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一种太阳能设备倾角仪: 本实用新型公开一种太阳能设备倾角仪，包括中央处理器及分别与之连接的GPS模块、触控屏幕单元、语音提示模块、无线接收单元，还包括相互连接的无线发送单元和陀螺仪测量模块，其中，陀螺仪测量模块设于太阳能设备上，无线接收单元与无...; 崔文涛庄芹芹刘嘉; 文献传递

高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展被引量：11: 2013年; 随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点,因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前,高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高,所制备的深紫外LED发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿c轴方向正面出光效率较低的难题,因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展,总结和梳理了量子结构设计、内电场调控以及晶体场调控等方面的相关研究,以期实现高质量深紫外LED的制备。; 陈航洋刘达艺李金钗林伟杨伟煌庄芹芹张彬彬杨闻操蔡端俊李书平康俊勇; 关键词：ALGAN ALN MOVPE

在发光二极管表面制备单层聚苯乙烯球的方法被引量：1: 2016年; 基于水面乳胶颗粒的自组装特性,通过将稀释的聚苯乙烯球铺展在去离子水中,用表面活性剂加固后将其转移到氮化钾基发光二极管(简称GaN基LED)表面的方法制备较大面积的单层聚苯乙烯球颗粒.场发射扫描电子显微镜测试表明:该方法能在较短时间内在GaN基LED表面形成六角紧凑的聚苯乙烯微球的二维阵列,微球平均直径约为350 nm.加入75μL表面活性剂,利于形成二维结晶.这为聚苯乙烯球做掩模版粗化GaN表面,提高大功率GaN基LED的光提取率提供了一种有效的途径.; 张小英王元樟庄芹芹; 关键词：氮化镓基发光二极管

ZnTe/Si(211)与ZnTe/GaAs(211)异质结构的热应变研究: 2016年; 通过理论计算获得Zn Te/Si(211)与Zn Te/Ga As(211)异质结构样品室温下的热应变分布与曲率半径,并采用激光干涉仪测量两个样品室温下的曲率半径。研究发现,在(211)面上进行异质外延,两个互相垂直的晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变分布呈现各向异性,且沿两个方向上的表面曲率半径亦存在差异。Zn Te/Ga As(211)样品的激光干涉测量结果与理论计算较为吻合,均为同一数量级的表面曲率半径方向为负的张应变,Zn Te/Si(211)样品的测量结果则存在较大差异。由于Si衬底在高温脱氧的过程中产生了表面曲率半径方向为正的塑性形变,在一定程度上降低了外延Zn Te后异质结构的弯曲程度,减小了热失配应变。; 王元樟庄芹芹黄海波蔡丽娥; 关键词：热应变 ZNTE SI GAAS

Al和N极性AlN生长特性的第一性原理被引量：1: 2013年; 使用第一性原理计算方法对Al和N极性AlN表面和生长特性的差异开展了研究.构建未吸附和吸附一个原子或原子层的Al和N极性AlN表面结构进行模拟和理论计算.结果表明:Al极性AlN比N极性AlN更稳定,并且在生长时将具有更高的生长速率;在富N的生长环境下,N极性AlN的生长容易在表面形成双N原子层而出现反型畴;Al和N原子在Al极性表面上更容易扩散,所以外延生长的Al极性面AlN将会具有更加平整的表面形貌.; 庄芹芹林伟王元樟张小英; 关键词：ALN 第一性原理计算

应变AlN表面生长动力学: 2015年; AlN半导体通常在异质衬底上外延,生长过程中往往承受较大的晶格失配应力.基于第一性原理,研究了应变AlN表面生长基元,如Al和N原子以及Al-Nn团簇的微观生长动力学.与非应变AlN比较显示,N原子形成焓有所提升,难以形成稳定吸附;而Al原子则由活跃转为稳定吸附.通过比较不同团簇表明,Al-N3团簇结合能远低于Al-N、AlN2和Al-N4团簇,最为稳定.进一步计算不同生长氛围下形成焓差异的结果显示,应变Al-N3团簇形成焓略有提升,但总体仍呈现稳定吸附的特性.基于各生长基元在不同生长氛围下应变AlN的动力学特性差异,设计了分层生长步骤.生长初期通过生长源的切换,分别提供有利于N原子和Al原子扩散的氛围,以形成均匀分布的晶核;再通过同时供给N和Al源形成Al-N3团簇,利用其跨度大、吸附稳定等特性,促进表层晶核间的跨越生长,以形成连续的二维外延层,为在大失配异质衬底上外延致密、平整、优质的AlN薄膜提供了新的方案.; 曹志峰林伟庄芹芹李书平康俊勇; 关键词：第一性原理

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庄芹芹