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张文鹏

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇晶圆
  • 2篇金属
  • 2篇金属化
  • 2篇背面金属化
  • 1篇单粒子
  • 1篇电路
  • 1篇电学
  • 1篇电压
  • 1篇电压法
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇形貌
  • 1篇氧化层
  • 1篇沾污
  • 1篇阵列式
  • 1篇制作方法
  • 1篇入射
  • 1篇三氯
  • 1篇三氯化铁
  • 1篇深槽
  • 1篇酸性

机构

  • 9篇西安微电子技...

作者

  • 9篇张文鹏
  • 1篇唐磊
  • 1篇姚军
  • 1篇王忠芳

传媒

  • 1篇电子元器件应...

年份

  • 3篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2005
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种SiC肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法
本发明提供了一种SiC肖特基二极管产品背面金属化的工艺方法，SiC晶圆正面贴膜，再对得到的SiC晶圆进行背面抛光，用于去除欧姆接触金属表面自然氧化层；对SiC晶圆进行背面擦片，用于去除抛光工艺过程产生的颗粒；进行DI水清...
齐易晨尚春林乔楠晏强张文鹏胡长青
一种晶圆级红外热电堆传感器的响应灵敏度评价方法及系统
本发明公开一种晶圆级红外热电堆传感器的响应灵敏度评价方法及系统，该评价方法首先获取晶圆级红外热电堆传感器在暗室条件下的第一输出电信号值以及在光激励条件下的第二输出电信号值，该方法在暗室下测试避免了环境光线的影响，通过第一...
王怡鑫刘威赵帆王西岐程鹏刚张文鹏胡长青
一种NiTiAl复合金属晶圆及其制备方法
本发明公开一种NiTiAl复合金属晶圆及其制备方法，该方法首先利用酸性腐蚀液A对于晶圆表面的Al层进行腐蚀，该酸性腐蚀液A不会影响下层金属，然后利用质量浓度为1.5％～5％的氢氟酸对Ti层进行腐蚀，该氢氟酸溶液不会使下层...
薛芫昕张佳炜张长安胡长青程鹏刚张文鹏
LZ1041型汽车专用电路的改进
2005年
简要介绍一种汽车专用电路在生产过程中出现的问题及解决方案。
张文鹏
关键词：专用电路汽车电子
一种晶圆背面金属化前的清洗方法
本发明提供一种晶圆背面金属化前的清洗方法，具体步骤如下：S1、晶圆正面贴膜；S2、对S1得到的晶圆依次进行有机腐蚀液清洗、硅腐蚀液清洗、擦片、HF溶液清洗；S3、将S2得到的晶圆上的正面贴膜去除，得到清洗后的晶圆，本发明...
齐易晨尚春林何静博张文鹏胡长青晏强
一种提高抗单粒子性能的埋SiO2 SiC JBS结构
本发明提供一种提高抗单粒子性能的埋SiO2SiC JBS结构，包括阴极金属和阳极金属，以及依次设置于阴极金属和阳极金属之间的多级N型缓冲层，所述多级N型缓冲层靠近阴极金属一侧设置有SiC N+衬底，靠近阳极金属一侧依次设...
程鹏刚唐磊王晨霞王忠芳杨晓文刘建军张文鹏王昕黄山圃鲁红玲姚军
一种提高达林顿管电流能力的结构及其制作方法
本发明提供一种提高达林顿管电流能力的结构及其制作方法，包括基区和设置于基区上的锯齿状结构的发射区，所述锯齿状结构凹陷处设置有基区孔；所述发射区和基区孔之前设置有氧化层；本申请通过提高发射区的有效边长，可在不改变芯片面积的...
李照杨晓文侯斌王怡鑫张文鹏杨庚赵帆鲁红玲黄山圃
一种电压法测试扩散结深的方法
本发明一种电压法测试扩散结深的方法，先对硅衬底片的上部分进行氧化，之后按设计的版图对氧化层进行光刻，图形的形状为正方形且呈阵列式分布，每行相邻的两个图形间距依次增加，每相邻两行的间距大于所述两行中任意两个相邻图形间距的最...
王怡鑫侯斌刘威张文鹏胡长青王西岐李照
文献传递
一种深槽填充的工艺方法
本发明涉及半导体制作工艺技术领域，公开了一种深槽填充的工艺方法，通过采用厚度可调的多层复合介质，来实现电学绝缘和应力匹配的兼得，该工艺方法理论简单易于理解，不同的工艺技术人员可以根据不同的设备及工艺条件进行调整，遵循此方...
杨晓文侯斌李照杨鹏翮尚春林张文鹏
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