张志锋
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 应变硅载流子迁移率增强机理及模型研究
- 应变Si具有迁移率高、能带结构可调的优点，且能与传统的体Si工艺兼容。在目前的集成电路产业中，基于应变Si技术的器件和电路已经得到运用。在应变Si技术得到实际运用的同时，相关理论也在不断发展。从理论上研究应变硅迁移率增强...
- 张志锋
- 关键词：集成电路芯片设计应变硅技术
- 文献传递
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型
- 在考虑极化效应、源漏寄生电阻、沟道扩散电流和饱和区沟道长度调制效应基础上，建立了AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管I-V特性的解析模型，分析了其线性区和饱和区跨导，理论分析结果与实验结果符合得较好。该模型考虑全面、算法...
- 张志锋张鹤呜刘青鬲鹏飞
- 关键词：高电子迁移率晶体管电学性能结构优化
- 应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究
- 2008年
- 在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与Si Ge层中Ge组分的关系。分析结果表明,阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低。该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考。
- 张志锋张鹤鸣胡辉勇宣荣喜宋建军
- 关键词：应变硅阈值电压反型层
- 应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究
- 在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFE纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系...
- 张志锋张鹤鸣胡辉勇宣荣喜宋建军
- 关键词：应变硅阈值电压反型层
- 文献传递
- 应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型被引量：5
- 2009年
- 在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系.分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大.该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考.
- 张志锋张鹤鸣胡辉勇宣荣喜宋建军
- 关键词：应变硅阈值电压电势分布反型层
