孙捷
- 作品数：13 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：辽宁省科学技术基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法
- 本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法，该方法由以下步骤实现：用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上；用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上；用焊锡将...
- 苏艳梅张冶金种明孙捷孙秀艳
- 文献传递
- 脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响被引量：6
- 2005年
- 用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。以325 nm He-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析。脉冲激光沉积方法的主要生长参量为氧压、激光重复频率、生长温度和激光能量。通过控制这些参量变量,研究了这些参量对ZnO薄膜发光特性的影响,得到了用于紫外发光的ZnO薄膜生长的优化条件:发现在温度为650℃左右、氧压50 Pa左右、频率5 Hz左右的范围内能得到半峰全宽较窄,强度较大的紫外发光峰。分析认为紫外峰主要是由激子辐射复合发光形成的,绿光带主要和OZn的存在密切相关,氧空位是蓝光发射的重要原因。
- 王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊
- 关键词：光学材料脉冲激光沉积ZNO薄膜
- 一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法
- 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻...
- 杨敏种明赵德刚王晓勇苏艳梅孙捷孙秀艳
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- 解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法
- 一种解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法，包括如下步骤：在一衬底上制作多量子阱红外探测器材料；在多量子阱红外探测器材料上按照预定间距向下刻蚀，形成多个像元之间的隔离槽，刻蚀深度至衬底内；在刻蚀隔离槽后的多量子...
- 孙捷种明苏艳梅
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- 基于微结构激光器的一维雷达扫描发射装置及制备方法
- 本发明公开了一种基于微结构激光器的一维雷达扫描发射装置及制备方法，包括：基底；在该基底上呈阵列排布的多路激光器，各路激光器之间的出射角度不同，该出射角度为各路激光器的出射激光与所述基底平面形成的夹角，实现多路可变倾角低发...
- 张冶金苏艳梅种明毕玉孙捷孙秀艳
- 文献传递
- 低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管
- 1990年
- 根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度～(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6μW),参与倍增的暗电流l_(dm)最小可达0.25nA。
- 王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹孙捷樊爱香
- 关键词：雪崩二极管INGAAS
- 背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法
- 本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法，该方法由以下步骤实现：用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上；用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上；用焊锡将...
- 苏艳梅张冶金种明孙捷孙秀艳
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- InGaAs/InGaAsP/InP长波长雪崩光电二极管研究被引量：1
- 1991年
- 研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0～1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和载流子浓度的控制问题。器件最大倍增因子大于50,灵敏度大于0.70μA/μW,暗电流I_D的典型值约为20nA(V_r=0.9V_B)。
- 李锋王树堂曾靖樊爱香夏彩虹孙捷胡春阳白金花陈心敏
- 关键词：光电二极管
- MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件被引量：2
- 1993年
- 讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。
- 杨志鸿王树堂曾靖朱龙德孙捷夏彩虹沈戎归强
- 关键词：量子效率
- 平面GaN基紫外探测器及其制作方法
- 本发明公开了一种平面GaN基紫外探测器及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。该紫外探测器制作方法包括：光刻后选择性刻蚀第一SiO<Sub>2</Sub>钝化层至其底部；在所述第一SiO<Sub>2</Sub>钝化层刻蚀的...
- 苏艳梅种明张冶金孙捷孙秀艳
- 文献传递
