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崔敏

作品数:4 被引量:6H指数:2
供职机构:北京科技大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇压电
  • 3篇压电陶瓷
  • 3篇烧结温度
  • 3篇陶瓷
  • 3篇陶瓷结构
  • 2篇电学
  • 2篇电学性能
  • 1篇致密
  • 1篇致密度
  • 1篇烧结法
  • 1篇相结构
  • 1篇固相烧结
  • 1篇固相烧结法
  • 1篇NA
  • 1篇NBO
  • 1篇PZT
  • 1篇TI

机构

  • 4篇北京科技大学
  • 3篇河南科技大学

作者

  • 4篇崔敏
  • 3篇张波萍
  • 2篇李海涛
  • 1篇马楠
  • 1篇杨伟刚
  • 1篇李海涛
  • 1篇鲍星毅

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇中国科技论文...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2011
  • 2篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
烧结温度对0.9PbZr0.52Ti0.4803-0.1NaNbO3压电陶瓷结构及电学性能的影响
传统固相烧结法制备了钠过量的0.9PbZr0.52Ti0.48O3-0.1NaO3(PZT-NN)压电陶瓷,研究了烧结温度对PZT-NN陶瓷晶体结构及其电学性能的影响。XRD结果表明,不同温度烧结的PZT-NN陶瓷均为单...
崔敏张波萍李海涛
关键词:压电陶瓷烧结温度固相烧结法电学性能
烧结温度对0.9PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3-0.1NaNbO_3压电陶瓷结构及电学性能的影响被引量:2
2011年
采用传统固相烧结法制备了钠过量的0.9PbZr0.52Ti0.48O3-0.1NaNbO3(PZT-NN)压电陶瓷,研究了烧结温度对PZT-NN陶瓷晶体结构及其电学性能的影响。XRD结果表明,不同温度烧结的PZT-NN陶瓷均为单一钙钛矿结构,在1125~1150℃温区烧结时,陶瓷发生了由四方相向正交相的相变。随烧结温度进一步升高,压电常数d33、介电常数εr以及剩余极化强度Pr均呈递减趋势,烧结温度为1125℃的PZT-NN陶瓷具有较好的电学性能:d33=218pC/N,εr=851,tanδ=0.02。PZT-NN陶瓷的相对密度随烧结温度的升高而增大,在1150℃时达到95%,钠过量的NaNbO3加入使PZT陶瓷的致密化烧结温度降低了50~150℃。
崔敏张波萍李海涛
关键词:压电陶瓷PZT烧结温度
烧结温度对0.9PbZr0.52Ti0.48O3-0.1Na1.2NbO3压电陶瓷结构及电性能的影响
本文采用传统固相烧结法制备了0.9PbZrTiO-0.1NaNbO(简写为PZT-NN)压电陶瓷,研究了烧结温度对PZT-NN陶瓷晶体结构及其压电、介电、铁电性能的影响。不同烧结温度下制得的PZT-N1.2N陶瓷均是单一...
崔敏张波萍李海涛
文献传递
Cu掺杂Li_(0.06)(Na_(0.5)K_(0.5))_(0.94)NbO_3压电陶瓷的相结构、微观结构与电学性能被引量:4
2011年
采用传统烧结工艺制备了Cu掺杂的(Li,Na,K)NbO3基无铅压电陶瓷,研究了Cu掺杂量对陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明:当Cu掺杂量x≤1.2%(摩尔分数)时,陶瓷的晶粒度和致密度随Cu掺杂量的增加而增大,在x=1.2%时其相对密度达到最大值94.6%。当x>0.8%时,陶瓷中开始出现杂相,导致其压电性能下降。陶瓷的压电常数d33和机电耦合系数kp在x=0.8%时分别达最大值186 pC/N和33%。Cu的掺杂为受主掺杂,使陶瓷呈现一定的"硬性",陶瓷的机械品质因数Qm由x=0.3%时的162提高到x=1.0%时的318。
李海涛张波萍崔敏马楠杨伟刚鲍星毅
关键词:压电陶瓷电学性能致密度
共1页<1>
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