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宋希明

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 2篇电离
  • 2篇浅结
  • 2篇冷却装置
  • 2篇离子
  • 2篇离子源
  • 2篇分子
  • 2篇靶材
  • 2篇超浅结
  • 1篇堆叠
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇退火
  • 1篇平坦化
  • 1篇热退火
  • 1篇离子注入
  • 1篇介质层
  • 1篇金属
  • 1篇晶化
  • 1篇刻蚀
  • 1篇集成度
  • 1篇半导体

机构

  • 4篇中国科学院微...

作者

  • 4篇刘金彪
  • 4篇宋希明
  • 3篇李俊峰
  • 3篇张琦辉
  • 3篇张浩
  • 2篇丁明正
  • 2篇李琳
  • 2篇赵超
  • 2篇刘强
  • 1篇赵玉印
  • 1篇杨涛
  • 1篇李春龙
  • 1篇刘青
  • 1篇王垚

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
用于超浅结注入的离子源装置
本发明提供了一种用于超浅结注入的离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，位于所述起弧室下方；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。本发明在离子源中引入了小型对靶溅射装置，并辅以强冷却系统，为起弧室提供...
刘金彪张琦辉宋希明张浩李琳刘强丁明正李俊峰赵超
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金属前介质层的平坦化方法
本发明公开了一种金属前介质层的平坦化方法，该方法具体包括：对具有凸凹结构的金属前介质层PMD表面进行大倾角离子注入；利用湿法刻蚀的方法对离子注入后的PMD表面进行平坦化处理。通过本发明技术方案，能够便于实现PMD表面的平...
刘金彪杨涛李春龙张浩宋希明赵玉印
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一种半导体器件的形成方法
本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底及其上的栅堆叠；在所述栅堆叠的侧壁上形成伪侧墙，所述伪侧墙掺杂有N型或P型粒子；进行源漏注入；进行热退火，以形成源漏区，同时伪侧墙扩散形成源漏延伸区；去除伪侧墙，并形成替...
刘金彪李俊峰张琦辉刘青宋希明王垚
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用于超浅结注入的离子源装置
本发明提供了一种用于超浅结注入的离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，位于所述起弧室下方；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。本发明在离子源中引入了小型对靶溅射装置，并辅以强冷却系统，为起弧室提供...
刘金彪张琦辉宋希明张浩李琳刘强丁明正李俊峰赵超
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