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徐敬波

作品数:12 被引量:36H指数:5
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信轻工技术与工程机械工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇感器
  • 10篇传感
  • 10篇传感器
  • 6篇SOI
  • 6篇MEMS
  • 5篇集成传感器
  • 5篇加速度
  • 4篇速度传感器
  • 4篇芯片
  • 4篇加速度传感器
  • 3篇多传感器
  • 3篇三轴加速度
  • 2篇压阻
  • 2篇压阻式
  • 2篇压阻效应
  • 2篇三维加速度
  • 2篇三维加速度传...
  • 2篇三轴加速度传...
  • 2篇散射
  • 2篇手机

机构

  • 12篇西安交通大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 12篇徐敬波
  • 11篇蒋庄德
  • 10篇赵玉龙
  • 5篇孙剑
  • 3篇孙剑
  • 2篇周建发
  • 2篇宋康
  • 2篇苑国英
  • 1篇张大成
  • 1篇杨芳

传媒

  • 2篇传感技术学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇计量学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇第八届中国微...
  • 1篇第九届全国敏...

年份

  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 5篇2006
  • 1篇2005
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种压阻式三轴加速度传感器的设计
本文介绍了一种基于SOI的硅压阻式三轴加速度传感器的设计和制备.该三轴加速度传感器采用四个相互垂直的悬臂梁支撑中间质量块的结构.加速度传感器通过利用合理布置的压敏电阻构成的惠斯通电桥测量三个方向的加速度.对加速度传感器结...
孙剑赵玉龙苑国英蒋庄德徐敬波
关键词:加速度传感器压阻效应SOIMEMS
文献传递
集成传感器芯片的封装应力分析被引量:5
2006年
针对集成传感器芯片封装粘贴过程中的残余应力影响器件性能的问题,使用有限元方法对环氧粘胶粘贴集成传感器芯片产生的封装残余应力进行了分析.采用有机层压板作为封装基板,仿真计算了环氧粘胶的杨氏模量、厚度和溢出厚度的变化对集成传感器性能的影响,同时对集成传感器进行了封装实验.实验测量与仿真结果的比较分析表明:通过选择低杨氏模量的环氧粘胶、增加环氧粘胶厚度和增加环氧粘胶的溢出厚度可以减小封装应力对集成传感器的影响,而且封装应力对其中压力传感器的影响远大于对温度和湿度传感器的影响.分析结果对集成传感器的封装应用具有一定的参考价值.
徐敬波赵玉龙蒋庄德孙剑
关键词:集成传感器封装有限元残余应力
一种压阻式三轴加速度传感器的设计被引量:8
2006年
介绍了一种基于SOI的硅压阻式三轴加速度传感器的设计和制备.该三轴加速度传感器采用四个相互垂直的悬臂梁支撑中间质量块的结构.加速度传感器通过利用合理布置的压敏电阻构成的惠斯通电桥测量三个方向的加速度.对加速度传感器结构进行了理论分析和有限元仿真优化,确定加速度传感器的结构尺寸,并详细论述了三轴加速度传感器的制备工艺步骤和测试结果.
孙剑赵玉龙苑国英蒋庄德徐敬波
关键词:加速度传感器压阻效应SOIMEMS
一种多传感器集成芯片
本发明公开了一种基于SOI技术多传感器集成芯片,包括硅悬臂梁,硅膜,硅膜周边的支撑硅基,外围的硅质量块和玻璃基底。硅膜,硅膜周边的支撑硅基与玻璃底座结合,在芯片中间形成相对独立的真空环境作为压力传感器;单端固定的硅悬臂梁...
赵玉龙蒋庄德徐敬波周建发孙剑
文献传递
多光束在分形粗糙表面散射的仿真被引量:5
2006年
采用矩量法(MOM),分析了多光束在分形粗糙导体表面的散射分布·对在不同入射角、光束宽度控制因子、光束照射区宽度、表面均方根高度和表面分维数情况下的散射进行了数值仿真·仿真结果表明了各参量的变化对散射分布的影响·根据仿真计算结果给出了最佳的散射测量区域,为减少多光束测量的误差提供了一定的参考·
徐敬波蒋庄德赵玉龙宋康
关键词:散射数值仿真
一种集成三轴加速度、压力、温度的硅微传感器被引量:5
2007年
针对恶劣环境和严格空间体积限制条件下的多参数测量问题,利用绝缘体上硅(SOI)材料,采用微型机械电子系统(MEMS)技术,研制了一种可以同时测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应。结合芯片中各传感器的工作原理,用有限元方法对设计的结构进行了仿真,确定集成传感器的电阻分布和结构参数。根据确定的集成传感器结构,制定了相应的制备工艺步骤。最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果。
徐敬波赵玉龙蒋庄德孙剑
关键词:集成传感器SOIMEMS
一种多传感器集成芯片
本发明公开了一种基于SOI技术多传感器集成芯片,包括硅悬臂梁,硅膜,硅膜周边的支撑硅基,外围的硅质量块和玻璃底座。硅膜,硅膜周边的支撑硅基与玻璃底座结合,在芯片中间形成相对独立的真空环境作为压力传感器;单端固定的硅悬臂梁...
赵玉龙蒋庄德徐敬波周建发孙剑
文献传递
基于SOI的集成硅微传感器芯片的制作被引量:12
2007年
为满足小体积、多参数测量的要求,采用SOI硅片,设计了一种测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应.根据集成传感器的结构,制定了相应的制备工艺步骤.针对芯片上各电阻间金属引线的可靠性问题和加速度传感器质量块吸附问题提出了有效的改进方法.最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果.
徐敬波赵玉龙蒋庄德张大成杨芳孙剑
关键词:集成传感器SOIMEMS芯片
一种硅微多传感器集成研究被引量:2
2008年
为满足小体积、多参数测量的要求,利用(100)晶面的各向异性压阻特性与MEMS加工工艺特性,在单芯片上集成制作了三轴加速度、绝对压力以及温度等硅微传感器,在结构和检测电路设计上最大限度地减小各传感器之间的相互干扰影响。三轴加速度、绝对压力传感器利用压阻效应导致的电阻变化测量外界加速度和压力变化量,温度传感器利用掺杂单晶硅电阻率随温度变化的原理来测量外界温度。集成传感器具有较好的工艺兼容性,加速度、压力传感器的压敏电阻和温度传感器的测温电阻采用硼离子掺杂制作,加速度和压力传感器设计成工艺兼容的体硅结构。研制的集成传感器芯片尺寸为4mm×6mm×0.9mm。给出了集成传感器的性能测试结果。
赵玉龙徐敬波蒋庄德孙剑
关键词:多传感器微硅
一种粗糙面双站散射非定常迭代算法
2008年
发展了一种残差光滑平方化共轭梯度(RSCGS)方法。通过残差光滑技术和平方化共轭梯度法的结合,使该方法既有收敛迅速的特点,同时又保持良好的收敛性质。在电磁离散矩阵方程求解计算中,该方法能加速迭代收敛和改善迭代收敛性质。最后利用该方法计算了当TE、TM高斯波束入射在高斯粗糙导体表面和复合粗糙导体表面的双站散射系数,计算结果表明了该方法的有效性。
徐敬波赵玉龙蒋庄德宋康
关键词:计量学双站散射
共2页<12>
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