张光春
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：山东工业大学电力工程学院电子工程系更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程机械工程更多>>
- 半绝缘GaAs退火前后深能级的研究
- 1991年
- 用TSDC(热激去极化电流)法对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)退火前后的深能级进行了测量,并对该方法进行理论分析,推导出这一热激过程的动力学方程。用曲线拟合的方法对陷阱能量E等拟合,理论与实验结果吻合。测得SI-GaAs:Cr样品中Cr产生的深能级为E_c-0.716eV,Ec-0.532eV;高纯SI-GaAs样品中EL_2能级为E_c-0.735eV。另外,还测得其它几个深能级。
- 曲果力张光春罗晋生
- 关键词：能级GAAS退火化合物半导体
- 热激弛豫过程动力学方程的建立及计算机模拟
- 1993年
- 用热激去极化电流(TSDC)法对半绝缘GaAs(SI—GaAs)退火前后的深能级进行了测量,并推导出这一热激弛豫过程的一般动力学方程,用曲线拟合的方法对热激活能E,动力学阶数b等拟合,并用计算机模拟其理论曲线,理论与实验吻合。
- 曲果力张光春罗晋生
- 关键词：深能级化合物半导体
- 双向触发二极管的研制
- 1993年
- 双向触发二极管是利用双向闸流管原理设计出来的。它具有二极管的外形、双向可控硅的特性曲线,又能起到开关的作用,所以称它为双向触发二极管。双向触发二极管是一种用途很广的器件,它适用于多种形式的电路,在可控硅控制的电路中是一个触发元件、其典型的应用电路如图1所示。该电路是由负载电阻R_L、可调电阻R_1、电容C_1、双触发二极管Diac和双向可控硅五个元件组成的.此电路可以通过改变可调电阻R_1的阻值,来改变电容C_1的充电时间,以调整Diac的导通角。
- 范坤泰罗梅青吴德喜张光春
- 关键词：双向可控硅触发电流
- 高频MOSC－V特性测量中异常现象分析被引量：2
- 1995年
- 高频ＭＯＳＣ－Ｖ特性测量中异常现象分析张光春，曲果丽，许汝民，张玉生（山东工业大学电子工程系济南２５００１４）ＭＯＳ结构的Ｃ－Ｖ分析技术在半导体工艺控制和测量中，已经得到广泛应用，通过Ｃ－Ｖ特性测量分析半导体材料及其表面的性能，可获得有关半导体的多种...
- 张光春曲果丽许汝民张玉生
- 关键词：MOS结构C-V特性半导体
- 积分比较式除法器在压敏电阻压比测量中的应用
- 1992年
- 模拟乘(除)器是实现两个模拟量相乘(除)的电子器件,目前不仅应用于模拟运算方面,而且已扩展到无线电通讯、电视广播、测量仪表、控制系统等领域。在模拟除法器中,用得比较多的是对数式除法电路、脉冲分压电路。本文介绍一种积分比较式模拟除法电路,其结构简单、调试方便,精度可满足一般测量仪器的要求。 1 电路工作原理积分比较式除法电路如图1所示。A_1,A_3为积分器,A_2为零电压比较器。K_1,K_2,
- 韩述斌张光春
- 关键词：除法器压敏电阻器
- 分段插值法用于热电偶非线性补偿被引量：8
- 1994年
- 在单片机上,利用分段插值法实现热电偶非线性补偿,既提高了温控精度,又改善了系统的实时性。
- 张光春曲果丽范坤泰
- 关键词：热电偶微处理机非线性补偿
- 低电压ZnO压敏电阻器
- 1994年
- 本文简要叙述了压敏电阻器特性、微观结构、制作方法以及对实验结果的讨论。
- 范坤泰吴德喜张光春
- 关键词：压敏电阻器非线性漏电流
- 压敏电阻器电气特性综合测量仪
- 1996年
- 介绍一种压敏电阻器电气特性测量仪．本仪器在恒流状态下测量压敏电压，在恒压状态下测量漏电流，用积分比较式除法器测量压比．设计了一种时序电路，可对上述３个参数进行自动测量。
- 韩述斌吴德喜张光春
- 关键词：压敏电阻器电气特性自动测量仪氧化锌
