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程晓敏
作品数:
153
被引量:43
H指数:4
供职机构:
华中科技大学
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国家自然科学基金
湖北省自然科学基金
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相关领域:
自动化与计算机技术
一般工业技术
理学
电气工程
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合作作者
缪向水
华中科技大学光学与电子信息学院...
童浩
华中科技大学
冯金龙
华中科技大学
杨晓非
华中科技大学电子科学与技术系
李佐宜
华中科技大学光学与电子信息学院...
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2005
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153
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基于多采样频率的磁电阻效应测试方法研究
2005年
磁电阻效应特性曲线是一个具有脉冲特性的非线性曲线 ,在滤波和多采样频率间制定一个最优方案 ,可以改善磁电阻效应的测试。测量结果表明 ,该方法明显改善了磁电阻特性曲线 ,特别是在峰值或谷值附近 。
李震
李佐宜
杨晓非
王鲜然
黄致新
程晓敏
晋芳
关键词:
磁电阻效应
采样频率
脉冲特性
参数估计
一种透明的自选色的异质结忆阻器及其制备方法
本发明公开了一种透明的自选色的异质结忆阻器及其制备方法,属于集成微电子器件技术领域。异质结忆阻器包括:透明衬底,附着于透明衬底上的透明下电极,附着于透明下电极上的功能层,以及附着于功能层上的透明上电极;功能层由氧化物和Z...
程晓敏
朱云来
何柱力
李瀚
曾运韬
缪向水
文献传递
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器,包括依次连接的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极,还包括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层,第二自由层的横截面积小于自由层的横截面积;第二自由层和第一自...
缪向水
倪含
程晓敏
文献传递
基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器
本发明提供了一种基于晶格匹配的化合物掺杂Ge‑Sb‑Te相变材料和相变存储器,属于微纳米电子技术领域,其化学式为(MA)<Sub>x</Sub>(Ge‑Sb‑Te)<Sub>1‑x</Sub>,其中,MA为面心立方结构的...
程晓敏
曾运韬
李凯
缪向水
基于氮掺杂Ge-Sb-Te材料的同质光电储备池计算系统
本申请公开了一种基于氮掺杂Ge‑Sb‑Te材料的同质光电储备池计算系统。本申请系统包括相互连接的光电储备池层和读出层;所述光电储备池层包括多个基于氮掺杂Ge‑Sb‑Te材料的光突触器件,所述光突触器件基于对单光脉冲的光电...
程晓敏
赵鹏
缪向水
直波导型相变全光布尔逻辑器件及其全二元逻辑实现方法
本发明提供一种直波导型相变全光布尔逻辑器件及其全二元逻辑实现方法,包括直波导结构,覆盖于波导上方的相变功能单元及其保护层,波导布拉格光栅结构;逻辑实现方法上,使用光脉冲从器件两端分别输入,对相变功能单元状态进行调制:设定...
程晓敏
何柱力
朱云来
李瀚
缪向水
文献传递
能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]n材料
本发明公开了一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]n材料,在初始超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]n材料中加...
程晓敏
夏泽瑛
张瑾
冯金龙
童浩
缪向水
文献传递
可重构的异质结忆阻器、调控方法、制备方法及其应用
本发明公开了可重构的异质结忆阻器、调控方法、制备方法及其应用,属于微纳米电子器件领域。本发明设计的功能层以n‑AgO和p‑Ag<Sub>2</Sub>O的PN异质结或者以n‑CuO<Sub>2</Sub>和p‑CuO的P...
程晓敏
李浩斌
罗云皓
缪向水
磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]<Sub>n</Sub>晶体结构模型的构建方法
本发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]<Sub>n</Sub>晶体结构模型的构建方法,包括如下步骤:第一步,建立超晶格材料[GeTe/Sb<Sub>...
程晓敏
夏泽瑛
张瑾
冯金龙
童浩
缪向水
文献传递
一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器
本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器,包括M×N个上电极、N个下电极以及M×N个存储单元;每个上电极只与一个功能层相连;功能层位于上电极与所述下电极之间;通过外部的控制信号选择X方向的第i个上电极和Y方向的...
程晓敏
胡阳芷
黄婷
关夏威
缪向水
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