,所述相变合金材料为由Cu,Sb元素组成的化学通式为Cu<Sub>x</Sub>Sb<Sub>100‑x</Sub>的材料,其通过将Sb作...
徐明徐萌缪向水
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Ga-Sb-O相变材料及其应用与制备方法
本发明公开了Ga‑Sb‑O相变材料及其应用与制备方法,属于相变存储材料领域,所述Ga‑Sb‑O相变材料为由Ga,Sb,O元素组成的化学通式为Ga<Sub>x</Sub>Sb<Sub>100‑x‑y</Sub>O<Sub>...
徐明徐萌缪向水
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Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法
本发明公开了Ti‑Ga‑Sb相变材料、相变存储器及Ti‑Ga‑Sb相变材料的制备方法,属于相变存储材料领域,所述Ti‑Ga‑Sb相变材料为Ti,Sb,Ga元素组成的化学通式为Ti<Sub>x</Sub>Ga<Sub>y<...
徐明徐萌缪向水
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低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法以及产品
本发明提供了一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法以及产品装置,属于微电子技术领域,在制备过程中,对OTS功能层执行升温工艺,使OTS功能层温度为80℃~120℃,持续时间为50s~200s,以此方式,对OT...
徐明辜融川徐开朗徐萌杨哲麦贤良缪向水
共2页<12>
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